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기판 위에 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층 위에 게이트절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트절연막 위에 게이트전극을 형성하는 단계와, 상기 반도체층의 상기 게이트전극을 마주하지 않는 영역에 저농도 불순물 이온을 주입하여, 상기 게이트전극을 마주하는 영역의 반도체층에 채널영역을 형성하고, 그 이외의 영역에 저농도 불순물영역을 형성하는 단계와, 상기 채널영역의 경계부분과 상기 저농도 불순물영역 중 특정부분 사이의 영역 위에, 바깥쪽으로 갈수록 두께가 점진적으로 얇아지는 연속적 농도변화 불순물영역 형성용 절연막을 형성하는 단계와, 상기 연속적 농도변화 불순물영역 형성용 절연막을 사이에 두고, 상기 반도체층의 저농도 불순물영역에 고농도 불순물 이온을 주입하여, 상기 반도체층의 상기 특정부분 바깥영역에 고농도 불순물영역을 형성하며, 상기 반도체층의 채널영역의 경계부분과 상기 특정부분 사이의 영역에, 바깥방향으로 갈수록 저농도 불순물에서 고농도 불순물로 점진적으로 바뀌는 연속적 농도변화 불순물영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 연속적 농도변화 불순물영역 형성용 절연막이 스핀코팅 방법으로 폴리실라잔을 도포하여 형성된 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 게이트절연막이 상기 게이트전극과 같은 평면형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 고농도 불순물이온의 주입 전에, 상기 연속적 농도변화 불순물영역 형성용 절연막을 회분화(ashing)하여, 상기 연속적 농도변화 불순물영역에만 상기 연속적 농도변화 불순물영역 형성용 절연막이 남도록 하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
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기판 위에 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층 위에 게이트절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트절연막 위에 게이트전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트전극의 경계부분으로부터 상기 반도체층의 특정부분까지의 영역 위에, 바깥쪽으로 갈수록 두께가 점진적으로 얇아지는 연속적 농도변화 불순물영역 형성용 절연막을 상기 기판 위에 형성하는 단계와, 상기 연속적 농도변화 불순물영역 형성용 절연막과 상기 게이트전극을 사이에 두고, 고농도 불순물 이온을 상기 반도체층에 주입하여, 상기 반도체층의 상기 게이트전극을 마주하는 영역에 채널영역을 형성하며, 상기 반도체층의 상기 특정부분 바깥영역에 고농도 불순물영역을 형성하고, 상기 반도체층의 채널영역과 상기 특정부분 사이의 영역에, 상기 채널영역에 근접할수록 고농도 불순물이 거의 첨가되지 않으며 바깥방향으로 갈수록 고농도 불순물의 첨가농도가 점진적으로 증가하는 연속적 농도변화 불순물영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 연속적 농도변화 불순물영역 형성용 절연막이 스핀코팅 방법으로 폴리실라잔을 도포하여 형성된 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 게이트절연막이 상기 게이트전극과 같은 평면형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 고농도 불순물이온의 주입 후에, 상기 연속적 농도변화 불순물영역 형성용 절연막을 회분화하여, 상기 연속적 농도변화 불순물영역에만 상기 연속적 농도변화 불순물영역 형성용 절연막이 남도록 하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 고농도 불순물이온의 주입 전에, 상기 연속적 농도변화 불순물영역 형성용 절연막을 회분화하여, 상기 연속적 농도변화 불순물영역에만 상기 연속적 농도변화 불순물영역 형성용 절연막이 남도록 하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 연속적 농도변화 불순물영역 형성용 절연막을 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 연속적 농도변화 불순물영역 형성용 절연막을 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
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