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절연막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014004929
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고밀도 플라즈마(HDP:High Density Plasma) CVD(Chemical Vapor Deposition) 절연막 형성에 있어서, 높은 평탄화(planarization) 및 화학적-기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing) 공정 시간을 단축할 수 있는 절연막(Inter Layer Dielectic layer) 형성 방법에 관해 개시한다. 개시된 본 발명의 절연막 형성 방법은 금속 배선이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계와, 기판 상에 HDP CVD 방식을 적용하여 금속 배선 두께의 제 1절연막을 형성하는 단계와, 제 1절연막 상에 HDP CVD 방식을 적용하되, 식각비를 증가시키어 제 2절연막을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01)
출원번호/일자 1020010079826 (2001.12.15)
출원인 매그나칩 반도체 유한회사
등록번호/일자 10-0713896-0000 (2007.04.25)
공개번호/일자 10-2003-0049584 (2003.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (20070507) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 매그나칩 반도체 유한회사 대한민국 충북 청주시 흥덕구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상종 대한민국 충청북도청주시흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강성배 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 키 파운드리 충청북도 청주시 흥덕구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2001-0332072-46
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2004-5158580-33
3 대리인 변경 신고서
Agent change Notification		 2004.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2004-0523860-46
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.01.26 수리 (Accepted) 4-1-2005-5008163-61
5 출원심사청구서
Request for Examination		 2006.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0454421-99
6 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0205055-99
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 배선이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판 상에 HDP CVD 방식을 적용하여 상기 금속 배선 두께의 제 1절연막을 형성하는 단계와, 상기 제 1절연막 상에 HDP CVD 방식을 적용하되, 식각비를 증가시키어 제 2절연막을 형성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 절연막 형성방법
1 1
금속 배선이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판 상에 HDP CVD 방식을 적용하여 상기 금속 배선 두께의 제 1절연막을 형성하는 단계와, 상기 제 1절연막 상에 HDP CVD 방식을 적용하되, 식각비를 증가시키어 제 2절연막을 형성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 절연막 형성방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제 2절연막 형성 공정은 바이어스 알
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제 2절연막 형성 공정은 바이어스 알
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제 2절연막 형성 공정은 아르곤 가스를 10∼200 sccm 공급하는 것을 특징으로 하는 절연막 형성방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제 2절연막 형성 공정은 아르곤 가스를 10∼200 sccm 공급하는 것을 특징으로 하는 절연막 형성방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제 1및 제 2절연막은 실리콘 산화막, FSG, PSG 또는 실리콘 질화막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 절연막 형성방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제 1및 제 2절연막은 실리콘 산화막, FSG, PSG 또는 실리콘 질화막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 절연막 형성방법
5 4
제 1항에 있어서, 상기 제 1및 제 2절연막은 실리콘 산화막, FSG, PSG 또는 실리콘 질화막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 절연막 형성방법
5 4
제 1항에 있어서, 상기 제 1및 제 2절연막은 실리콘 산화막, FSG, PSG 또는 실리콘 질화막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 절연막 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.