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마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2014003792
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상부에 N형-반도체층, 활성층 및 P형-반도체층이 순차적으로 적층되고, 상기 P형-반도체층으로부터 상기 N형-반도체층 일부까지 제거되어 N형-반도체층의 일부가 노출되어 있으며, 상기 노출된 N형-반도체층의 상부에 N형 전극 패드가 형성되어 있고, P형-반도체층의 상부에 투명 전도 막(TCL; Transparent Conducting layer)이 형성되며, 상기 P형-반도체층의 상부에 P형 전극 패드가 형성되어 있고, 상기 투명 전도 막 상부에 자외선 경화 수지인 접착제로 제작된 마이크로 렌즈들이 배열(array) 되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드를 제공한다.본 발명의 마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드는 저항의 열화 없이 마이크로 렌즈가 집적되지 않은 발광 다이오드를 기준으로 직경이 10 ㎛인 마이크로 렌즈가 집적된 발광 다이오드의 경우 1.24배, 20 ㎛ 마이크로 렌즈가 집적된 발광 다이오드의 경우 1.17배의 외부 추출 효율을 증가시킬 수 있다.발광 다이오드(LED), 마이크로 렌즈(microlens), 질화물 반도체(GaN), 외부추출효율(extraction efficiency)
Int. CL H01L 33/02 (2014.01) H01L 33/58 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020070026858 (2007.03.19)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0886359-0000 (2009.02.24)
공개번호/일자 10-2008-0085401 (2008.09.24) 문서열기
공고번호/일자 (20090303) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.19)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박시현 대한민국 광주광역시 동구
2 손수광 대한민국 광주광역시 북구
3 이준기 대한민국 광주광역시 북구
4 김진혁 대한민국 광주광역시 북구
5 문종하 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주) 디스플레이이엔지 충청남도 아산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0219174-49
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0034278-31
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.03.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0209440-45
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0209429-42
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0386755-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.09.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0664066-77
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0663968-66
8 등록결정서
Decision to grant
2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0603049-84
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 버퍼층(buffer layer), 불순물이 첨가되지 않은 반도체층, N형-반도체층, 활성층 및 P형-반도체층이 순차적으로 적층되고, 상기 P형-반도체층으로부터 상기 N형-반도체층 일부까지 제거되어 N형-반도체층의 일부가 노출되어 있으며, 상기 노출된 N형-반도체층의 상부에 N형 전극 패드가 형성되어 있고, P형-반도체층의 상부에 투명 전도 막(TCL; Transparent Conducting layer)이 형성되며, 상기 투명 전도 막 상부에 P형 전극 패드가 형성되어 있고,상기 투명 전도 막 상부에 아크릴레이트(acrylate) 중합체 또는 공중합체인 자외선 경화 수지의 도포; 마스크를 이용하여 도포된 자외선 경화 수지에 자외선을 조사하는 노광; 상기 노광 후, 자외선에 의해 경화되지 않은 자외선 경화 수지를 제거하는 현상; 상기 현상 후 상기 기판 상에 현상에 의해 제거되지 않은 자외선 경화 수지를 자외선 경화 수지의 유리전이온도 이상 분해 온도 미만의 온도에서 열처리;하여, 상기 P형 전극 패드가 형성되어 있지 않은 상기 투명 전도 막 상부에 마이크로 렌즈 형상의 자외선 경화 수지가 배열(array)되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 투명 전도 막은 광 투과성 금속막 또는 인듐 틴 산화물(ITO; Indium Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드
4 4
제 1항에 있어서,상기 버퍼층, 상기 불순물이 첨가되지 않은 반도체층, 상기 N형-반도체층 또는 P형-반도체층은 GaN인 것을 특징으로 하는 마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드
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삭제
6 6
제 1항에 있어서,상기 마이크로 렌즈의 배열은 동일한 모양의 마이크로 렌즈들이 일정한 간격 또는 불규칙한 간격으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 마이크로 렌즈의 배열은 다른 모양, 다른 크기 또는 다른 모양과 크기를 갖는 두 개 이상의 마이크로 렌즈들이 일정한 간격 또는 불규칙한 간격으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2008114894 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2008114894 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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