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반도체양자점광증폭기

  • 기술번호 : KST2014006425
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 광증폭기에 관한 것으로서, 이득 매질로 반도체 양자점을 사용함으로써 이득의 편광의존도를 없애고 채널간 신호누화 문제를 해결하면서 넓은 증폭대역을 가질 수 있는 광대역 파장분할다중 광통신시스템에 적합하게 한 것을 특징으로 한다.광증폭기, 양자점, 광통신, 활성층
Int. CL G02B 6/02 (2006.01)
CPC H01S 5/20(2013.01) H01S 5/20(2013.01)
출원번호/일자 1020010016243 (2001.03.28)
출원인 이동한
등록번호/일자 10-0420795-0000 (2004.02.18)
공개번호/일자 10-2002-0076422 (2002.10.11) 문서열기
공고번호/일자 (20040302) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.03.28)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 이동한 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동한 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정세성 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로 ****, ***호 특허법인이노 제*분사무소 (서초동, 보성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-0069810-32
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2001.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-5090623-22
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0045910-96
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2001-0066557-18
5 대리인 사임 신고서
Notification of resignation of agent		 2002.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2002-0100908-15
6 대리인 사임 신고서
Notification of resignation of agent		 2002.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2002-0100882-16
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.05.28 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2002-5131789-22
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.05.28 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2002-5131569-95
9 반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2002.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2002-0037955-87
10 반려통지서
Notice for Return		 2002.07.05 수리 (Accepted) 1-5-2002-0048543-37
11 반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2002.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2002-0050322-57
12 반려통지서
Notice for Return		 2002.08.19 수리 (Accepted) 1-5-2002-0058092-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2003-5013620-74
14 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.03.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
15 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2003-0012989-04
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0163744-15
17 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2003.05.23 무효 (Invalidation) 1-1-2003-5099611-19
18 보정통지서
Request for Amendment		 2003.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2003-0039295-32
19 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.06.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0233799-44
20 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2003.07.24 수리 (Accepted) 1-5-2003-0048521-78
21 등록결정서
Decision to grant		 2003.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0526942-18
22 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2004-5020376-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

광신호를 증폭하는 광증폭기에 있어서,

상기 광증폭기를 형성하는 기본 토대가 되는 반도체기판(substrate);

상기 반도체 기판 상부에 형성되어 상기 광신호의 증폭에 필요한 전도성 입자들이 통과하는 제1도전형 클래드층;

상기 제1도전형 클래드층의 상부에 접하여 형성되며, 입사된 상기 광신호를 증폭시키는 반도체양자점들이 층을 이루어 내포되며, 불연속적인 에너지 레벨을 형성하고 있는 양자점 활성층; 및,

상기 양자점 활성층의 상부에 접하여 형성되고 상기 제1도전형 클래드층과 대응을 이루도록 동작하여 증폭에 필요한 전도성 입자들이 통과하는 제2도전형 클래드층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 양자점 광증폭기

2 2

삭제
3 3

제 1항에 있어서, 상기 양자점 활성층은

복수의 양자점층들을 내포하는 것을 특징으로 하는, 반도체 양자점 광증폭기

4 4

제 3항에 있어서, 상기 복수의 양자점층들은

상기 각 층에서의 에너지 레벨이 같도록 형성하는 것을 특징으로 하는, 반도체 양자점 광증폭기

5 5

제 3항에 있어서, 상기 복수의 양자점층들은

상기 각 층에서의 에너지 레벨이 다르도록 형성하는 것을 특징으로 하는, 반도체 양자점 광증폭기

6 6

제 5항에 있어서, 상기 복수의 양자점층들은

상기 미소한 양자점층들을 이루는 양자점들의 크기를 변화시킴으로써 에너지 레벨이 다르게 하는 것을 특징으로 하는, 반도체 양자점 광증폭기

7 7

제 5항에 있어서, 상기 복수의 양자점층들은

상기 미소한 양자점층들의 상하부에 서로 다른 에너지갭의 배리어를 형성시킴으로써 에너지 레벨이 다르게 하는 것을 특징으로 하는, 반도체 양자점 광증폭기

8 8

제 1항에 있어서,

상기 반도체기판을 GaAs 반도체 기판으로 형성하고,

상기 양자점 활성층은 AlGaAs에 의한 Al(x)Ga(1-x)As 에피과정, InGaAs에 의한 In(y)Ga(1-y)As양자점층, 그리고 AlGaAs에 의한 Al(z)Ga(1-z)As 에피과정을 연속적으로 반복하여 형성하는 것을 특징으로 하는, 반도체 양자점 광증폭기

9 9

제 1항에 있어서,

상기 반도체기판을 GaAs 반도체 기판으로 형성하고,

상기 양자점 활성층은 InGaAs에 의한 In(x)Ga(1-x)As 에피과정, InGaAs에 의한 In(y)Ga(1-y)As 양자점층, 그리고 InGaAs에 의한 In(z)Ga(1-z)As 에피과정을 연속적으로 반복하여 형성하는 것을 특징으로 하는, 반도체 양자점 광증폭기

10 10

제 9항에 있어서, 상기 In(y)Ga(1-y)As 양자점층은

그 에너지 레벨이 상기 에피과정에 의한 에피층의 에너지갭보다 작은 것을 특징으로 하는, 반도체 양자점 광증폭기

11 11

제 1항에 있어서,

상기 반도체기판을 InP 반도체 기판으로 형성하고,

상기 양자점 활성층은 InGaAsP에 의한 에피과정, InGaAs에 의한 In(y)Ga(1-y)As양자점층(34d1, 34d2, 34d3,

12 12

제 11항에 있어서,

상기 InGaAsP의 에피과정에 의한 에피층의 격자상수가 상기 InP 반도체기판의 격자상수와 ±0

13 13

제 11항에 있어서, 상기 In(y)Ga(1-y)As 양자점층은

그 에너지 레벨이 상기 에피과정에 의한 에피층의 에너지갭보다 작은 것을 특징으로 하는, 반도체 양자점 광증폭기

14 14

제 1항에 있어서,

상기 반도체기판을 InP 반도체 기판으로 형성하고,

상기 양자점 활성층은 InAlGaAs에 의한 에피과정, InGaAs에 의한 In(y)Ga(1-y)As양자점층, 그리고 InAlGaAs에 의한 에피과정을 연속적으로 반복하여 형성하는 것을 특징으로 하는, 반도체 양자점 광증폭기

15 15

제 14항에 있어서,

상기 InAlGaAs의 에피과정에 의한 에피층의 격자상수가 상기 InP 반도체기판의 격자상수와 ±0

16 16

제 14항에 있어서, 상기 In(y)Ga(1-y)As 양자점층은

그 에너지 레벨이 상기 에피과정에 의한 에피층의 에너지갭보다 작은 것을 특징으로 하는, 반도체 양자점 광증폭기

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1 KR100420796 KR 대한민국 FAMILY
2 US07030415 US 미국 FAMILY
3 US20040099858 US 미국 FAMILY
4 WO2002079813 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2002079813 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 AU2002243061 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
2 US2004099858 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US7030415 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.