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금속산화물 나노입자의 표면을 유기그룹으로 표면처리 하는 방법에 있어서, 알코올/물 혼합용매를 25 ~ 120℃로 조정하는 단계; 상기 혼합용매에 1차 표면처리제로 페닐계 카르복실산을 투입하여 용액을 제조하는 단계; 상기 용액에 금속산화물 나노입자가 분산된 수용액 상의 졸을 첨가하여 1차 표면처리 하는 단계; 실온으로 냉각 후 나노입자를 회수하는 단계; 상기 회수된 입자를 양친매성(amphiphilic) 용매에 분산 한 후, 페닐계 알콕시실란을 투입하여 반응시켜 2차 표면처리 후 용매를 제거하는 단계; 를 포함하는 고 굴절률로 표면처리된 금속산화물 나노 입자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 수용액 상에 졸 형태로 안정하게 분산된 금속산화물 나노입자는 입자크기가 약 10 ~ 1000 nm 이고, 굴절률이 1
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제 1항에 있어서, 고 굴절률 1차 표면처리제로서 페닐계 카르복실산의 굴절율은 1
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제 3항에 있어서, 고 굴절률 1차 표면처리제로서 페닐계 카르복실산은 1 ~ 2개의 페닐 그룹을 가지며, 반응성 말단기로서 카르복실 그룹을 1 ~ 2개를 가지는 것을 특징으로 하는 고 굴절률로 표면처리된 금속산화물 나노 입자의 제조방법
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제 4항에 있어서, 고 굴절률 페닐계 카르복실산은 페닐티오아세트산((Phenylthio)acetic acid), 2-카복실벤즈알데히드(2-Carboxybenzaldehyde), 2-클로로페닐아세트산(2-Chlorophenylacetic acid), 2-페닐글리신(2-Phenylglycine), 3-아미노벤조익산(3-Aminobenzoic acid), 3-벤조일프로피오닉산(3-Benzoylpropionic acid), 3-니트로프탈릭산(3-Nitrophthalic acid), 4-아미노살리실릭산(4-Aminosalicylic acid), 벤조익산(Benzoic acid), 히푸릭산(Hippuric acid), 호모프탈릭산(Homophthalic acid), 페녹시아세트산(Phenoxyacetic acid)에서 선택되는 어느 하나인 고 굴절률로 표면처리된 금속산화물 나노 입자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 고 굴절률 페닐계 알콕시실란은 굴절율이 알1
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제 6항에 있어서, 고 굴절률 페닐계 알콕시실란은 알콕시기를 2 ~ 3개 가지며, 유기 그룹으로서 1 ~ 2개의 페닐기가 규소(Si) 원소에 직접 결합된 형태 혹은 중간에 스페이서(spacer)를 두고 결합된 형태인 것을 특징으로 하는 고 굴절률로 표면처리된 금속산화물 나노 입자의 제조방법
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제 7항에 있어서, 고 굴절률 2차 표면처리제로서 페닐계 알콕시실란은 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 디에톡시메틸페닐실란, 1,4-비스(트리에톡시실릴)벤젠, 4,4'-비스(트리에톡시실릴)비페닐에서 선택되는 어느 하나인 고 굴절률로 표면처리된 금속산화물 나노 입자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 알코올/물의 혼합용매의 몰 비가 0
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제 1항에 있어서, 상기 페닐계 알콕시실란은 금속산화물 나노입자에 대하여 0
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금속산화물 나노입자의 표면을 유기그룹으로 표면처리 하는 방법에 있어서, 알코올/물 혼합용매의 몰비를 0
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