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하기 화학식 1로 표시한 탄탈럼 질화물 선구 물질: <화학식 1> RN=Ta(NR'2)n(OCR"2CH2NR* 2)3-n 상기 식에서, R은 이소프로필 또는 t-부틸 기고, R'은 메틸, 에틸, 이소프로필, t-부틸 또는 알킬실릴 기고, R"은 C1-C4 선형 또는 분지형 알킬기고, R＊는 C1-C4 선형 또는 분지형 알킬 또는 알킬실릴 기고, n은 0, 1 또는 2이다
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제 1 항에 있어서, R이 CH(CH3)2 또는 C(CH3)3이고, R'이 CH3, C2H5, CH(CH3)2, C(CH3)3, Si(CH3)3 또는 Si(C2H5)3이고, R"이 CH3, C2H5, CH(CH3)2 또는 C(CH3)3이고, R＊가 CH3, C2H5, CH(CH3)2, C(CH3)3, Si(CH3)3 또는 Si(C2H5)3이고, n이 0, 1 또는 2인 것을 특징으로 하는 선구 물질
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하기 화학식 2로 표시한 탄탈럼 착화합물과 하기 화학식 3으로 표시한 알코올 화합물을 반응시키는 것을 포함하는, 제 1 항에 따른 화학식 1의 탄탈럼 질화물 선구 물질의 제조 방법: <화학식 2> RN=Ta(NR'2)3 <화학식 3> HOCR"2CH2NR＊ 2 상기 식에서, R, R', R" 및 R＊는 제 1 항에서 정의한 바와 같다
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하기 화학식 4로 표시한 탄탈럼 착화합물을 하기 화학식 5로 표시한 리튬디알킬아미드와 반응시켜 하기 화학식 6으로 표시한 화합물을 얻고, 이를 하기 화학식 7로 표시한 알코올의 알칼리금속염과 반응시키는 것을 포함하는, 제 1 항에 따른 화학식 1의 탄탈럼 질화물 선구 물질의 제조 방법: <화학식 4> RN=TaCl3ㆍ2py <화학식 5> LiNR'2 <화학식 6> RN=Ta(NR'2)nCl(3-n) <화학식 7> MOCR"2CH2NR＊ 2 상기 식에서, M은 Li, Na 또는 K이고, py는 피리딘을 나타내고, R, R', R" 및 R＊는 제 1 항에서 정의한 바와 같다
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하기 화학식 4로 표시한 탄탈럼 착화합물을 하기 화학식 7로 표시한 알코올의 알칼리금속염과 반응시켜 하기 화학식 8로 표시한 화합물을 얻고, 이를 하기 화학식 5로 표시한 리튬디알킬아미드와 반응시키는 것을 포함하는, 제 1 항에 따른 화학식 1의 탄탈럼 질화물 선구 물질의 제조 방법: <화학식 4> RN=TaCl3ㆍ2py <화학식 5> LiNR'2 <화학식 7> MOCR"2CH2NR＊ 2 <화학식 8> RN=TaCln(OCR"2CH2NR* 2)(3-n) 상기 식에서, M은 Li, Na 또는 K이고, py는 피리딘을 나타내고, R, R', R" 및 R＊는 제 1 항에서 정의한 바와 같다
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제 1 항의 화학식 1에 따른 탄탈럼 착화합물 선구 물질을 사용하여 탄탈럼 질화물을 성장시키는 방법
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제 6 항에 있어서, 탄탈럼 질화물을 금속 유기물 화학 증착법 (MOCVD) 또는 원자층 침착법 (ALD)으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 방법
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제 7 항에 있어서, 탄탈럼 질화물을 성장시킬 때 질소 원으로 암모니아, 알킬히드라진 또는 디알킬히드라진을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 7 항에 있어서, 탄탈럼 질화물을 성장시킬 때 질소 원으로 암모니아, 알킬히드라진 또는 디알킬히드라진을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법
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