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자외선 리가기술을 이용한 광스위치 제조방법

  • 기술번호 : KST2014003609
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자외선 리가기술을 이용한 광스위치 제조방법으로서 폴리머를 감광제로 이용하여 제작되는 광스위치 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 자외선 리가(UV LIGA) 기술을 이용한 광스위치 제조방법에 있어서, 반도체 기판 상에 소정 두께의 산화막을 형성하는 단계와; 상기 산화막 상에 감광제인 폴리머(PMER)를 이용하여 폴리머 후막을 형성하는 단계와; 소프트 베이킹(soft bake) 현상에 의해 상기 폴리머 후막에 존재하는 용제를 제거하는 단계와; 노광 공정을 실시하여 상기 폴리머 후막을 구성하는 재질의 내부 결합이 형성되도록 초기화하는 단계와; 포스트 베이킹(post bake) 현상에 의해 상기 초기화된 폴리머 후막의 재질의 내부 결합을 가속화시키는 단계와; 상기 폴리머 후박의 특정 영역을 소정의 두께로 패터닝이 되도록 현상하는 단계와; 상기 폴리머 후막 상의 패터닝 영역에 전해도금물질을 증착하는 단계와; 상기 전해도금물질을 증착한 후, 남아있는 감광제를 상용제거제를 이용하여 식각하는 단계를 포함하는 자외선 리가기술을 이용한 광스위치 제조방법을 제시한다. 광스위치, 자외선 리가, 감광제, SU-8, 폴리머, 소프트 베이킹
Int. CL G02B 26/00 (2006.01)
CPC G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01)
출원번호/일자 1020010066260 (2001.10.26)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0402990-0000 (2003.10.13)
공개번호/일자 10-2003-0034608 (2003.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20031023) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.10.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문성욱 대한민국 경기도 남양주시
2 채경수 대한민국 서울특별시 은평구
3 김종용 대한민국 경기도 용인시
4 강호관 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2001-0276036-10
2 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2001.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2001-0296981-99
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2002-5061211-91
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2003-0024184-93
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0234109-97
8 의견서
Written Opinion		 2003.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2003-0312087-31
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0312091-14
10 등록결정서
Decision to grant		 2003.10.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0398572-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

자외선 리가(UV LIGA) 기술을 이용한 광스위치 제조방법에 있어서,

반도체 기판 상에 소정 두께의 산화막을 형성하는 단계와;

상기 산화막 상에 감광제인 폴리머(PMER)를 이용하여 폴리머 후막을 형성하는 단계와;

소프트 베이킹(soft bake) 현상에 의해 상기 폴리머 후막에 존재하는 용제를 제거하는 단계와;

노광 공정을 실시하여 상기 폴리머 후막을 구성하는 재질의 내부 결합이 형성되도록 초기화하는 단계와;

포스트 베이킹(post bake) 현상에 의해 상기 초기화된 폴리머 후막의 재질의 내부 결합을 가속화시키는 단계와;

상기 폴리머 후박의 특정 영역을 소정의 두께로 패터닝이 되도록 현상하는 단계와;

상기 폴리머 후막 상의 패터닝 영역에 전해도금물질을 증착하는 단계와;

상기 전해도금물질을 증착한 후, 남아있는 감광제를 상용제거제를 이용하여 식각하는 단계를 포함하는 자외선 리가기술을 이용한 광스위치 제조방법

2 2

청구항 1에 있어서, 상기 소프트 베이킹 현상은 110℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 자외선 리가기술을 이용한 광스위치 제조방법

3 3

청구항 1에 있어서, 상기 포스트 베이킹 현상은 110℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 자외선 리가기술을 이용한 광스위치 제조방법

4 4

청구항 1에 있어서, 상기 폴리머 후막 상의 패터닝 영역에 사용되는 전해도금물질은 니켈인 것을 특징으로 하는 자외선 리가기술을 이용한 광스위치 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.