기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

기질 위에 수산화 기의 단층을 형성하는 방법 (METHOD OF FORMING A HYDROXYL MONOLAYER ON THE SURFACE OF A SUBSTRATE)

기술번호 : KST2014006737
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 기질 위에 수산화 기 단층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 반도체 또는 금속 표면에 할로겐 원소를 흡착시킨 후 물을 이용하여 수산화 기 단층을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 반도체 또는 금속 표면에 수산화 기 단층을 형성할 수 있고, 박막 침착 공정에서 별도로 반도체 또는 금속 표면에 산화막을 형성할 필요가 없으며 특히 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD) 공정 초기의 부화 기간 (incubation period)을 줄일 수 있는 장점이 있다. 본 발명에 따른 수산화 기 단층을 형성한 반도체 및 금속의 표면은 표면 과학의 새로운 연구 대상이 될 수 있고 또한 이들을 기질로 하여 분자 단층 (molecular monolayer)을 입힐 수 있다.
Int. CL	H01L 21/20 (2006.01)
CPC	C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01)
출원번호/일자	1020030046357 (2003.07.09)
출원인	한국화학연구원
등록번호/일자	10-0551323-0000 (2006.02.03)
공개번호/일자	10-2005-0006516 (2005.01.17) 문서열기
공고번호/일자	(20060213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2003.07.09)
심사청구항수	10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국화학연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김윤수	대한민국	대전광역시유성구
2	이선숙	대한민국	대전광역시중구
3	안기석	대한민국	대전광역시유성구
4	백재윤	대한민국	경기도수원시장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	위정호	대한민국	경기도 성남시 중원구 양현로 *, *호 (여수동, 시티오피스타워)(J특허법률사무소)
2	장성구	대한민국	서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국화학연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2003.07.09	수리 (Accepted)	1-1-2003-0249683-76
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2005.02.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2005.03.16	수리 (Accepted)	9-1-2005-0015728-99
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2005.04.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0192736-09
5	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2005.06.20	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0324544-01
6	의견서 Written Opinion	2005.06.20	수리 (Accepted)	1-1-2005-0324546-92
7	등록결정서 Decision to grant	2005.11.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0512500-59
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.16	수리 (Accepted)	4-1-2008-5059312-66
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.05.14	수리 (Accepted)	4-1-2008-5074743-27
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2008-5208083-56
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.09.14	수리 (Accepted)	4-1-2017-5149265-52
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.09.14	수리 (Accepted)	4-1-2017-5149242-13

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 (a) (초)고진공 분위기에서 기질 표면에 기상의 할로겐 원소를 흡착시키는 단계 및 (b) 할로겐 원소가 흡착한 기질의 표면에 고진공에서 물을 공급하여, 물 분자와 할로겐 원소의 반응에 의해 할로겐 원소를 수산화 기로 치환함으로써 수산화 기 단층을 형성하는 단계를 포함하는, 기질 표면에 수산화 기 단층을 형성하는 방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 기질은 표면이 원자적으로 깨끗한 반도체인 것을 특징으로 하는 방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 기질은 수소 단층이 흡착한 반도체 또는 금속인 것을 특징으로 하는 방법
4	4 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 반도체는 (001)면 실리콘, (111)면 실리콘, (001)면 게르마늄 또는 (111)면 게르마늄인 것을 특징으로 하는 방법
5	5 제 3 항에 있어서, 상기 금속은 염소를 흡착할 수 있는 금속인 것을 특징으로 하는 방법
6	6 제 5 항에 있어서, 상기 염소를 흡착할 수 있는 금속은 루테늄, 로듐 또는 백금인 것을 특징으로 하는 방법
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 할로겐 원소가 염소인 것을 특징으로 하는 방법
8	8 제 1 항에 있어서,(a) 단계의 흡착반응이 할로겐 원소의 노출량을 20 L(langmuir) 이하로 유지하면서 기질온도 20 내지 250℃에서 수행됨을 특징으로 하는 방법
9	9 제 1 항에 있어서,(b) 단계의 물분자와 할로겐 원소의 반응이 20 내지 250 ℃의 기질온도 및 10 Torr 이하의 압력 조건에서 물을 공급하면서 수행됨을 특징으로 하는 방법
10	10 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 수산화 기 단층을 형성한 반도체 또는 금속
11	10 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 수산화 기 단층을 형성한 반도체 또는 금속

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0551323-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20030709 출원 번호 : 1020030046357 공고 연월일 : 20060213 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20051117 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 21/20 발명의 명칭 : 기질 위에 수산화 기의 단층을 형성하는 방법 존속기간(예정)만료일 : 20110204

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국화학연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	310,500 원	2006년 02월 06일	납입
제 4 년분	금 액	281,000 원	2008년 12월 29일	납입
제 5 년분	금 액	260,000 원	2010년 01월 04일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2003.07.09	수리 (Accepted)	1-1-2003-0249683-76
2	선행기술조사의뢰서	2005.02.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2005.03.16	수리 (Accepted)	9-1-2005-0015728-99
4	의견제출통지서	2005.04.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0192736-09
5	명세서등보정서	2005.06.20	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0324544-01
6	의견서	2005.06.20	수리 (Accepted)	1-1-2005-0324546-92
7	등록결정서	2005.11.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0512500-59
8	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.16	수리 (Accepted)	4-1-2008-5059312-66
9	출원인정보변경(경정)신고서	2008.05.14	수리 (Accepted)	4-1-2008-5074743-27
10	출원인정보변경(경정)신고서	2008.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2008-5208083-56
11	출원인정보변경(경정)신고서	2017.09.14	수리 (Accepted)	4-1-2017-5149265-52
12	출원인정보변경(경정)신고서	2017.09.14	수리 (Accepted)	4-1-2017-5149242-13


기술번호	KST2014006737
자료제공기관	NTB
기술공급기관	대덕특구지원본부
기술명	기질 위에 수산화 기의 단층을 형성하는 방법 (METHOD OF FORMING A HYDROXYL MONOLAYER ON THE SURFACE OF A SUBSTRATE)
기술개요	본 발명은 기질 위에 수산화 기 단층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 반도체 또는 금속 표면에 할로겐 원소를 흡착시킨 후 물을 이용하여 수산화 기 단층을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 반도체 또는 금속 표면에 수산화 기 단층을 형성할 수 있고, 박막 침착 공정에서 별도로 반도체 또는 금속 표면에 산화막을 형성할 필요가 없으며 특히 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD) 공정 초기의 부화 기간 (incubation period)을 줄일 수 있는 장점이 있다. 본 발명에 따른 수산화 기 단층을 형성한 반도체 및 금속의 표면은 표면 과학의 새로운 연구 대상이 될 수 있고 또한 이들을 기질로 하여 분자 단층 (molecular monolayer)을 입힐 수 있다.
개발상태	기타
기술의 우수성
응용분야	반도체 금속표면 단층
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2014006732][대덕특구지원본부]	탄탈럼 질화물 선구 물질 및 그 제조 방법 (PRECURSORS FOR TANTALUM NITRIDE AND PREPARING METHOD THEREOF)	새창보기
[KST2014006598][대덕특구지원본부]	PZT박막의 강유전특성이 향상된 반도체소자와 그 제조방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택