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양자구조 적외선 수광소자

기술번호 : KST2014007797
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 양자구조 적외선 수광소자에 관한 것으로서, 다이오드 형태의 양자구조 적외선 수광소자가 아닌, 양자우물이나 양자점과 헴트(HEMT ; High Electron Mobility Transistor)를 결합한 양자구조의 적외선 수광소자를 형성하여 높은 광전류를 가지고 CMOS 스위치 없이 수광소자 자체로 스위칭이 가능하며 수광소자 자체를 트랜지스터로서 ROIC(Read Out Integrated Circuit) 제작에 이용할 수 있도록 할 뿐만 아니라 게이트 금속 형태를 빗살 형태의 회절격자 형식으로 형성하여 적외선이 여러 방향으로 입사되도록 함으로써 양자 효율을 높일 수 있도록 한 것이다. QWIP, QDIP, QSIP, FPAs, 적외선 센서, 적외선 영상, HEMT, 양자효율
Int. CL	H01L 31/101 (2006.01)
CPC	H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01)
출원번호/일자	1020050014204 (2005.02.21)
출원인	한국과학기술원
등록번호/일자	10-0621873-0000 (2006.09.01)
공개번호/일자	10-2006-0093445 (2006.08.25) 문서열기
공고번호/일자	(20060919) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2005.02.21)
심사청구항수	7

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	홍성철	대한민국	대전광역시 유성구
2	엄준호	대한민국	대전 유성구
3	양종렬	대한민국	대전 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	허진석	대한민국	서울특별시 강남구 강남대로*, ,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2005.02.21	수리 (Accepted)	1-1-2005-0090923-24
2	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2006.04.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0232347-14
3	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2006.06.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2006-0441759-11
4	의견서 Written Opinion	2006.06.22	수리 (Accepted)	1-1-2006-0441752-92
5	등록결정서 Decision to grant	2006.08.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0510589-99
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.02.01	수리 (Accepted)	4-1-2013-5019983-17
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5158129-58
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157993-01
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157968-69
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 양자구조와 헴트구조가 결합된 양자구조 적외선 수광소자에 있어서, 기판과, 상기 기판 상에 형성되는 버퍼층과, 상기 버퍼층상에 형성되는 양자구조층과, 상기 양자구조층 상에 형성된 베리어층과, 상기 베리어층상의 일정영역에 형성된 소스, 드레인, 게이트전극과, 상기 양자구조층의 상하부 중 어느 한 위치에 형성된 채널층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 양자구조 적외선 수광소자
2	2 제 1항에 있어서, 제 1항에 있어서, 상기 양자구조층은 30~80Å 두께의 GaAs층과 100~600Å 두께의 AlxGa1-yAs(x,y=0
3	3 제 2항에 있어서, 상기 양자우물층과 상기 양자점층에는 전자를 공급해 주기 위한 도핑된 층이 삽입되는 것을 특징으로 하는 양자구조 적외선 수광소자
4	4 제 1항에 있어서, 상기 양자구조층은 AlxGa1-yAs/GaAs(x,y=0
5	5 제 1항에 있어서, 상기 양자구조층은 InAs나 InzGa1-yAs(0〈y,z〈1) 으로 이루어지는 양자점층을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자구조 적외선 수광소자
6	6 제 1항에 있어서, 상기 기판하부에 전압을 인가하기 위한 백게이트전극이 형성된 것을 특징으로 하는 양자구조 적외선 수광소자
7	7 제 1항에 있어서, 상기 게이트전극은 0

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
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법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0621873-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20050221 출원 번호 : 1020050014204 공고 연월일 : 20060919 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060830 청구범위의 항수 : 7 유별 : H01L 31/101 발명의 명칭 : 양자구조 적외선 수광소자 존속기간(예정)만료일 : 20120902

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 한국과학기술원 대전 유성구...
2	(의무자) 한국과학기술원 대전 유성구...
2	(권리자) (재)연구개발특구진흥재단 대전광역시 유성구...
3	(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구...
3	(의무자) (재)연구개발특구진흥재단 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	229,500 원	2006년 09월 04일	납입
제 4 년분	금 액	194,000 원	2009년 08월 28일	납입
제 5 - 6 년분	금 액	388,000 원	2010년 08월 30일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2005.02.21	수리 (Accepted)	1-1-2005-0090923-24
2	의견제출통지서	2006.04.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0232347-14
3	명세서등보정서	2006.06.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2006-0441759-11
4	의견서	2006.06.22	수리 (Accepted)	1-1-2006-0441752-92
5	등록결정서	2006.08.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0510589-99
6	출원인정보변경(경정)신고서	2013.02.01	수리 (Accepted)	4-1-2013-5019983-17
7	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5158129-58
8	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157993-01
9	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157968-69
10	출원인정보변경(경정)신고서	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
11	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
12	출원인정보변경(경정)신고서	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63


기술번호	KST2014007797
자료제공기관	NTB
기술공급기관	대덕특구지원본부
기술명	양자구조 적외선 수광소자
기술개요	본 발명은 양자구조 적외선 수광소자에 관한 것으로서, 다이오드 형태의 양자구조 적외선 수광소자가 아닌, 양자우물이나 양자점과 헴트(HEMT ; High Electron Mobility Transistor)를 결합한 양자구조의 적외선 수광소자를 형성하여 높은 광전류를 가지고 CMOS 스위치 없이 수광소자 자체로 스위칭이 가능하며 수광소자 자체를 트랜지스터로서 ROIC(Read Out Integrated Circuit) 제작에 이용할 수 있도록 할 뿐만 아니라 게이트 금속 형태를 빗살 형태의 회절격자 형식으로 형성하여 적외선이 여러 방향으로 입사되도록 함으로써 양자 효율을 높일 수 있도록 한 것이다. QWIP, QDIP, QSIP, FPAs, 적외선 센서, 적외선 영상, HEMT, 양자효율
개발상태	기타
기술의 우수성
응용분야	휴대용 열영상 감지기
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1350011669
세부과제번호	kaist39
연구과제명	나노및디스플레이기술연구
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	과학기술부
연구주관기관명	한국과학기술원
성과제출연도	2006
연구기간	200604~200612
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

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