맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

화염 분무열분해법에 의한 스트론튬 티타네이트 형광체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014005803
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화염 분무열분해법에 의한 스트론튬 티타네이트 형광체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 형광체의 모체 및 모체를 도핑하는 활성제를 증류수에 용해시켜 전구체 용액을 제조한 다음, 분무장치를 이용하여 상기 용액을 액적으로 분무시키고, 분무된 액적을 확산화염에 둘러싸이게 하여 형광체로 전환시킴으로써, 기존의 일반적인 분무열분해법에 의해 제조된 스트론튬 티타네이트 형광체가 속이 빈 형태를 가지기 때문에 고온의 후열처리 과정에서 구형의 형상이 깨지고 불규칙한 형태를 가지며 매우 다공성이어서 발광 특성도 좋지 않은 것과 달리, 보다 구형에 가깝고 분포가 균일할 뿐만 아니라 구의 내부가 충전된 상태이고 형광체간에 응집이 없으며, 후열처리 공정이 없이도 완벽한 결정성을 가지고 종래 보다 월등히 우수한 발광 휘도를 가지는 형광체를 단시간에 제조할 수 있는 획기적인 스트론튬 티타네이트 형광체의 제조방법에 관한 것이다.화염 분무열분해법, 스트론튬 티타네이트, 형광체, 분무열분해법, 구형, 발광 휘도, 후열처리
Int. CL B82B 3/00 (2011.01) C09K 11/80 (2011.01)
CPC C09K 11/77(2013.01) C09K 11/77(2013.01) C09K 11/77(2013.01) C09K 11/77(2013.01) C09K 11/77(2013.01) C09K 11/77(2013.01) C09K 11/77(2013.01)
출원번호/일자 1020010024034 (2001.05.03)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0424866-0000 (2004.03.16)
공개번호/일자 10-2002-0084922 (2002.11.16) 문서열기
공고번호/일자 (20040327) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.05.03)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강윤찬 대한민국 대전광역시서구
2 박희동 대한민국 대전광역시유성구
3 박승빈 대한민국 대전광역시유성구
4 서대종 대한민국 경기도부천시원미구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 허상훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, 우리종합금융빌딩 **층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2001-0102332-39
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.02.24 수리 (Accepted) 9-1-2003-0007059-40
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0284782-00
7 의견서
Written Opinion		 2003.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2003-0355780-16
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.09.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0355779-69
9 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent		 2003.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2003-0355797-81
10 등록결정서
Decision to grant		 2004.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0061050-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

분무열분해법으로 형광체를 제조함에 있어서,

ⅰ) 형광체 모체로서 스트론튬(Sr) 및 티타늄(Ti)과, 모체를 도핑하는 활성제로서 프라세오디뮴(Pr), 알루미늄(Al) 및 갈륨(Ga)의 전구체 물질을 증류수에 용해시켜 0

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 확산화염의 온도는 1500 ∼ 4000 ℃ 범위인 것을 특징으로 하는 스트론튬 티타네이트 형광체의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 확산화염을 발생시키기 위한 연료 공급원은 프로판 및 수소 가스이고, 산소 공급원은 산소 또는 공기인 것을 특징으로 하는 스트론튬 티타네이트 형광체의 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 티타늄(Ti)의 전구체 물질로는 티타늄테트라이소포로폭사이드(TTIP) 또는 나노미터 크기의 티타니아(TiO2) 분말이고, 스트론튬(Sr)의 전구체 물질로는 스트론튬의 질산염, 초산염 및 염화물 중에서 선택된 수용성 염인 것을 특징으로 하는 스트론튬 티타네이트 형광체의 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 프라세오디뮴(Pr)의 전구체 물질로는 프라세오디뮴의 질산염, 염화물 및 초산염 중에서 선택된 수용성 염이고, 상기 알루미늄(Al) 및 갈륨(Ga)의 전구체 물질로는 이들의 질산염, 염화물, 초산염 및 황산염 중에서 선택된 수용성 염인 것을 특징으로 하는 스트론튬 티타네이트 형광체의 제조방법

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 분무장치는 초음파 분무장치, 공기 노즐 분무장치, 정전 분무장치 또는 초음파 노즐 분무장치인 것을 특징으로 하는 스트론튬 티타네이트 형광체의 제조방법

7 7

제 1 항에 있어서, 상기 제조된 형광체를 800 ∼ 1500 ℃에서 1 ∼ 5시간 동안 후처리하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 스트론튬 티타네이트 형광체의 제조방법

8 8

상기 청구항 1의 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 다음 화학식 1로 표시되는 스트론튬 티타네이트 형광체

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.