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가스 클러스터 이온 가속기를 이용한 나노 구조물 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014003632
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스 클러스터 이온 가속기를 이용한 나노 구조물 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 가스 클러스터 이온 가속기를 이용하여 기판에 나노 구조물을 마스크 없이 형성할 수 있는 가스 클러스터 이온 가속기를 이용한 나노 구조물 형성 방법에 관한 것이다.본 발명은 클러스터 생성부를 통하여 소스 가스를 클러스터 상태로 변환한 후에 상기 이온화부를 통하여 이온화시켜서 이온 클러스터를 생성하는 단계; 상기 렌즈부를 통하여 상기 이온 클러스터를 포커싱한 후에 상기 가속부를 통하여 가속시키는 단계; 가속된 이온 클러스터를 상기 주사부를 통하여 미리 정해진 위치의 기판에 주사하여 수 nm∼수십 nm 크기의 힐록(Hillock)을 형성하는 단계를 포함하여, 나노 구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 클러스터 이온 가속기를 이용한 나노 구조물 형성 방법을 제공한다.가스 클러스터, 노즐, 리플렉트론, 가속기, 이온
Int. CL H01J 37/30 (2011.01)
CPC H01J 37/317(2013.01) H01J 37/317(2013.01) H01J 37/317(2013.01)
출원번호/일자 1020010003412 (2001.01.20)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0402200-0000 (2003.10.06)
공개번호/일자 10-2002-0062420 (2002.07.26) 문서열기
공고번호/일자 (20031017) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.01.20)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원국 대한민국 서울특별시양천구
2 정형진 대한민국 서울특별시강남구
3 송종한 대한민국 서울특별시서초구
4 송재훈 대한민국 대구광역시남구
5 권순남 대한민국 서울특별시강서구
6 황정남 대한민국 서울특별시은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재화 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 덕천빌딩 *층 이재화특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2001-0014615-68
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2002-0022234-07
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0426082-11
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2003-0033577-80
7 의견서
Written Opinion		 2003.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2003-0072029-30
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.02.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0072028-95
9 등록결정서
Decision to grant		 2003.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0258723-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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고압의 소스 가스를 공급받아 클러스터 상태로 변환하여 토출시켜 주는 클러스터 생성부와, 상기 클러스터 생성부를 통과한 클러스터를 이온화시켜 주는 이온화부와, 상기 이온화부에 의하여 이온화된 클러스터의 포커스를 조절하는 렌즈부와, 상기 렌즈부를 통과한 이온화된 클러스터의 크기를 측정하는 클러스터 측정부와, 상기 이온화된 클러스터를 가속시켜 주는 가속부와, 상기 가속부에 의하여 가속된 이온화된 클러스터를 타겟에 주사시켜 주는 주사부로 구성된 가스 클러스터 이온 가속기를 이용한 나노 구조물 형성 방법에 있어서,

상기 클러스터 생성부를 통하여 소스 가스를 클러스터 상태로 변환한 후에 상기 이온화부를 통하여 이온화시켜서 이온 클러스터를 생성하는 단계;

상기 렌즈부를 통하여 상기 이온 클러스터를 포커싱한 후에 상기 가속부를 통하여 가속시키는 단계;

가속된 이온 클러스터를 상기 주사부를 통하여 미리 정해진 위치의 기판에 주사하여 수 nm∼수십 nm 크기의 힐록(Hillock)을 형성하는 단계를 포함하여, 나노 구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 클러스터 이온 가속기를 이용한 나노 구조물 형성 방법

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