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전계 방출소자의 제조방법

기술번호 : KST2014004795
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	전계방출소자의 제조방법이 개시된다. 개시된 전계방출소자의 제조방법은, 기판 상에 캐소드전극, 절연층 및 게이트전극을 순차적으로 형성하는 단계; 게이트전극을 패터닝하고, 패터닝된 게이트전극을 통하여 노출된 절연층을 식각하여 캐소드전극을 노출시키는 에미터홀을 형성하는 단계; 에미터홀 내부의 캐소드전극 상에 버퍼층을 형성하고, 버퍼층 상에 입자형태의 촉매층을 형성하는 단계; 촉매층을 통하여 노출된 버퍼층을 식각하는 단계; 및 식각된 버퍼층 상에 마련된 촉매층으로부터 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함한다.
Int. CL	B82B 3/00 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC	H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자	1020070084996 (2007.08.23)
출원인	삼성에스디아이 주식회사
등록번호/일자	10-0846480-0000 (2008.07.09)
공개번호/일자	10-2008-0002702 (2008.01.04) 문서열기
공고번호/일자	(20080717) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자	10-2006-0060663 (2006.06.30)
관련 출원번호	1020060060663
심사청구여부/일자	Y (2007.08.23)
심사청구항수	14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	삼성에스디아이 주식회사	대한민국	경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김하진	대한민국	경기 수원시 영통구
2	한인택	대한민국	서울 서초구
3	최영철	대한민국	경기 수원시 영통구
4	정광석	대한민국	경기 용인시 기흥구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	삼성에스디아이 주식회사	대한민국	경기 용인시 기흥구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application	2007.08.23	수리 (Accepted)	1-1-2007-0611630-53
2	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2007.11.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0619825-82
3	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2007.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2007-0909000-65
4	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2007.12.18	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2007-0909001-11
5	등록결정서 Decision to grant	2008.05.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0245458-46
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.03.13	수리 (Accepted)	4-1-2009-5048186-86
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2010-5090730-68
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.10	수리 (Accepted)	4-1-2014-5017230-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 캐소드전극, 절연층 및 게이트전극을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 게이트전극을 패터닝하고, 패터닝된 게이트전극을 통하여 노출된 상기 절연층을 식각하여 상기 캐소드전극을 노출시키는 에미터홀을 형성하는 단계;상기 에미터홀 내부의 상기 캐소드전극 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 입자형태의 촉매층을 형성하는 단계;상기 촉매층을 통하여 노출된 상기 버퍼층을 식각하는 단계; 및상기 식각된 버퍼층 상에 마련된 상기 촉매층으로부터 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 전계방출소자의 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 촉매층에 대하여 식각선택성이 있는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법
3	3 제 2 항에 있어서,상기 버퍼층은 Al, B, Ga, In, Tl, Ti, Mo 및 Cr으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법
4	4 제 2 항에 있어서,상기 버퍼층은 10Å ~ 3000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법
5	5 제 2 항에 있어서,상기 촉매층은 Fe, Co 및 Ni으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법
6	6 제 2 항에 있어서,상기 촉매층은 2Å ~ 100Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 캐소드전극은 Mo 및 Cr 중 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법
8	8 제 1 항에 있어서,상기 에미터홀을 형성하는 단계는,상기 패터닝된 게이트전극 상에 포토레지스트를 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 및 게이트전극을 통하여 노출된 상기 절연층을 상기 캐소드전극이 노출될 때까지 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법
9	9 제 8 항에 있어서,상기 버퍼층 및 촉매층을 형성하는 단계는,상기 포토레지스트 및 상기 에미터홀 내부의 캐소드전극 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 입자형태의 상기 촉매층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법
10	10 제 9 항에 있어서,상기 촉매층을 통하여 노출된 상기 버퍼층을 식각한 다음, 상기 포토레지스트 및 상기 포토레지스트 상에 형성된 상기 버퍼층 및 촉매층을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법
11	11 제 1 항에 있어서,상기 버퍼층의 식각은 상기 캐소드전극이 노출될 때까지 수행되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법
12	12 제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 화학기상증착법(CVD)에 의하여 성장되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법
13	13 제 1 항에 있어서,상기 캐소드전극의 상면 또는 하면에 저항층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법
14	14 제 13 항에 있어서,상기 저항층은 비정질 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0846480-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20070823 출원 번호 : 1020070084996 공고 연월일 : 20080717 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080506 청구범위의 항수 : 14 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 전계방출소자의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20120710

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 삼성에스디아이 주식회사 경기 용인시 기흥구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	696,000 원	2008년 07월 10일	납입
제 4 년분	금 액	348,000 원	2011년 06월 27일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[분할출원]특허출원서	2007.08.23	수리 (Accepted)	1-1-2007-0611630-53
2	의견제출통지서	2007.11.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0619825-82
3	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2007.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2007-0909000-65
4	[명세서등 보정]보정서	2007.12.18	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2007-0909001-11
5	등록결정서	2008.05.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0245458-46
6	출원인정보변경(경정)신고서	2009.03.13	수리 (Accepted)	4-1-2009-5048186-86
7	출원인정보변경(경정)신고서	2010.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2010-5090730-68
8	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.10	수리 (Accepted)	4-1-2014-5017230-44


기술번호	KST2014004795
자료제공기관	NTB
기술공급기관	대덕특구지원본부
기술명	전계 방출소자의 제조방법
기술개요	전계방출소자의 제조방법이 개시된다. 개시된 전계방출소자의 제조방법은, 기판 상에 캐소드전극, 절연층 및 게이트전극을 순차적으로 형성하는 단계; 게이트전극을 패터닝하고, 패터닝된 게이트전극을 통하여 노출된 절연층을 식각하여 캐소드전극을 노출시키는 에미터홀을 형성하는 단계; 에미터홀 내부의 캐소드전극 상에 버퍼층을 형성하고, 버퍼층 상에 입자형태의 촉매층을 형성하는 단계; 촉매층을 통하여 노출된 버퍼층을 식각하는 단계; 및 식각된 버퍼층 상에 마련된 촉매층으로부터 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함한다.
개발상태	기타
기술의 우수성
응용분야	전계방출소자
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

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