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광통신용 레이저 다이오드 칩의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014003186
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광섬유 통신에 이용되는 광원중의 하나인 레이저 다이오드(LD)칩에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 칩의 절단 수율을 높일 수 있는 레이저 다이오드칩의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 레이저 다이오드 칩 제조방법은 광통신용 레이저 다이오드 칩을 제조하기 위해 (1) 3차 MOCVD 성장이 끝난 n형 InP, p형 InP, n형 InP, p형 InP 및 InGaAs층이 차례대로 적층된 웨이퍼의 표면에 질화박막(Si3N4)을 증착하고, 포토리소그라피 공정으로 V-메사(V-mesa)와 V-그루브(V-groove)를 에칭하기 위해 에칭용 원도우(window)를 열고, 황산, 과산화수소 및 증류수가 혼합된 용액을 이용하여 InGaAs층을 에칭하는 단계와; (2) 염산계 용액을 이용하여 전류차단층인 InP층을 에칭하는 단계와; (3) PECVD를 이용하여 질화박막(SiNx)을 증착하는 단계와; (4) 포토리소그라피 공정으로 전극을 형성하기 위해 전극형성용 윈도우를 열고, 웨이퍼의 표면에 P형 전극을 형성하는 단계와; (5) 웨이퍼의 뒷면을 연마한 후 뒷면에 N형 전극을 형성하는 단계와; (6) 전극의 형성이 완료되면 브레이커(breaker)를 이용하여 일정한 크기로 절단하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 5/02212(2013.01) H01S 5/02212(2013.01) H01S 5/02212(2013.01)
출원번호/일자 1019980063651 (1998.12.31)
출원인 주식회사 엘에스
등록번호/일자 10-0280978-0000 (2000.11.14)
공개번호/일자 10-2000-0046923 (2000.07.25) 문서열기
공고번호/일자 (20010302) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.12.31)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘에스 대한민국 서울특별시 용산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신 기철 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 이 호성 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 송 준석 대한민국 경기도 안양시 동안구
4 구 본조 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손은진 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘에스전선 주식회사 경기 안양시 동안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.12.31 수리 (Accepted) 1-1-1998-0472851-39
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.12.31 수리 (Accepted) 1-1-1998-0472852-85
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.12.31 수리 (Accepted) 1-1-1998-0472853-20
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.12.09 수리 (Accepted) 4-1-1999-0149646-70
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2000-0004537-28
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2000.09.18 수리 (Accepted) 9-1-2000-0003057-52
7 등록사정서
Decision to grant		 2000.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0265291-90
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.05.26 수리 (Accepted) 4-1-2001-0064118-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.05.07 수리 (Accepted) 4-1-2003-0026705-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.24 수리 (Accepted) 4-1-2005-5028369-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2008-5108352-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.16 수리 (Accepted) 4-1-2017-5040920-83
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2018-5267671-55
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번호 청구항
1 1

광통신용 레이저 다이오드 칩을 제조하기 위해

(1) 3차 MOCVD 성장이 끝난 n형 InP, p형 InP, n형 InP, p형 InP 및 InGaAs층이 차례대로 적층된 웨이퍼의 표면에 질화박막(Si3N4)을 증착하고, 포토리소그라피 공정으로 V-메사(V-mesa)와 V-그루브(V-groove)를 에칭하기 위해 에칭용 원도우(window)를 열고, 황산, 과산화수소 및 증류수가 혼합된 용액을 이용하여 InGaAs층을 에칭하는 단계와;

(2) 염산계 용액을 이용하여 전류차단층인 InP층을 에칭하는 단계와;

(3) PECVD를 이용하여 질화박막(SiNx)을 증착하는 단계와;

(4) 포토리소그라피 공정으로 전극을 형성하기 위해 전극형성용 윈도우를 열고, 웨이퍼의 표면에 P형 전극을 형성하는 단계와;

(5) 웨이퍼의 뒷면을 연마한 후 뒷면에 N형 전극을 형성하는 단계와;

(6) 전극의 형성이 완료되면 브레이커(breaker)를 이용하여 일정한 크기로 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드칩의 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP00989430 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP00989430 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01788416 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP01788416 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 JP12106468 JP 일본 FAMILY
6 KR100276586 KR 대한민국 FAMILY
7 US06300151 US 미국 FAMILY
8 US06454468 US 미국 FAMILY
9 US20020039805 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2000106468 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2002039805 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US6300151 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US6454468 US 미국 DOCDBFAMILY
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