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테크네튬-안티모니 설파이드 나노 콜로이드의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014006317
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 테크네튬-안티모니 설파이드 나노콜로이드의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 과테크네튬산염과 안티모니 설파이드 나노콜로이드를 수소화붕소 교환수지의 존재하에 혼합 및 교반시키거나, 마이크로파를 조사하여 테크네튬-안티모니 설파이드 나노콜로이드 방사성착물을 얻는 것을 특징으로 하는 테크네튬-안티모니 설파이드 나노콜로이드의 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 제조방법은 테크네튬-안티모니 설파이드 나노콜로이드 착물의 제조에 있어서, 환원제로 수소화붕소 교환수지를 사용함으로써 상온에서 반응시켜 높은 수율로 테크네튬 착물을 얻을 수 있으며, 종래 제조방법 중 pH 재조정 단계를 생략할 수 있다. 또한, 환원제가 수용액이 아닌 고체상(solid phase)으로 반응하여 과량사용 여부에 관계없이 반응 후 여과하여 제거될 수 있기 때문에 종래 제조방법에 비해 용이하고 경제적으로 제조할 수 있다. 또한, 반응시 마이크로파를 사용함으로써 반응시간을 대폭적으로 단축시킬 수 있어 용이하게 제조할 수 있으며, 투여를 위한 준비시간을 줄일 수 있다. 테크네튬, 안티모니 설파이드, 나노콜로이드, BER, 마이크로파.
Int. CL C01G 30/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020040012394 (2004.02.24)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-0555298-0000 (2006.02.20)
공개번호/일자 10-2005-0086065 (2005.08.30) 문서열기
공고번호/일자 (20060303) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.02.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상현 대한민국 대전광역시유성구
2 박경배 대한민국 대전광역시유성구
3 신병철 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구소 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2004-0076268-63
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2004.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2004-5031677-74
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.06.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0045009-27
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0590953-24
6 의견서
Written Opinion		 2005.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0695518-14
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0695552-67
8 등록결정서
Decision to grant		 2006.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0090946-55
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
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번호 청구항
1 1
과테크네튬산염과 안티모니 설파이드 나노콜로이드를 수소화붕소 교환수지의 존재하에 혼합 및 교반시켜 99mTc-안티모니 설파이드 나노콜로이드 착물을 얻는 것을 특징으로 하는 테크네튬-안티모니 설파이드 나노콜로이드 착물의 제조방법
2 2
과테크네튬산염과 안티모니 설파이드 나노콜로이드를 수소화붕소 교환수지의 존재하에 마이크로파를 조사시켜 99mTc-안티모니 설파이드 나노콜로이드 착물을 얻는 것을 특징으로 하는 테크네튬-안티모니 설파이드 나노콜로이드 착물의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 마이크로파 조사시간이 1∼2 분인 것을 특징으로 하는 테크네튬-안티모니 설파이드 나노콜로이드 착물의 제조방법
4 4
제 1항 또는 2항에 있어서, 상기 과테크네튬산염이 Na99mTcO4인 것을 특징으로 하는 제조방법
5 5
제 1항 또는 2항에 있어서, 상기 제조방법이 상온에서 수행되는 것을 특징으로 하는 제조방법
6 6
제 1항 또는 2항에 있어서, 상기 테크네튬-안티모니 설파이드 나노콜로이드 착물이 5∼20 ㎚의 입자크기를 갖는 것을 특징으로 하는 제조방법
7 6
제 1항 또는 2항에 있어서, 상기 테크네튬-안티모니 설파이드 나노콜로이드 착물이 5∼20 ㎚의 입자크기를 갖는 것을 특징으로 하는 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07264791 US 미국 FAMILY
2 US20050186134 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 US2005186134 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7264791 US 미국 DOCDBFAMILY
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