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기판 상에 클래딩층, 활성층과 전극들을 구비하고 링 형태의 도파로 구조로 제작되어 레이저 광을 방출하는 링형 레이저 다이오드에 있어서, 상기 도파로 구조의 일부분 상부 또는 하부에 그레이팅부를 포함하고,상기 레이저 광은 상기 링 형태의 도파로 구조를 회전하되, 상기 그레이팅부를 통해서 상기 기판의 상부 혹은 하부로 상기 레이저 광을 방출하는 링형 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 링형 레이저 다이오드는 리지(ridge)구조 또는 매립이종구조(buried heterostructure)인 링형 레이저 다이오드
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제2 항에 있어서, 상기 리지형 구조는 하부 클래딩층, 활성층, 상부 클래딩층을 구비하고, 상기 상부 클래딩층의 일부를 패터닝하여 도파로가 구성되는 링형 레이저 다이오드
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제2 항에 있어서, 상기 매립형 이종구조는 하부 클래딩층, 활성층, 상부 클래딩층을 구비하고, 상기 상부클래딩층과 활성층을 패터닝하여 도파로를 구성되는 링형 레이저 다이오드
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제1 항에 있어서, 상기 그래이팅부는 상기 상부 클래딩층 또는 하부 클래딩층의 내부 또는 표면에 형성가능한 링형 레이저 다이오드
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제5 항에 있어서, 상기 그래이팅부가 상기 클래딩층 내부에 형성이 되는 경우, 서로 다른 조성의 반도체 물질을 빛의 진행방향에 대해 주기적으로 배열하여 형성하는 링형 레이저 다이오드
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제5 항에 있어서, 상기 그래이팅부가 상기 클래딩층 내부에 형성이 되는 경우, SiO2 층을 표면에 증착한 후 주기적으로 식각하여 형성하는 링형 레이저 다이오드
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제1 항에 있어서, 상기 전극들 중 상부 전극은 투명전극을 사용하여 적어도 상기 그레이팅부의 상부로 방출되는 레이저 광을 가리지 않는 구조를 갖는 링형 레이저 다이오드
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제1 항에 있어서, 상기 전극들 중 상부 전극은 불투명전극을 전체 도파로 위에 형성하여 제작되는 링형 레이저 다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 그레이팅부 상부 또는 하부의 활성층은 그 이외 영역의 활성층에 비해 밴드갭 에너지가 다른 것을 특징으로 하는 링형 레이저 다이오드
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