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단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014006983
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 금속성 탄소나노튜브 소자 및 약한 반도성을 띠는 나노튜브소자의 금속전극-탄소나노튜브 계면에 단백질이 코팅된 나노입자를 흡착시켜, 반도성 나노튜브에서는 트랜지스터의 특성이 개선되는 효과를 얻을 수 있고, 금속성 나노튜브에서도 게이트 전압을 이용하여 채널의 전류를 크게 변화시킬 수 있는 트랜지스터 작동 효과를 얻을 수 있도록 탄소나노튜브 트랜지스터의 금속 전극과 탄소나노튜브의 계면을 단백질 나노입자로 표면개질시키는 계면공학을 수행한 것으로서, 이빔리소그라피 또는 포토리소그라피를 이용하여 제작된 탄소나노튜브 소자와 금속전극 사이에 단백질이 코팅된 나노입자를 고정화하여 게이트 전압에 보다 쉽게 반응하도록 한 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한 것이다.탄소나노튜브, 단백질 나노입자, 트랜지스터, 금속전극, 계면
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/335 (2011.01) H01L 29/78 (2011.01)
CPC H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01)
출원번호/일자 1020050056879 (2005.06.29)
출원인 한국화학연구원, 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0756320-0000 (2007.08.31)
공개번호/일자 10-2007-0001405 (2007.01.04) 문서열기
공고번호/일자 (20070907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.06.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정오 대한민국 대전광역시 유성구
2 소혜미 대한민국 대전광역시 유성구
3 공기정 대한민국 대전광역시 유성구
4 김병계 대한민국 대전광역시 유성구
5 장현주 대한민국 대전광역시 유성구
6 류병환 대한민국 대전광역시 유성구
7 나필선 대한민국 대전광역시 유성구
8 최영민 대한민국 대전광역시 유성구
9 박노정 대한민국 서울시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 용산구
2 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0349652-53
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2005.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-5081786-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.04.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.05.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0034051-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0293196-79
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0521338-57
7 의견서
Written Opinion		 2006.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0521340-49
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0036663-18
9 의견서
Written Opinion		 2007.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0230636-45
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.03.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0230635-00
11 등록결정서
Decision to grant		 2007.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0413114-63
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020510-08
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2012-5047629-25
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 소스전극(30), 금속 드레인전극, 게이트, 탄소나노튜브(20)로 구성된 채널영역으로 이루어진 탄소나노튜브 트랜지스터와;상기 탄소나노튜브(20)와 금속 소스전극(30)의 계면과, 탄소나노튜브(20)와 금속 드레인전극의 계면에 흡착 고정되어 게이트 전압의 변화에 따라 하전상태가 변화하는 스트렙타비딘이 코팅된 나노입자(40)로 이루어진 것을 특징으로 하는 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터
2 2
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3 3
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삭제
5 5
금속 소스전극(30), 금속 드레인전극, 게이트, 탄소나노튜브(20)로 구성된 채널영역으로 이루어진 탄소나노튜브 트랜지스터와; 상기 탄소나노튜브(20)와 금속 소스전극(30)의 계면과, 탄소나노튜브(20)와 금속 드레인전극의 계면에 흡착 고정되어 터널배리어를 조절하는 스트렙타비딘이 코팅된 나노입자(40)로 이루어진 것을 특징으로 하는 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터
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삭제
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 스트렙타비딘이 코팅되는 나노입자는 금속 나노입자, 폴리머 나노입자, 자성 나노입자중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터
8 8
묽게 희석된 스트렙타비딘이 코팅된 나노입자 용액에 탄소나노튜브 트랜지스터를 담근 다음, 6∼12 시간 방치함으로써, 스트렙타비딘이 코팅된 나노입자(40)들이 상기 탄소나노튜브(20)와 금속 소스전극(30)의 계면과, 탄소나노튜브(20)와 금속 드레인전극의 계면에 흡착 고정되어 달성되는 것을 특징으로 하는 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조 방법
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 스트렙타비딘이 코팅된 나노입자(40)가 흡착된 트랜지스터를 탈이온수 또는 PBS 버퍼 용액에 여러번 세정하여 불순물을 없애고 질소가스를 이용하여 건조시키는 단계가 더 진행되는 것을 특징으로 하는 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조 방법
10 10
청구항 8에 있어서, 상기 묽게 희석된 스트렙타비딘이 코팅된 나노입자 용액(40)은 스트렙타비딘(streptavidin)이 코팅된 10nm의 금(Au) 나노입자 또는 스트렙타비딘이 코팅된 폴리스티렌 마이크로스피어(streptavidin coated polystyrene microsphere) 용액인 것을 특징으로 하는 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
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