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3차원의 혼 안테나가 결합된 영상 감지소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014003611
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 원형 혼안테나가 결합된 영상 감지소자의 제조방법에 관한 것이다. 특히, 미소기전소자(MEMS)기술을 이용하여 3차원 수신 안테나와 감지 소자를 만들고 이들을 결합시킴으로써 감지 소자의 감지도를 향상시키도록 하는 영상 감지소자의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 반도체기판 상부에 희생산화막을 증착하는 단계와; 제 1식각마스크를 이용한 패터닝 공정을 진행하여 희생산화막의 패턴을 형성하는 단계와; 상기 결과물의 전표면에 제 1질화실리콘막을 증착하는 단계와; 제 2식각마스크를 이용한 패터닝 공정을 진행하여 제 1질화실리콘막의 패턴을 형성하는 단계와; 상기 결과물의 전표면에 산화바나듐막을 증착하는 단계와; 제 3식각마스크를 이용한 패터닝 공정을 진행하여 산화바나듐막의 패턴을 형성하는 단계와; 상기 결과물의 전표면에 도전막을 증착하는 단계와; 제 4식각마스크를 이용한 패터닝 공정을 진행하여 도전막의 패턴을 형성하는 단계와; 상기 결과물의 전표면에 제 2질화실콘리막을 증착하는 단계와; 제 5식각마스크를 이용한 패터닝 공정을 진행하여 제 2질화실리콘막의 패턴을 형성하는 단계와; 상기 결과물의 전표면에 제 3질화실콘콘막을 증착하는 단계와; 제 6식각마스크를 이용한 패터닝 공정을 진행하여 측벽 스페이스를 형성하는 단계와; 상기 결과물에서 희생산화막의 패턴을 제거한 다음 제 7식각마스크를 이용한 얼라인 공정을 진행하는 단계를 포함하는 3차원의 혼 안테나가 결합된 영상 감지소자의 제조방법이 제시된다.따라서, 본 발명에 따르면 우수한 지향성을 갖는 3차원 원형 혼 안테나를 감지 소자와 결합함으로써 감지 소자의 열적 고립을 만듦에 있어서 직선 형태의 구조를 가지는 것 보다 원형의 흡수층 구조에 맞추어 원형의 열적 고립 다리를 만들어 주는 것이 열 전도도를 낮추어서 감지도를 향상시킬 수 있다. 또한, 감지소자와 안테나와의 결합시 감지소자의 열적고립 구조 부분을 보호할 수 있으며, 안테나와의 접착 공간을 형성할 수 있다.원형 혼안테나, 영상감지소자, 열적고립구조, 웨이브가이드, 열시정수, 감지도, 흡수층
Int. CL H01L 27/146 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010028896 (2001.05.25)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0395244-0000 (2003.08.07)
공개번호/일자 10-2002-0090400 (2002.12.05) 문서열기
공고번호/일자 (20030821) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.05.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문성욱 대한민국 경기도 남양주시
2 김근태 대한민국 경기도 고양시 일산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2001-0122426-91
2 신규성(출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Certificate of Novelty(Special Provisions for Application)		 2001.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-5151666-49
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2001.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2001-0130647-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
5 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2002-5061204-71
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2003-0002278-71
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0028143-18
9 의견서
Written Opinion		 2003.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2003-0107057-18
10 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.03.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0107063-93
11 등록결정서
Decision to grant		 2003.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0302816-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

반도체기판 상부에 희생산화막을 증착하는 단계와;

제 1식각마스크를 이용한 패터닝 공정을 진행하여 희생산화막의 패턴을 형성하는 단계와;

상기 결과물의 전표면에 제 1질화실리콘막을 증착하는 단계와;

제 2식각마스크를 이용한 패터닝 공정을 진행하여 제 1질화실리콘막의 패턴을 형성하는 단계와;

상기 결과물의 전표면에 산화바나듐막을 증착하는 단계와;

제 3식각마스크를 이용한 패터닝 공정을 진행하여 산화바나듐막의 패턴을 형성하는 단계와;

상기 결과물의 전표면에 도전막을 증착하는 단계와;

제 4식각마스크를 이용한 패터닝 공정을 진행하여 도전막의 패턴을 형성하는 단계와;

상기 결과물의 전표면에 제 2질화실콘리막을 증착하는 단계와;

제 5식각마스크를 이용한 패터닝 공정을 진행하여 제 2질화실리콘막의 패턴을 형성하는 단계와;

상기 결과물의 전표면에 제 3질화실콘콘막을 증착하는 단계와;

제 6식각마스크를 이용한 패터닝 공정을 진행하여 측벽 스페이스를 형성하는 단계와;

상기 결과물에서 희생산화막의 패턴을 제거한 다음 제 7식각마스크를 이용한 얼라인 공정을 진행하는 단계를 포함하는 3차원의 혼 안테나가 결합된 영상 감지소자의 제조방법

2 2

청구항 1에 있어서, 상기 희생산화막은 2

3 3

청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 희생산화막의 패턴 크기는 감지소자의 열적고립 다리의 외부 지름과 동일한 크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원의 혼 안테나가 결합된 영상 감지소자의 제조방법

4 4

청구항 1에 있어서, 상기 산화바나듐막의 패턴 크기는 감지소자의 흡수층 지름과 동일한 크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원의 혼 안테나가 결합된 영상 감지소자의 제조방법

5 5

청구항 1에 있어서, 상기 도전막의 패턴은 감지소자의 흡수층에 해당하는 부위의 도전막이 식각되어 제거된 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 3차원의 혼 안테나가 결합된 영상 감지소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.