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결정성 인듐 포스파이드 나노입자 양자점의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014006931
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인듐 포스파이드(InP) 나노입자 양자점의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 질소 함유 유기화합물의 반응 용매하에서 금속나트륨(Na)과 백린(P)을 반응시켜 제조한 인화 나트륨(Na3P) 콜로이드 용액과, 인 함유 유기화합물에 용해된 인듐 클로라이드(InCl3)와 반응함에 있어, 상기 인 함유 유기화합물이 인듐 클로라이드(InCl3)와 반응하여 착체를 형성하고, 반응으로 제조된 인듐 포스파이드(InP)의 나노입자 양자점 콜로이드를 안정화하는 역할을 수행하여, 종래에 비해 공정상의 안전성이 향상될 뿐만 아니라 입자의 크기가 균일하고 결정성이 우수한 신규의 인듐 포스파이드(InP) 나노입자 양자점의 제조 방법에 관한 것이다. 질소 함유 유기화합물, 인화 나트륨 콜로이드 용액, 인 함유 유기화합물, 인듐 클로라이드
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01)
출원번호/일자 1020040110740 (2004.12.22)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0675963-0000 (2007.01.23)
공개번호/일자 10-2006-0071763 (2006.06.27) 문서열기
공고번호/일자 (20070129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전기원 대한민국 대전광역시 유성구
2 백진욱 대한민국 대전 유성구
3 김효진 대한민국 대전광역시 유성구
4 홍기범 대한민국 대전광역시 동구
5 칸나파완쿠마르 인도 인도, 푼 **, 바브드한 쿠

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-0607395-64
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0245291-49
3 의견서
Written Opinion		 2006.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0445697-61
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0445696-15
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0622994-15
6 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2006.11.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2006-0038991-39
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0028823-95
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
질소원자를 1 내지 3개 함유하는 방향족 헤테로 화합물 중에서 선택된 질소함유 유기화합물의 반응 용매하에서 금속나트륨(Na)과 백린(P)을 반응시켜 제조한 인화 나트륨(Na3P) 콜로이드 용액과, 트리 C1 ∼ C10 알킬포스핀 또는 트리 C1 ∼ C10 알킬포스핀 옥사이드 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 인 함유 유기화합물에 용해된 인듐 클로라이드(InCl3) 용액을 반응시켜 InP 나노입자 양자점을 제조하되, 상기 InP 나노입자 양자점은 띠간격에너지(Eg)가 1
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 질소 함유 유기화합물은 피리딘 또는 C1 ∼ C10 알킬 치환된 피리딘 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 결정성 인듐 포스파이트(InP) 나노입자 양자점의 제조방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 질소 함유 유기화합물은 금속나트륨(Na) 1 몰에 대하여 5 ∼ 10 몰비로 사용하는 것을 특징으로 하는 결정성 인듐 포스파이트(InP) 나노입자 양자점의 제조방법
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 Na과 P의 반응온도는 100 ∼ 300 ℃인 것을 특징으로 하는 결정성 인듐 포스파이트(InP) 나노입자 양자점의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제 2 항에 있어서, 상기 인 함유 유기화합물은 인듐 클로라이드(InCl3) 1몰에 대하여 4 ∼ 8 몰비로 사용하는 것을 특징으로 하는 결정성 인듐 포스파이트(InP) 나노입자 양자점의 제조방법
8 8
제 2 항에 있어서, 상기 인화 나트륨(Na3P) 콜로이드 용액과 인듐 클로라이드(InCl3) 용액의 반응온도는 100 ∼ 300 ℃인 것을 특징으로 하는 결정성 인듐 포스파이트(InP) 나노입자 양자점의 제조방법
9 9
삭제
10 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.