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응력을 받은 실리콘에서 인듐의 확산에 관한 모델링 방법

  • 기술번호 : KST2014003668
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 극미세 불순물 접합 형성을 이룬 반도체 소자 제작을 위한 설계 입력 변수 추출을 위한 모델링에 관한 것으로, p형 반도체의 차세대 불순물인 인듐과 미세 불순물 접합 형성의 대세로 여겨지는 응력을 받은 실리콘 구조를 접목한 모델링 기법이다. 기존의 p형 반도체의 불순물로 널리 사용되던 보론 불순물은 소자의 집적화 및 소형화 설계를 위해 나노미터 단위의 공정에서는 더 이상 그 확산을 억제할 수 없어 많은 새로운 구조 및 대체물질이 필요하게 되었다. 이에 보론과 유사한 특성을 지녔고, 그보다 무거운 원자 무게로 인하여 불순물의 확산을 억제할 수 있는 인듐이 각광받고 있다. 더불어, 소자에 물리적 또는 화학적으로 스트레스를 인가하여 소자의 구조를 약간 변형시킴으로써 소자 동작 특성을 상향시키고, 불순물의 확산을 저지할 수 있는 응력을 받은 실리콘 구조 역시 차세대 소자를 특성 구현을 가능케하는 기술로 각광받고 있다. 본 발명은 이 두 가지 기술을 접목하여 응력을 받는 실리콘 구조를 형성하고 그 속에서 인듐 불순물의 확산 변수를 추출함으로써 차세대 소자 설계를 위한 입력 변수를 제공한다. 응력을 받은 실리콘, 인듐, 모델링, 확산.
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01L 21/22 (2011.01)
CPC H01L 21/22(2013.01) H01L 21/22(2013.01) H01L 21/22(2013.01)
출원번호/일자 1020070131883 (2007.12.17)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0064620 (2009.06.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 원태영 대한민국 경기도 화성시
2 김영규 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0903301-63
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-5001065-43
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2008-0003929-31
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2008-5093865-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
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번호 청구항
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응력을 받은 실리콘 구조에서 인듐 불순물의 확산에 관한 소자 설계 및 제작 입력 변수를 추출하는데 있어 (a) 제1원리 계산 기법을 적용하여 인듐 불순물의 확산 경로를 예측하는 기법; (b) 제1원리 계산 기법을 적용하여 인듐 불순물의 확산 장벽 에너지를 예측하는 기법; 및 (c) 구조에 인가된 응력에 따라 인듐 불순물의 확산 장벽 에너지를 예측하는 기법 을 포함하는 모델링 방법
지정국 정보가 없습니다
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