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자속밀도인가 자벽이동 기억 장치, 그 동작 방법 및 그형성 방법

  • 기술번호 : KST2014003673
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자속밀도인가 자벽이동 기억 장치, 그 동작 방법 및 그 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 기억 장치는 복수의 자구들 및 적어도 하나의 자벽을 포함하는 정보저장패턴, 및 정보저장패턴에 구동 자속밀도를 생성하는 적어도 하나의 구동 패턴을 포함하되, 구동 자속밀도에 의하여 정보저장패턴의 자벽이 이동한다. 자속밀도 인가, 자벽이동, 자벽, 자구, 비휘발성 이동성 정보 저장 장치
Int. CL G11B 5/00 (2006.01) G11B 9/00 (2006.01) G11B 5/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070080032 (2007.08.09)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0900960-0000 (2009.05.28)
공개번호/일자 10-2009-0015593 (2009.02.12) 문서열기
공고번호/일자 (20090608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.09)
심사청구항수 28

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유천열 대한민국 인천 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0578127-89
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2008-0003929-31
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0029451-23
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2008-5093865-89
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0505441-03
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0806639-15
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0806640-62
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0180017-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 자구들 및 적어도 하나의 자벽을 포함하는 정보저장패턴; 및 상기 정보저장패턴에 구동 자속밀도를 생성하는 적어도 하나의 구동 패턴을 포함하되, 상기 구동 자속밀도에 의하여 상기 정보저장패턴의 자벽이 이동하는 것을 특징으로 하는 기억 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 구동 자속밀도는 상기 정보저장패턴의 진행 방향에서의 위치변화에 따라 다른 세기를 가지는 것을 특징으로 하는 기억 장치
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴에 포함된 자벽들은 같은 자화 방향을 갖는 것을 특징으로 하는 기억 장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴의 상기 자벽들의 자화방향을 같은 방향으로 정렬하는 자벽 정렬 구조체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 구동 자속밀도는 상기 정보저장패턴의 진행 방향을 따라 주기적인 공간 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 기억 장치
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 자벽의 자화 방향과 상기 자구의 자화 방향은 서로 수직한 것을 특징으로 하는 기억 장치
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 자구들의 자화방향은 상기 정보저장패턴의 진행 방향과 평행 또는 반평행 한 것을 특징으로 하는 기억 장치
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴의 주위에 배치되어, 상기 자구의 자화 방향을 변경시키는 쓰기 구조체를 더 포함하는 기억 장치
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 쓰기 구조체는 상기 정보저장패턴의 진행 방향과 평행 또는 반평행 방향으로 자구들을 자화시키는 것을 특징으로 하는 기억 장치
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴의 주위에 배치되어, 상기 자구의 자화 방향을 판독하는 재생 구조체를 더 포함하는 기억 장치
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴은 그 진행 방향을 따라 배열되는 복수개의 단위영역들을 구비하고, 상기 단위영역들 각각은 하나의 단위 자구, 또는 하나의 단위 자구 및 상기 단위 자구에 인접한 하나의 자벽을 포함하되, 상기 구동 자속밀도는 상기 정보저장패턴의 진행 방향을 따라 상기 단위 영역의 길이 또는 그 길이의 정수배를 공간적 주기로 갖는 주기적인 공간 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 기억 장치
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 단위 영역에 대응되는 복수의 상기 구동 패턴을 포함하되, 상기 구동 패턴은 상기 단위 영역들 각각에 대응되도록 배치되되, 상기 단위 영역들 각각에 대응되는 상기 구동 패턴들은 서로 동일한 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 기억 장치
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 구동 자속밀도는 상기 구동 자속 밀도의 크기의 최대값을 가지는 점 또는 상기 구동 자속밀도의 그래디언트의 부호가 바뀌는 점을 적어도 하나 가지는 것을 특징으로 하는 기억 장치
14 14
제 1 항에 있어서, 상기 구동 자속밀도의 크기는 상기 자구의 자화 방향의 변경을 위해 요구되는 최대 세기 미만이고, 상기 자벽을 이동시키기 위한 최소 세기 이상인 것을 특징으로 하는 기억 장치
15 15
제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴은 강자성체(ferromagnetic material), 강자성체 합금(ferromagnetic material alloy), 및 페리자성체(ferri-magnetic material) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 정보저장패턴은 비자성체 및 반강자성체 중에서 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치
17 17
제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴은 스트립라인(strip line) 형태, 개방 루프(open loop) 형태 및 굴곡진(serpentine) 형태 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치
18 18
제 1 항에 있어서, 상기 구동 패턴은 상기 정보저장패턴의 진행 방향과 소정의 각도를 가지고 가로지르는 것을 특징으로 하는 기억 장치
19 19
제 1 항에 있어서, 상기 구동 패턴은 비균일한 공간적 분포를 갖도록, 비균일한 너비를 갖는 것을 특징으로 하는 기억 장치
20 20
제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴의 진행 방향을 따라 주기적인 자속밀도를 인가하도록 상기 구동 패턴은 상기 정보저장패턴의 진행 방향을 따라 진행하되, 상기 구동 패턴은 주기적인 자속밀도를 인가하도록 구동 패턴의 너비 및 두께 중에서 적어도 하나가 주기적으로 변하는 것을 특징으로 하는 기억 장치
21 21
제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴은 상기 자벽의 피닝을 위한 피닝 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 기억 장치
22 22
제 21 항에 있어서, 상기 정보저장패턴의 상기 피닝 영역은 상기 피닝 영역에 인접한 영역과 다른 너비, 두께, 물질 조성, 곡률, 및 물리적 특성 중에서 적어도 하나에서 다른 것을 특징으로 하는 기억 장치
23 23
제 21 항에 있어서, 상기 정보저장패턴 주위에 배치되는 피닝 구조체를 더 포함하되, 상기 피닝 구조체는 상기 피닝 영역의 주위에 다층 박막, 스프링 마그네트 (spring magnet), 반강자성체, 및 연자성체 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치
24 24
제 1 항에 있어서, 상기 구동 패턴의 주위에 배치되어 상기 구동 패턴에 의하여 형성된 자속밀도를 차폐시키는 차폐구조체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 장치
25 25
제 1 항에 있어서, 상기 정보저장패턴 및 상기 구동 패턴 사이에 배치되어, 상기 구동패턴에 의해 생성되는 자속밀도의 공간적 분포를 변화시키는 연자성체 패턴을 더 포함하되, 상기 연자성체 패턴은 상기 구동 자속밀도를 상기 정보저장패턴의 진행 방향에서의 위치 변화에 따라 다른 세기를 갖도록 만드는 것을 특징으로 하는 기억 장치
26 26
기억 장치의 동작 방법에 있어서, 복수의 자구들 및 적어도 하나의 자벽을 포함하는 정보저장패턴을 제공하는 단계; 및 상기 정보저장패턴에 구동 자속밀도를 생성하는 적어도 하나의 구동 패턴을 제공하는 단계를 포함하되, 상기 구동 자속밀도에 의하여 상기 정보저장패턴의 자벽이 이동하고, 상기 구동 패턴에 흐르는 전류는 시간에 따라 변하는 것을 특징으로 하는 기억 장치의 동작 방법
27 27
기억 장치의 동작 방법에 있어서, 복수의 자구들 및 적어도 하나의 자벽을 포함하는 정보저장패턴을 제공하는 단계; 및 상기 정보저장패턴에 구동 자속밀도를 생성하는 적어도 하나의 구동 패턴을 제공하는 단계를 포함하되, 상기 구동 자속밀도에 의하여 상기 정보저장패턴의 자벽이 이동하고, 상기 구동 패턴에 흐르는 전류는 펄스로 인가되는 것을 특징으로 하는 기억 장치의 동작 방법
28 28
기판 상에 복수의 자구들 및 적어도 하나의 자벽을 포함하는 정보저장패턴을 형성하는 단계; 및 상기 정보 저장 패턴 주위에, 상기 정보저장패턴에 구동 자속밀도를 생성하는 적어도 하나의 구동 패턴을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 구동 자속밀도에 의하여 상기 정보저장패턴의 자벽이 이동하는 것을 특징으로 하는 기억 장치의 형성 방법
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