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혼합가스를 이용한 INP 박막의 식각 방법

  • 기술번호 : KST2014003216
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광소자의 재료료 사용되는 InP 박막의 식각 방법에 관한 것으로, 특히 혼합가스를 이용한 InP 박막의 식각을 용이하게 하기 위하여 가스 주입구(1)를 통해 주입된 혼합가스는 접지전극에서 방출된 전자와의 충돌에 의해 이온의 형태로 여기되고, 이 여기된 이온들은 프라즈마 내부에서 확산운동을 하다가 강한 전기장이 걸리는 프라즈마와 여기전극 사이의 쉬스층에서 빠르게 여기전극 쪽으로 운동하며, 이때 이온들은 여기전극상의 InP 시료들과 반응하여 기체를 형성하며, 상기 기체를 진공펌프를 통해 배출시킴으로써 식각공정을 수행하는데 있어서, 상기 혼합가스는 CH4/He, CH4/Ar, CH4/N2 인 것을 특징으로 하는 혼합가스를 이용한 InP 박막의 식각 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 21/30621(2013.01)
출원번호/일자 1019980061633 (1998.12.30)
출원인 주식회사 엘에스
등록번호/일자 10-0274912-0000 (2000.09.18)
공개번호/일자 10-2000-0045105 (2000.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.12.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘에스 대한민국 서울특별시 용산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤의식 대한민국 경기도 군포시
2 전홍준 대한민국 경기도 군포시
3 고한준 대한민국 서울특별시 마포구
4 최민호 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황의만 대한민국 서울특별시 강남구 개포로**길 *-*, 만성빌딩 (개포동)(만성국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘에스전선 주식회사 경기 안양시 동안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0467891-37
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0467892-83
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0467893-28
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.12.09 수리 (Accepted) 4-1-1999-0149646-70
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2000-0004537-28
6 등록사정서
Decision to grant		 2000.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0204999-32
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.05.26 수리 (Accepted) 4-1-2001-0064118-31
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.05.07 수리 (Accepted) 4-1-2003-0026705-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.24 수리 (Accepted) 4-1-2005-5028369-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2008-5108352-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.16 수리 (Accepted) 4-1-2017-5040920-83
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2018-5267671-55
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

가스 주입구(1)를 통해 주입된 혼합가스는 접지전극(2)에서 방출된 전자와의 충돌에 의해 이온의 형태로 여기되고, 이 여기된 이온들은 프라즈마(3) 내부에서 확산운동을 하다가 강한 전기장이 걸리는 프라즈마와 여기전극 사이의 쉬스층(10)에서 빠르게 여기전극(4) 쪽으로 운동하며, 이때 이온들은 여기전극(4) 상의 InP 시료(9)들과 반응하여 기체를 형성하며, 상기 기체를 진공펌프를 통해 배출시킴으로써 식각공정을 수행하는데 있어서,

상기 혼합가스는 CH4/He인 것을 특징으로 하는 혼합가스를 이용한 InP 박막의 식각 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 혼합가스는 CH4/Ar 인 것을 특징으로 하는 혼합가스를 이용한 InP 박막의 식각 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 혼합가스는 CH4/N2 인 것을 특징으로 하는 혼합가스를 이용한 InP 박막의 식각 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.