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표면처리복합분체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014006465
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 표면처리 복합분체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이는 특히, 미립질 상태의 이산화티탄을 카올린 등의 판상광물에 피복함과 동시에 그 복합분체의 표면을 유기 실리콘 화합물 등으로 표면처리 하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 분체의 입자가 판상이므로 피부 부착력 및 전연성을 향상시키고, 피복된 초미립질의 이산화티탄에 의해 광차폐 및 광산란 효과를 가져옴은 물론 표면개질 방법에 의하여 친수성 및 소수성 등을 조절할 수 있어 분체의 활용성을 개선할 수 있도록 하는 것이다. 카올린, 하소, 표면처리, 복합분체, 열처리
Int. CL C04B 14/04 (2006.01)
CPC C04B 20/008(2013.01) C04B 20/008(2013.01) C04B 20/008(2013.01) C04B 20/008(2013.01)
출원번호/일자 1020020079804 (2002.12.13)
출원인 한국지질자원연구원
등록번호/일자 10-0508961-0000 (2005.08.09)
공개번호/일자 10-2004-0052077 (2004.06.19) 문서열기
공고번호/일자 (20050817) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.13)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국지질자원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김병규 대한민국 대전광역시유성구
2 유연태 대한민국 대전광역시유성구
3 최영윤 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이현재 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, ***호 (역삼동, 예양빌딩)(베스텍국제특허법률사무소)
2 최병길 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)
3 이선행 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, ***호 (역삼동, 예양빌딩)(베스텍국제특허법률사무소)
4 홍성표 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 **, *동 ***호(가산동 IT캐슬)(특허법인 남양)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2002-0415152-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2004-0045741-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0054477-75
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0163279-18
6 의견서
Written Opinion
2005.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0163280-65
7 등록결정서
Decision to grant
2005.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0213617-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.05.27 수리 (Accepted) 4-1-2005-0018805-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2014-0097650-21
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.07.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5114414-50
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1차입자의 평균 입경 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 판상 분체는, 고령토, 활석, 운모, 견운모를 포함하는 군 중 하나인 것을 특징으로 하는 표면처리복합분체
3 3
제1항에 있어서, 상기 미립자 분체는, 미립자의 이산화티탄, 산화아연, 산화세륨을 포함하는 군 중 하나인 것을 특징으로 하는 표면처리복합분체
4 4
삭제
5 5
박편상 무기물 원광을 전처리 하여 평균입경이 0
6 6
제5항에 있어서, 상기 박편상 무기물 원광을 전처리하는 단계는, 고령토, 활석, 운모, 견운모를 포함하는 군 중 하나의 원광을 건조와 분쇄/연마 및, 분급과 하소공정을 통하여 판상의 분체로 형성하는 것을 특징으로 하는 표면처리 복합분체의 제조방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 판상의 분체에 미립자 분체를 코팅하는 단계는, 이산화티탄, 산화아연, 산화세륨 중 하나이며 평균입경 0
8 8
제5항에 있어서, 상기 미립자분체가 코팅된 판상 분체를 열처리 하는 단계는, 120~150℃의 온도로 2시간 이상 가열한후 실온까지 서냉시키는 것을 특징으로 하는 표면처리 복합분체의 제조방법
9 8
제5항에 있어서, 상기 미립자분체가 코팅된 판상 분체를 열처리 하는 단계는, 120~150℃의 온도로 2시간 이상 가열한후 실온까지 서냉시키는 것을 특징으로 하는 표면처리 복합분체의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.