맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

인의 첨가에 의해 발광효율 및 열적 내구성이 향상된 규소나노결정립 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014006334
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인의 첨가에 의해 발광효율 및 열적 내구성이 향상된 규소나노결정립 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 규소나노결정립은 과포화규소층이 형성된 절연모재의 내부에 수소 대신 인(phosphorus)을 주입하여 규소결정 표면의 비결합전자손을 마감하고, 불활성 기체분위기에서 1100℃, 2시간동안 열처리하는 단계를 포함함으로서 이루어진다. 본 발명에 따른 인의 첨가에 의해 발광효율 및 열적 내구성이 향상된 규소나노결정립은 결정립이 형성되는 모재에 과포화규소층과 더불어 인을 첨가함으로서 미세구조 규사 결정립의 발광효율을 향상시키는 효과가 있다. 그리고, 인에 의한 비전자결합손의 마감이 규소나노결정립의 형성과 마찬가지로 1100℃의 고온에서 이루어짐으로서 발광 효율의 향상효과가 후속 열처리과정에서도 감소되지 않는 열적 내구성이 제고된다. 규소, 규소나노결정립, 발광효율, 열적내구성, 광발광
Int. CL B82Y 20/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01)
출원번호/일자 1020040035461 (2004.05.19)
출원인 한국지질자원연구원
등록번호/일자 10-0586181-0000 (2006.05.26)
공개번호/일자 10-2005-0110446 (2005.11.23) 문서열기
공고번호/일자 (20060607) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.05.19)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국지질자원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김준곤 대한민국 대전광역시유성구
2 우형주 대한민국 대전광역시유성구
3 최한우 대한민국 대전광역시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 진용석 대한민국 대전광역시 서구 청사로 ***, 청사오피스텔 ***호 세빈 국제특허법률사무소 (둔산동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2004-0210406-89
2 대리인 해임 신고서
Report on Dismissal of Agent		 2004.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0336486-31
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.05.27 수리 (Accepted) 4-1-2005-0018805-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0603613-11
5 의견서
Written Opinion		 2006.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0069547-12
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0069545-10
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0299048-60
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2014-0097650-21
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.07.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5114414-50
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연모재의 내부에 규소 원자를 주입하여 과포화규소층을 형성하는 과포화규소층 형성단계;상기 과포화규소층이 형성된 절연모재에 적어도 3몰%이하의 인을 주입하는 인 주입단계;인이 주입된 절연모재를 불활성 기체분위기에서 1100℃, 2시간동안 열처리하여 규소나노결정립을 형성하는 열처리단계를 포함하여 이루어지되, 상기 과포화규소층 형성단계에서 절연모재는 순수 이산화규소 기판이고, 상기 기판에 400KeV에너지의 규소 원자를 이온 주입하여 상기 기판의 표면으로부터 140nm깊이에 반폭치 30nm정도인 20 ~ 30몰%의 과포화규소층을 형성하는 것을 특징으로 하는 인의 첨가에 의해 발광효율 및 열적 내구성이 향상된 규소나노결정립의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 인 주입단계에서 상기 과포화규소층이 형성된 절연모재에 인을 주입하는 방법은 이온주입법, 화학기상증착법, 물리기상증착법 중 택일되는 것을 특징으로 하는 인의 첨가에 의해 발광효율 및 열적 내구성이 향상된 규소나노결정립의 제조방법
4 4
청구항 1항에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는 규소나노결정립
5 4
청구항 1항에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는 규소나노결정립
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.