요약 | 자체 연소 반응법(Self-propagating High-temperature Synthesis)을 이용하여 산화규소(SiO2) 분말로부터 고순도 규소(Si) 분말을 제조하는 방법이 개시되어 있다. 본 발명에 따르면, 산화규소(SiO2)와 마그네슘(Mg)을 1:(2∼2.5)의 몰비로 균일하게 혼합한 후, 4∼14t의 성형 압력을 가하여 압축시켜서 펠렛을 형성한다. 다음에는, 펠렛을 자체 연소 반응기 내로 장입하여 아르곤(Ar) 가스 분위기 또는 진공 분위기하에서 점화·연소시킨다. 그 결과로서 생성된 연소 생성물을 자체 연소 반응기로부터 취출하여 약 10∼50% 희석시킨 염산(HCl) 또는 황산(H2SO4)를 이용하여 1∼3시간동안 침출시킨다. 그런 후에는, 거름종이를 이용하여 침출물을 여과시키고, 여과물을 수차례에 걸쳐서 세척한다. 끝으로, 약 60∼70℃의 온도로 유지되는 건조기 내에서 규소(Si) 분말을 충분히 건조시켜서 순수 규소(Si) 분말을 얻는다. 이렇게 얻은 순수 규소(Si)는 99.988% 이상의 고순도를 나타낸다. |
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Int. CL | C01B 3/02 (2006.01) |
CPC | C01B 33/023(2013.01) C01B 33/023(2013.01) |
출원번호/일자 | 1019980010118 (1998.03.24) |
출원인 | 대한민국 충남대학교 부속 급속응고 신소재 연구소 |
등록번호/일자 | 10-0273198-0000 (2000.09.02) |
공개번호/일자 | 10-1999-0075728 (1999.10.15) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20010201) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (1998.03.24) |
심사청구항수 | 6 |