| 1 |
1
공정이 수행되는 반응실; 상기 반응실의 내부의 상단에 설치되며, 하부에 기판이 부착되는 기판 접시; 상기 반응실의 내부의 하단에 상기 기판 접시에 대향하여 설치되며, 상부에 가스 공급구들이 형성되어 전달되는 반응 가스들이 상기 가스 공급구들을 통해서 상기 반응실의 내부의 상향으로 유입되는 반응 가스 노즐; 및 상기 기판 접시와 상기 반응 가스 노즐 사이의 상기 반응실의 측면에 설치되어, 자외광을 상기 반응실의 측면에서 상기 기판 접시의 하부에 부착된 기판의 수평 방향으로 투과시키는 석영창; 을 포함하는, 광 저압 금속 유기 화학 기상 증착 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 석영창에 인접하는 상기 반응실의 상부에 설치되어 상기 반응실의 내부의 상기 석영창의 상단에서 하단으로 상기 석영창의 흐림을 방지하기 위하여 가스를 흘려주는 석영창 흐림 방지용 가스 노즐을 더 포함하는, 광 저압 금속 유기 화학 기상 증착 장치
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 석영창 흐름 방지용 가스 노즐을 통해서 흘려주는 상기 가스는 불활성 아르곤(Ar) 가스인, 광 저압 금속 유기 화학 기상 증착 장치
|
| 4 |
4
공정이 수행되는 반응실, 상기 반응실의 내부의 상단에 설치되며, 하부에 기판이 부착된 기판 접시, 상기 반응실의 내부의 하단에 상기 기판 접시에 대향하여 설치되며, 상부에 가스 공급구들이 형성되어 전달되는 반응 가스들이 상기 가스 공급구들을 통해서 상기 반응실의 내부의 상향으로 유입되는 반응 가스 노즐 및 상기 기판 접시와 상기 반응 가스 노즐 사이의 상기 반응실의 측면에 설치되어, 자외광을 상기 반응실의 측면에서 상기 기판 접시의 하부에 부착된 기판의 수평 방향으로 투과시키는 석영창을 포함하는 광 저압 금속 유기 화학 기상 증착 장치를 이용하는 산화아연의 형성 방법에 있어서, (a) 아연(Zn) 및 산소(O) 원료 물질을 반송 가스로 버블링(bubbling)하고, 수소 가스를 소정의 온도로 유지되는 수은을 통과시킨 후에 상기 버블링된 원료 가스와 함께 상기 반응 가스 노즐을 통해서 상기 반응실의 내부로 유입시키는 단계; 및 (b) 상기 석영창을 통하여 상기 기판 접시의 하부에 부착된 기판의 수평 방향으로 자외광을 투과시켜 상기 수소 가스를 광분해하여 상기 기판의 표면에 수소 도핑된 산화아연을 증착시키는 단계; 를 포함하는, 산화아연의 형성 방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서, 상기 아연의 원료 물질은 DEZ(diethyl zinc) 혹은 DMZ(dimethyl zinc) 액체인, 산화아연의 형성 방법
|
| 6 |
6
제4항에 있어서, 상기 산소의 원료 물질은 물 또는 알코올 등의 액체인, 산화아연의 형성 방법
|
| 7 |
7
제4항에 있어서,상기 산소의 원료 물질은 산소(O2) 가스, 이산화탄소(CO2) 가스 혹은 이산화질소(NO2) 가스인, 산화아연의 형성 방법
|
| 8 |
8
제4항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 반응 가스 노즐을 통해서 상기 반응실의 내부로 도핑 물질을 더 유입시키는, 산화아연의 형성방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 도핑 물질이 가스인 경우, 상기 도핑 가스를 상기 수소 가스와 혼합하여 상기 소정의 온도로 유지되는 수은을 통과시킨 후 상기 반응 가스 노즐을 통해서 상기 반응실의 내부로 유입시키는, 산화아연의 형성 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 도핑 가스는 다이보렌(B2H6), HFP(hexafluoropropene), 암모니아(NH3) 혹은 포스핀(PH3)인, 산화아연의 형성 방법
|
| 11 |
11
제8항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 도핑 물질이 액체인 경우, 상기 도핑 액체를 상기 반송 가스로 버블링하여 상기 반응 가스 노즐을 통해서 상기 반응실의 내부로 유입시키는, 산화아연의 형성 방법
|
| 12 |
12
제11항에 있어서, 상기 도핑 액체는 AlAA(aluminum acetylacetonate), TEA(triethyl aluminium) 혹은 TEG(triethyl gallium)인, 산화아연의 형성 방법
|
| 13 |
13
제4항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반송 가스는 아르곤(Ar) 가스인, 산화아연의 형성 방법
|
| 14 |
14
공정이 수행되는 반응실, 상기 반응실의 내부의 상단에 설치되며, 하부에 n형이나 p형의 산화아연이 형성된 기판이 부착된 기판 접시, 상기 반응실의 내부의 하단에 상기 기판 접시에 대향하여 설치되며, 상부에 가스 공급구들이 형성되어 전달되는 반응 가스들이 상기 가스 공급구들을 통해서 상기 반응실의 내부의 상향으로 유입되는 반응 가스 노즐 및 상기 기판 접시와 상기 반응 가스 노즐 사이의 상기 반응실의 측면에 설치되어, 자외광을 상기 반응실의 측면에서 상기 기판 접시의 하부에 부착된 기판의 수평 방향으로 투과시키는 석영창을 포함하는 광 저압 금속 유기 화학 기상 증착 장치를 이용하는 산화아연의 동시 도핑 방법에 있어서, (a) 소정의 온도로 유지되는 수은을 통과시킨 수소 가스와 도핑 물질을 상기 반응 가스 노즐을 통해서 상기 반응실의 내부로 유입시키는 단계; 및 (b) 상기 석영창을 통하여 상기 산화아연이 형성된 기판의 수평 방향으로 자외광을 투과시켜 상기 수소 가스를 광분해하여 상기 기판에 형성된 산화아연을 도핑시키는 단계; 를 포함하는, 산화아연의 도핑 방법
|
| 15 |
15
제14항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 도핑 물질이 가스인 경우, 상기 도핑 가스를 상기 수소 가스와 혼합하여 상기 소정의 온도로 유지되는 수은을 통과시킨 후 상기 반응 가스 노즐을 통해서 상기 반응실의 내부로 유입시키는, 산화아연의 도핑 방법
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 (a) 단계에서 상기 도핑 가스는 다이보렌(B2H6), HFP(hexafluoropropene), 암모니아(NH3) 혹은 포스핀(PH3)인, 산화아연의 도핑 방법
|
| 17 |
17
제14항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 도핑 물질이 액체인 경우, 상기 도핑 액체를 반송 가스로 버블링하여 상기 반응 가스 노즐을 통해서 상기 반응실의 내부로 유입시키는, 산화아연의 도핑 방법
|
| 18 |
18
제17항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 도핑 액체는 AlAA(Alminum Acetylcetonate), TEA(triethyl aluminium) 혹은 TEG(triethyl gallium)인, 산화아연의 도핑 방법
|
| 19 |
19
제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 반송 가스는 아르곤(Ar) 가스인, 산화아연의 도핑 방법
|
| 20 |
19
제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 반송 가스는 아르곤(Ar) 가스인, 산화아연의 도핑 방법
|
