맞춤기술찾기

이전대상기술

저온 플라즈마와 헤테로폴리산 촉매의 복합 반응기를 이용한 벤젠가스 처리방법

  • 기술번호 : KST2014003867
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온 플라즈마와 헤테로폴리산 촉매의 복합 반응기를 이용한 벤젠가스 처리방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 촉매를 전처리하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 전처리된 촉매를 저온 플라즈마 반응기에 충진하는 단계(단계 2); 상기 반응기에 벤젠가스 및 공기를 함께 주입하는 단계(단계 3); 및 상기 반응기에 전압을 인가하여 저온 플라즈마를 발생시켜 벤젠가스를 분해 및 상기 충진된 촉매를 활성화시키는 단계(단계 4)를 포함하는 저온 플라즈마 반응기를 이용한 벤젠가스 처리방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 유해가스를 라디칼로 분해하는 저온 플라즈마와 분해된 라디칼을 원하는 물질로 생성시키는 촉매 반응이 동시에 발생하도록 하여 처리 효율을 높이고 비용은 줄일 수 있으며, 저온 플라즈마 반응기의 방전 효율 및 내구성을 높일 수 있는 원통형태의 유전체와 촉매를 반응기 안에 적층시켜 유해물질을 포함하는 가스를 분해하는 공정에 유용하게 사용할 수 있다. 저온 플라즈마, 헤테로폴리산 촉매, 유전체, 벤젠가스
Int. CL B01J 19/08 (2006.01) B01D 53/86 (2006.01)
CPC B01J 19/08(2013.01) B01J 19/08(2013.01) B01J 19/08(2013.01) B01J 19/08(2013.01)
출원번호/일자 1020070134807 (2007.12.21)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0936280-0000 (2010.01.04)
공개번호/일자 10-2009-0067250 (2009.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (20100113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.21)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 백성현 대한민국 인천광역시
2 김영수 대한민국 인천광역시
3 정광은 대한민국 인천광역시
4 정지철 대한민국 서울특별시 관악구
5 송인규 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0917467-05
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2008-0003929-31
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2008-5093865-89
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.12.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2009-0001366-30
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0266378-63
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0440890-19
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0440892-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
10 등록결정서
Decision to grant
2009.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0534715-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
헤테로폴리산 또는 그 염인 촉매를 극성용매에 용해시킨 후, 열처리하는 전처리 단계(단계 1); 상기 단계 1의 전처리된 촉매를 저온 플라즈마 반응기에 충진하는 단계(단계 2); 상기 반응기에 벤젠가스 및 공기를 함께 주입하는 단계(단계 3); 및 상기 반응기에 전압을 인가하여 저온 플라즈마를 발생시켜 벤젠가스를 분해 및 상기 충진된 촉매를 활성화시키는 단계(단계 4)를 포함하는 저온 플라즈마 반응기를 이용한 벤젠가스 처리방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 저온 플라즈마 반응기 본체의 재질은 석영인 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마 반응기를 이용한 벤젠가스 처리방법
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 헤테로폴리산 또는 그 염은 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 및 바나듐(V)으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 원소가 배위원소가 되고, 인(P) 또는 실리콘(Si)인 원소가 중심원소가 되는 무기축합산의 구조인 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마 반응기를 이용한 벤젠가스 처리방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 헤테로폴리산 또는 그 염은 12-텅스토인산(H3PW12O40), 12-텅스토실리콘산(H4SiW12O40) 및 12-몰리브도바나도인산(H3+xPMo12-xVxO40, x=0~12)으로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마 반응기를 이용한 벤젠가스 처리방법
6 6
삭제
7 7
제 1항에 있어서 상기 극성용매는 증류수, 알콜 및 아민으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마 반응기를 이용한 벤젠가스 처리방법
8 8
제 1항에 있어서 상기 열처리는 50~500 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마 반응기를 이용한 벤젠가스 처리방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 벤젠가스 및 공기는 각각 동일한 유속으로 주입되는 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마 반응기를 이용한 벤젠가스 처리방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 벤젠가스 및 공기의 유속은 80~140 ml/min인 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마 반응기를 이용한 벤젠가스 처리방법
11 11
제 1항에 있어서 상기 반응기에 인가되는 전압은 10~14 kV 교류전압인 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마 반응기를 이용한 벤젠가스 처리방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.