기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

기억 장치, 그 동작 방법 및 그 형성 방법

기술번호 : KST2014003672
담당센터 : 인천기술혁신센터
전화번호 : 032-420-3580

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 복수의 자구들 및 적어도 하나의 자벽을 포함하는 정보저장패턴, 및 정보저장패턴에 구동 자속밀도를 생성하는 적어도 하나의 구동 패턴을 포함하되, 구동 자속밀도 및 정보저장패턴에 흐르는 패턴 전류에 의하여 정보저장패턴의 자벽이 이동한다. 자속밀도 인가, 자벽이동, 자벽, 자구, 비휘발성 이동성 정보 저장 장치
Int. CL	G11B 5/00 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01) G11B 5/02 (2006.01)
CPC	G11C 11/14(2013.01) G11C 11/14(2013.01) G11C 11/14(2013.01)
출원번호/일자	1020070136547 (2007.12.24)
출원인	인하대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-0910369-0000 (2009.07.27)
공개번호/일자	10-2009-0068788 (2009.06.29) 문서열기
공고번호/일자	(20090804) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2007.12.24)
심사청구항수	23

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	인하대학교 산학협력단	대한민국	인천광역시 미추홀구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	유천열	대한민국	인천 연수구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김종일	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 -(역삼동, IT빌딩 층)(특허법인 누리)
2	이평우	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 -(역삼동, IT빌딩 층)(특허법인 누리)
3	김재구	대한민국	서울특별시 강서구 마곡중앙로 -, **호 (마곡동, 에이스타워)(상지국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	인하대학교 산학협력단	대한민국	인천광역시 남구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2007.12.24	수리 (Accepted)	1-1-2007-0926730-19
2	보정요구서 Request for Amendment	2008.01.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2008-0002871-59
3	안내문(직권수리) Notification(Ex officio Acceptance)	2008.01.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2008-0005486-09
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.03.07	수리 (Accepted)	4-1-2008-0003929-31
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2008-5093865-89
6	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2008.09.08	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
7	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2008.10.13	수리 (Accepted)	9-1-2008-0064144-87
8	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2009.01.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0041374-15
9	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2009.02.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2009-0123136-10
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2009.02.27	수리 (Accepted)	1-1-2009-0124775-43
11	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2009.07.14	수리 (Accepted)	1-1-2009-0425857-15
12	등록결정서 Decision to grant	2009.07.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0307377-13
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.17	수리 (Accepted)	4-1-2009-5220324-82
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.07.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5098802-16
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.09.05	수리 (Accepted)	4-1-2016-5127132-49
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.03.02	수리 (Accepted)	4-1-2018-5036549-31
17	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266647-91

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 복수의 자구들 및 적어도 하나의 자벽을 포함하는 정보저장패턴; 및 상기 정보저장패턴에 구동 자속밀도를 생성하는 적어도 하나의 구동 패턴을 포함하되, 상기 구동 자속밀도 및 상기 정보저장패턴에 흐르는 패턴 전류에 의하여 상기 정보저장패턴의 자벽이 이동하는 것을 특징으로 하는 기억 장치
2	2 제 1항에 있어서, 상기 구동 자속밀도와 상기 패턴 전류는 동시에 인가하는 방법 또는 다른 시간에 인가하는 방법 중에서 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치
3	3 제 2항에 있어서, 상기 패턴 전류 및 상기 구동 자속밀도 중에서 적어도 하나는 상기 정보저장패턴의 상기 자벽을 디피닝시키는 것을 특징으로 하는 기억 장치
4	4 제 1항에 있어서, 상기 정보저장패턴에 상기 패턴 전류를 인가하는 패턴 전류 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치,
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 구동 자속밀도는 상기 정보저장패턴의 진행 방향에서의 위치변화에 따라 다른 세기를 가지는 것을 특징으로 하는 기억 장치
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴에 포함된 자벽들은 같은 자화 방향을 갖는 것을 특징으로 하는 기억 장치
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴의 상기 자벽들의 자화방향을 같은 방향으로 정렬하는 자벽 정렬 구조체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 구동 자속밀도는 상기 정보저장패턴의 진행 방향을 따라 주기적인 공간 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 기억 장치
9	9 제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴의 주위에 배치되어, 상기 자구의 자화 방향을 변경시키는 쓰기 구조체를 더 포함하는 기억 장치
10	10 제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴의 주위에 배치되어, 상기 자구의 자화 방향을 판독하는 재생 구조체를 더 포함하는 기억 장치
11	11 제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴은 강자성체(ferromagnetic material), 강자성체 합금(ferromagnetic material alloy), 및 페리자성체(ferri-magnetic material) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치
12	12 제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴은 상기 자벽의 피닝을 위한 피닝 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 기억 장치
13	13 제 12 항에 있어서, 상기 정보저장패턴의 상기 피닝 영역은 상기 피닝 영역에 인접한 영역과 다른 너비, 두께, 물질 조성, 및 곡률 중에서 적어도 하나에서 다른 것을 특징으로 하는 기억 장치
14	14 제 13 항에 있어서, 상기 정보저장패턴 주위에 배치되는 피닝 구조체를 더 포함하되, 상기 피닝 구조체는 상기 피닝 영역의 주위에 다층 박막, 스프링 마그네트 (spring magnet), 반강자성체, 및 연자성체 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치
15	15 제 1 항에 있어서, 상기 구동 패턴의 주위에 배치되어 상기 구동 패턴에 의하여 형성된 자속밀도를 차폐시키는 차폐구조체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치
16	16 제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴 및 상기 구동 패턴 사이에 배치되어, 상기 구동패턴에 의해 생성되는 자속밀도의 공간적 분포를 변화시키는 연자성체 패턴을 더 포함하되, 상기 연자성체 패턴은 상기 구동 자속밀도를 상기 정보저장패턴의 진행 방향에서의 위치 변화에 따라 다른 세기를 갖도록 만드는 것을 특징으로 하는 기억 장치
17	17 복수의 자구들 및 적어도 하나의 자벽을 포함하는 정보저장패턴, 및 상기 정보저장패턴에 구동 자속밀도를 생성하는 적어도 하나의 구동 패턴을 포함하되, 상기 구동 자속밀도 및 상기 정보저장패턴에 흐르는 패턴 전류에 의하여 상기 정보저장패턴의 자벽이 이동하는 기억 장치에 있어서, 상기 구동 자속밀도 및 상기 패턴 전류를 인가하여 상기 자벽을 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치의 동작 방법
18	18 제 17 항에 있어서, 상기 자벽을 이동시키는 단계는 상기 구동 자속밀도 및 상기 패턴 전류 중에서 적어도 하나를 인가하여 상기 자벽을 디피닝시키는 단계; 및 상기 구동 자속밀도 및 상기 패턴 전류 중에서 적어도 하나를 인가하여 상기 디피닝된 자벽을 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치의 동작 방법
19	19 제 17 항에 있어서, 상기 자벽을 정렬하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치의 동작 방법
20	20 제 17 항에 있어서, 상기 자벽을 이동시키는 단계는 상기 구동 자속밀도 및 상기 패턴 전류을 동시에 인가하는 방법 또는 다른 시간에 인가하는 방법 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치의 동작 방법
21	21 제 17 항에 있어서, 상기 자구에 정보를 기록하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치의 동작 방법
22	22 제 17 항에 있어서, 상기 자구에 정보를 읽는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치의 동작 방법
23	23 기판 상에 복수의 자구들 및 적어도 하나의 자벽을 포함하는 정보저장패턴을 형성하는 단계; 및 상기 정보 저장 패턴 주위에 구동 자속밀도를 생성하는 적어도 하나의 구동 패턴을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 구동 자속밀도 및 상기 정보 저장 패턴에 흐르는 패턴 전류에 의하여 상기 정보저장패턴의 자벽이 이동하는 것을 특징으로 하는 기억 장치의 형성 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0910369-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20071224 출원 번호 : 1020070136547 공고 연월일 : 20090804 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20090724 청구범위의 항수 : 23 유별 : G11B 5/00 발명의 명칭 : 기억 장치, 그 동작 방법 및 그 형성 방법 존속기간(예정)만료일 : 20150728

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 인하대학교 산학협력단 인천광역시 남구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	471,000 원	2009년 07월 27일	납입
제 4 년분	금 액	546,000 원	2012년 07월 25일	납입
제 5 년분	금 액	546,000 원	2013년 05월 27일	납입
제 6 년분	금 액	382,200 원	2014년 06월 12일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2007.12.24	수리 (Accepted)	1-1-2007-0926730-19
2	보정요구서	2008.01.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2008-0002871-59
3	안내문(직권수리)	2008.01.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2008-0005486-09
4	출원인정보변경(경정)신고서	2008.03.07	수리 (Accepted)	4-1-2008-0003929-31
5	출원인정보변경(경정)신고서	2008.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2008-5093865-89
6	선행기술조사의뢰서	2008.09.08	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
7	선행기술조사보고서	2008.10.13	수리 (Accepted)	9-1-2008-0064144-87
8	의견제출통지서	2009.01.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0041374-15
9	[명세서등 보정]보정서	2009.02.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2009-0123136-10
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2009.02.27	수리 (Accepted)	1-1-2009-0124775-43
11	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2009.07.14	수리 (Accepted)	1-1-2009-0425857-15
12	등록결정서	2009.07.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0307377-13
13	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.17	수리 (Accepted)	4-1-2009-5220324-82
14	출원인정보변경(경정)신고서	2015.07.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5098802-16
15	출원인정보변경(경정)신고서	2016.09.05	수리 (Accepted)	4-1-2016-5127132-49
16	출원인정보변경(경정)신고서	2018.03.02	수리 (Accepted)	4-1-2018-5036549-31
17	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266647-91


기술번호	KST2014003672
자료제공기관	NTB
기술공급기관	인하대학교
기술명	기억 장치, 그 동작 방법 및 그 형성 방법
기술개요	본 발명은 복수의 자구들 및 적어도 하나의 자벽을 포함하는 정보저장패턴, 및 정보저장패턴에 구동 자속밀도를 생성하는 적어도 하나의 구동 패턴을 포함하되, 구동 자속밀도 및 정보저장패턴에 흐르는 패턴 전류에 의하여 정보저장패턴의 자벽이 이동한다. 자속밀도 인가, 자벽이동, 자벽, 자구, 비휘발성 이동성 정보 저장 장치
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	자벽이동 기억장치
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1345095837
세부과제번호	핵06A2809
연구과제명	정보기술양자물질연구사업팀
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	인하대학교
성과제출연도	2009
연구기간	200603~201302
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020070136547]	기억 장치, 그 동작 방법 및 그 형성 방법	새창보기
[1020070080032]	자속밀도인가 자벽이동 기억 장치, 그 동작 방법 및 그형성 방법	새창보기
[1020070048258]	인위적 반강자성 또는 인위적 준반강자성을 갖는 자벽이동메모리 장치 및 그 형성 방법	새창보기
[1020070047439]	요크 패턴을 갖는 자벽이동 메모리 장치 및 메모리 장치의형성 방법	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2014003673][인하대학교]	자속밀도인가 자벽이동 기억 장치, 그 동작 방법 및 그형성 방법	새창보기
[KST2014014204][인하대학교]	자벽이동 기억 장치 및 그 동작 방법	새창보기
[KST2015157955][인하대학교]	자기터널접합 적층 박막에 대한 건식 식각 방법	새창보기
[KST2015158471][인하대학교]	자기터널접합 구조용 건식 식각 방법 및 이를 위한 기화장치	새창보기
[KST2015157415][인하대학교]	인위적 반강자성 또는 인위적 준반강자성을 갖는 자벽이동메모리 장치 및 그 형성 방법	새창보기
[KST2015158706][인하대학교]	자기터널접합 구조에 대한 건식 식각 방법	새창보기
[KST2014014226][인하대학교]	자기 소자, 초고주파 발진기, 및 정보 기록 방법	새창보기
[KST2015157407][인하대학교]	요크 패턴을 갖는 자벽이동 메모리 장치 및 메모리 장치의형성 방법	새창보기
[KST2015158223][인하대학교]	스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015157700][인하대학교]	MgO 박막의 건식 식각 방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.