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실리콘 중성자 도핑용 균일 조사방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2014006572
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 단결정을 중성자로 도핑하는 단결정 도핑용 중성자 조사방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 단결정의 외부면으로 물과 공기의 두께조절을 통해 중성자가 균일하게 조사되도록 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사방법에 관한 것이다. 이 방법은 상하로 반사체가 배치된 단결정을 연구용 원자로의 반사체탱크에 구비되는 조사공의 내부로 투입한 후에 회전시켜, 길이방향과 반경방향으로 중성자가 조사되도록 하는 중성자 도핑용 조사방법에 있어서; 상기한 단결정의 반경방향으로 상단과 하단에는 공기층을 형성하고 중앙부에는 물층을 형성한 후에, 단결정을 둘러싸는 물층과 공기층의 두께조절을 통해 상기한 단결정의 길이방향과 반경방향으로 조사되는 중성자의 조사량이 균일해지도록 하는 것이다. 상기와 같은 균일 조사방법을 제공함으로써, 단결정에 요구되는 중성자의 조사량 조절을 용이하게 할 수 있으며, 물 두께를 조절하여 중성자 손실을 줄이고 도핑 용량을 증대시키는 효과를 갖는다. 단결정, 중성자, 도핑, 조사, 연구용 원자로, 반도체
Int. CL H01L 21/265 (2006.01)
CPC C30B 31/20(2013.01)C30B 31/20(2013.01)
출원번호/일자 1020030070683 (2003.10.10)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-0517668-0000 (2005.09.21)
공개번호/일자 10-2005-0034912 (2005.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20050928) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.10.10)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전병진 대한민국 충청남도공주시
2 황승렬 대한민국 대전광역시유성구
3 우상익 대한민국 대전광역시서구
4 조영갑 대한민국 대전광역시유성구
5 이충성 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구소 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2003-0378883-93
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0035742-97
4 등록결정서
Decision to grant
2005.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0286349-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
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번호 청구항
1 1
상하로 반사체가 배치된 단결정을 연구용 원자로의 반사체탱크에 구비되는 조사공의 내부로 투입한 후에 회전시켜, 길이방향과 반경방향으로 중성자가 조사되도록 하는 중성자 도핑용 조사방법에 있어서; 상기한 단결정의 반경방향으로 상단과 하단에는 공기층을 형성하고 중앙부에는 물층을 형성한 후에, 단결정을 둘러싸는 물층의 두께조절을 통해 상기한 단결정의 길이방향과 반경방향으로 조사되는 중성자의 조사량이 균일해지도록 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사방법
2 2
제1항에 있어서; 상기한 물층의 두께 조절은, 상기한 단결정의 중앙부위에 물이 두껍게 분포되도록 단결정을 삽입하는 알루미늄 재질의 조사통의 중앙부위에 다수의 통공을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘의 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서; 연구용 원자로의 노심에서 방출되는 중성자의 분포 변화에 맞추어 단결정의 조사위치의 조절이 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 실리콘의 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서; 상기한 조사공의 내부에서 회전되는 단결정의 회전력을 이용하여 조사공에 내재된 물이 와류를 형성하면서 상기한 단결정의 외부면에 접촉된 상태로 상승되어 단결정이 강제 냉각되도록 하는 것을 특징으로 하는 실리콘의 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서; 상기한 단결정이 조사공에서 인출될 때 그 내부로 상기한 단결정과 중성자 흡수능력이 유사한 부유통이 상승되어 채워지도록 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사방법
6 6
연구용 원자로(2)의 반사체탱크(3)에 구비되는 조사공(4)에 설치하여 노심(5)에서 방출되는 중성자를 단결정(6)에 쪼여 도핑하는 중성자 도핑용 조사장치에 있어서; 상기 조사공(4)의 내부로 투입되어 회전되도록 투입 및 회전봉(8)과 연결구(9)가 구비되고, 상기 연결구(9)에 조사통(10)이 구비되며, 상기 조사통(10)의 내부로 상부흑연반사체통(20)과 단결정(6)이 순차적으로 안치되고, 상기 상부흑연반사체통(20)과 단결정(6)이 맞닿는 부위의 측방으로 상기 조사통(10)의 둘레에 상부공기층(11)이 형성되며, 상기 상부공기층(11)의 하부로 상기 단결정(6)의 중앙부위의 측방으로 상기 조사통(10)의 둘레에 물층(12)이 형성되고, 상기 물층(12)의 하부로 상기 단결정(6)의 하단 측방으로 상기 조사통(10)의 둘레에 하부공기층(13)이 형성되며, 상기 단결정(6)의 하면에 맞닿도록 하부흑연반사체통(30)이 구비되어 상기 물층(12)의 두께조절을 통해 중성자의 조사량을 균일하게 조절하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사장치
7 7
제6항에 있어서; 상기 단결정(6)의 중앙부위와 일치되는 상기 조사통(10)의 중앙부위에 다수의 통공(14)이 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사장치
8 8
제6항 또는 제7항에 있어서; 상기 상부공기층(11)과 물층(12)이 맞닿는 부위에 상기 물층(12)이 상부방향으로 점차 얇아지도록 단차지게 경사진 상부격벽(15)이 형성되고, 상기 상부격벽(15)과 대칭되도록 상기 하부공기층(13)과 물층(12)이 맞닿는 부위에 상기 물층(12)이 하부방향으로 점차 얇아지도록 단차지게 경사진 하부격벽(16)이 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사장치
9 9
제8항에 있어서; 상기 하부흑연반사체통(30)이 상기 조사공(4)의 내부에서 부유되도록 그 하면으로 중공된 부유통(40)이 부착되는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사장치
10 10
제8항에 있어서; 상기 하부공기층(13)이 형성된 상기 조사통(10)의 하단 내측 둘레로 경사홈(17)이 형성되고, 상기 경사홈(17)에 맞닿도록 상기 하부흑연반사체통(30)의 상단이 경사턱(31)이 형성되어 상기 조사통(10)의 회전에 따라 상기 하부흑연반사체통(30)이 회전되는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사장치
11 11
제9항에 있어서; 상기 부유통(40)의 외주면에 다수의 나선형 돌턱(41)이 형성되어 상기 부유통(40)의 회전에 따라 상기 조사공(4)의 내부의 물이 단결정(6)의 외부면을 향해 상승되어 강제대류되는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사장치
12 12
제9항에 있어서; 상기 부유통(40)이 회전 가능한 상태에서 그 상승이 제한되도록 상기 부유통(40)의 하부로 상승제한부(50)가 구비되는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사장치
13 13
제12항에 있어서; 상기 상승제한부(50)는, 상기 부유통(40)의 중앙에 수직으로 이동공(51)이 형성되고, 상기 이동공(51)의 내부로 상기 부유통(40)의 상승을 제한하는 부유간격제한봉(52)이 구비되며, 상기 부유간격제한봉(52)의 하단으로 상기 조사공(4)의 하단에 걸리도록 걸림판(53)이 장착되어 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사장치
14 14
제13항에 있어서; 상기 경사홈(17)에 다수의 삽입턱(18)이 형성되고, 상기 삽입턱(18)에 끼움되도록 상기 경사턱(31)에 다수의 삽입홈(32)이 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사장치
15 15
제14항에 있어서; 상기 경사홈(17)의 상부로 상기 조사통(10)의 내주면 둘레에 상기 단결정(6)의 하단이 걸리도록 걸림턱(19)이 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사장치
16 16
제15항에 있어서; 상기 이동공(51)의 하단 내주면의 둘레에 상기 부유간격제한봉(52)이 슬라이딩 가능하게 슬라이딩턱(54)이 형성되고, 상기 슬라이딩턱(54)에 걸리도록 상기 부유간격제한봉(52)의 상단 외주면 둘레에 정지턱(55)이 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사장치
17 17
제16항에 있어서; 상기 조사통(10)은 반감기가 짧은 알루미늄 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사장치
18 18
제17항에 있어서; 상기 단결정(6)의 하면과 상기 걸림턱(19)의 사이에 재치되도록 비스무트판(60)이 구비되는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사장치
19 19
제18항에 있어서; 상기 조사통(10)의 외주면 둘레로 와이어를 감을 수 있도록 외주연홈(14a)이 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사장치
20 19
제18항에 있어서; 상기 조사통(10)의 외주면 둘레로 와이어를 감을 수 있도록 외주연홈(14a)이 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 중성자 도핑용 균일 조사장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.