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양자우물의 전기장 조절 구조 및 이를 이용한 광소자

  • 기술번호 : KST2014003799
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상부에 장벽층과 양자우물층이 교대로 형성되는 양자 우물 구조의 전기장 조절 구조에 있어서, 각 장벽층들 내부에는 소정 두께로 n형 또는 p형 도핑영역들이 구비되고, 상기 n형 도핑영역과 상기 p형 도핑영역은 적어도 하나의 양자우물층이 내부에 포함되는 구조로 형성되는 양자 우물의 전기장 조절 구조를 제공한다.양자우물, 장벽층, 도핑
Int. CL H01L 33/06 (2014.01)
CPC H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01)
출원번호/일자 1020060134979 (2006.12.27)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0882331-0000 (2009.01.30)
공개번호/일자 10-2008-0060638 (2008.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20090211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.27)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류상완 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0970098-03
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0635504-17
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0068795-18
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0068755-03
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0267153-31
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0523819-22
7 보정요구서
Request for Amendment		 2008.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0093165-44
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2008.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0544758-72
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0591027-17
10 보정요구서
Request for Amendment		 2008.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0104626-49
11 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2008.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0609206-49
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.09.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0653297-59
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0653302-01
14 등록결정서
Decision to grant		 2009.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0041569-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판 상부에 장벽층들과 양자우물층들이 교대로 형성되는 양자 우물의 전기장 조절 구조에 있어서,상기 기판 상부에 형성된 장벽층들 중 적어도 2개의 장벽층들 각각의 내부에는 소정 두께로 n형 및 p형 도핑영역이 구비되고,상기 n형 도핑영역과 상기 p형 도핑영역 사이에 적어도 하나의 양자우물층이 포함되는 구조로 형성되며,상기 n형 도핑영역과 상기 p형 도핑영역에 의해 형성되는 전계는 상기 양자 우물의 압전전계와 반대되는 방향으로 형성되도록 상기 n형 도핑영역은 상기 양자 우물의 압전전하 중 음의 전하가 유도되는 경계면과 접한 장벽층들에 형성되고, 상기 p형 도핑영역은 상기 양자 우물의 압전전하 중 양의 전하가 유도되는 경계면과 접한 장벽층들에 형성되는 양자 우물의 전기장 조절 구조
3 3
기판 상부에 장벽층들과 양자우물층들이 교대로 형성되는 양자 우물의 전기장 조절 구조에 있어서,상기 기판 상부에 형성된 장벽층들 중 적어도 2개의 장벽층들 각각의 내부에는 소정 두께로 n형 및 p형 도핑영역이 구비되고,상기 n형 도핑영역과 상기 p형 도핑영역 사이에 적어도 하나의 양자우물층이 포함되는 구조로 형성되며,상기 n형 도핑영역과 상기 p형 도핑영역에 의해 형성되는 전계는 상기 양자 우물의 압전전계와 반대되는 방향으로 형성되도록 상기 n형 도핑영역과 p형 도핑영역은 상기 양자 우물의 최외곽 장벽층들에 각각 구비되는 양자 우물의 전기장 조절 구조
4 4
기판 상부에 장벽층과 양자우물층이 교대로 형성되는 양자 우물의 전기장 조절 구조에 있어서,상기 각 장벽층들 내부에는 소정 두께로 적어도 하나의 n형 도핑영역이 구비되며,상기 n형 도핑영역은 양자 우물의 압전전하 중 음의 전하가 유도되는 경계면과 접한 장벽층에 형성되고,상기 n형 도핑영역에 의해 상기 양자 우물의 압전 전계가 소거될 수 있도록 형성되는 양자 우물의 전기장 조절 구조
5 5
제4 항에 있어서, 상기 n형 도핑영역은 기판을 기준으로 홀수번째 장벽층들 모두에 형성되는 양자 우물의 전기장 조절 구조
6 6
제4 항에 있어서상기 n형 도핑영역의 두께는 1 내지 50 nm 인 것을 특징으로 하는 양자 우물의 전기장 조절 구조
7 7
제4 항에 있어서상기 양자 우물은 압전 전계 효과가 발생되는 물질로 이루어진 양자 우물의 전기장 조절 구조
8 8
제4 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 의한 양자 우물의 전기장 조절 구조를 포함하는 양자 우물을 포함하는 활성층; 및상기 활성층에 전류 또는 전기장을 인가하기 위한 전극들을 구비하는 광소자
9 9
기판 상부에 장벽층들과 양자우물층들이 교대로 형성되는 양자 우물의 전기장 조절 구조에 있어서,상기 기판 상부에 형성된 장벽층들 중 적어도 하나의 장벽층 내부에는 소정 두께로 n형 및 p형 도핑영역이 구비되고,상기 n형 도핑영역과 상기 p형 도핑영역 사이에 적어도 하나의 양자우물층이 포함되는 구조로 형성되며,상기 n형 도핑영역과 상기 p형 도핑영역에 의해 상기 양자 우물의 전계가 조절되도록 상기 n형 도핑영역은 상기 양자 우물의 압전전하 중 음의 전하가 유도되는 경계면과 접한 장벽층들에 형성되고, 상기 p형 도핑영역은 상기 양자 우물의 압전전하 중 양의 전하가 유도되는 경계면과 접한 장벽층들에 형성되는 양자 우물의 전기장 조절 구조
10 10
제2 항에 있어서,상기 n형 도핑영역의 두께는 1 내지 50 nm, 상기 p형 도핑영역의 두께는 10 내지 500 nm 인 것을 특징으로 하는 양자 우물의 전기장 조절 구조
11 11
제2 항에 있어서,상기 양자 우물은 압전 전계 효과가 발생되는 물질로 이루어진 양자 우물의 전기장 조절 구조
12 12
제2 항, 제3 항, 제10 항 또는 제11 항 중 어느 한 항에 의한 양자 우물의 전기장 조절 구조를 포함하는 양자 우물을 포함하는 활성층; 및상기 활성층에 전류 또는 전기장을 인가하기 위한 전극들을 구비하는 광소자
13 13
기판 상부에 장벽층들과 양자우물층들이 교대로 형성되는 양자 우물의 전기장 조절 구조에 있어서,상기 기판 상부에 형성된 장벽층들 중 적어도 2개의 장벽층들 각각의 내부에는 소정 두께로 n형 또는 p형 도핑영역이 구비되고,상기 n형 또는 p형 도핑영역들 사이에 적어도 하나의 양자우물층이 포함되는 구조로 형성되며,상기 n형 또는 p형 도핑영역에 의해 형성되는 전계는 상기 양자 우물의 압전전계와 반대되는 방향으로 형성되도록 상기 n형 도핑영역은 상기 양자 우물의 압전전하 중 음의 전하가 유도되는 경계면과 접한 장벽층들에 형성되거나, 상기 p형 도핑영역은 상기 양자 우물의 압전전하 중 양의 전하가 유도되는 경계면과 접한 장벽층들에 형성되는 것을 특징으로 하는 양자 우물의 전기장 조절 구조
14 14
기판 상부에 장벽층들과 양자우물층들이 교대로 형성되는 양자 우물의 전기장 조절 구조에 있어서,상기 기판 상부에 형성된 장벽층들 중 적어도 하나의 장벽층 내부에는 소정 두께로 n형 또는 p형 도핑영역이 구비되고,상기 n형 또는 p형 도핑영역들 사이에 적어도 하나의 양자우물층이 포함되는 구조로 형성되며,상기 n형 또는 p형 도핑영역에 의해 상기 양자 우물의 전계가 조절되도록 상기 n형 도핑영역은 상기 양자 우물의 압전전하 중 음의 전하가 유도되는 경계면과 접한 장벽층들에 형성되거나, 상기 p형 도핑영역은 상기 양자 우물의 압전전하 중 양의 전하가 유도되는 경계면과 접한 장벽층들에 형성되는 것을 특징으로 하는 양자 우물의 전기장 조절 구조
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패밀리정보가 없습니다
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