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용사 적층에 의한 열관리용 Al-SiC 복합재료 제조 기술

  • 기술번호 : KST2014008165
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 알루미늄 기지조직에 실리콘 카바이드 입자, 또는 실리콘 카바이드 및 실리콘 입자가 형성된 플라즈마 용사에 의한 고열전도도와 저열팽창계수를 가지는 전자패키징용 알루미늄기지 복합재료 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 평균입도 20㎛의 SiC 분말과 평균입도 70㎛의 Al 분말, 또는 평균입도 20㎛의 SiC 분말과 평균입도 45㎛의 Al-20Si 합금분말을 체적비 40∼60:60∼40으로 혼합하여 혼련한 후, 건조하여 타겟(Target)재에 플라즈마 용사함으로써 알루미늄 기지조직에 SiC 입자가 40∼60 부피%와, SiC 입자 사이에 미세한 Si 입자가 10∼20 부피%를 차지하는 플라즈마 용사에 의한 고열전도도와 저열팽창계수를 가지는 알루미늄기지 복합재료 및 그 제조방법을 제공한다.이와 같이, 본 발명은 높은 열전도와 낮은 열팽창계수를 갖는 소재를 얻을 수 있으며, 강도 및 인성이 좋은 저밀도의 부품소재가 제조 가능하며, 특히 부품을 아주 짧은 시간에 제조할 수 있으며 기지소재 또는 몰드의 연속이동에 의한 생산성 향상에 의해 제조 비용을 절감할 수 있다. 전자패키징, 알루미늄기지 복합재료, 플라즈마 용사, 열전도, 열팽창
Int. CL C22C 1/05 (2006.01)
CPC C22C 1/051(2013.01) C22C 1/051(2013.01)
출원번호/일자 1020010029576 (2001.05.29)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0413547-0000 (2003.12.18)
공개번호/일자 10-2003-0005439 (2003.01.23) 문서열기
공고번호/일자 (20031231) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.05.29)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강석봉 대한민국 경상남도창원시
2 이정무 대한민국 경상남도창원시
3 김형욱 대한민국 경상남도창원시
4 임차용 대한민국 경상남도창원시
5 구이만창 중국 북경항공재료연구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성철 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, 에이스하이-엔드타워*제*층 ***호 홍익국제특허법률사무소 (가산동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-0126113-09
2 신규성(출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Certificate of Novelty(Special Provisions for Application)		 2001.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-5152566-50
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.02.21 수리 (Accepted) 9-1-2003-0005896-92
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0164861-27
6 의견서
Written Opinion		 2003.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2003-5127373-38
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.07.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-5127374-84
8 등록결정서
Decision to grant		 2003.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0464313-88
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2005-0002690-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
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삭제
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알루미늄을 기지조직으로 하여 형성된 40∼60 부피%의 실리콘 카바이드(SiC) 입자와, 상기 실리콘 카바이드(SiC) 입자 사이에 형성된 10∼20 부피%의 수㎛급의 실리콘(Si) 입자로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 용사에 의한 고열전도도와 저열팽창계수를 가지는 전자패키징용 알루미늄기지 복합재료

3 3

평균입도 20㎛의 실리콘카바이드(SiC) 분말과 평균입도 70㎛의 알루미늄(Al) 분말을 체적비 40∼60:60∼40으로 혼합하거나, 또는 평균입도 20㎛의 실리콘카바이드(SiC) 분말과 평균입도 45㎛의 알루미늄-20실리콘(Al-20Si) 합금분말을 체적비 40∼60:60∼40으로 혼합하는 단계와,

상기 혼합된 분말을 기계적인 방법으로 혼련하는 단계와,

상기 혼련된 혼합분말에 함유된 수분을 건조하는 단계와,

상기 건조된 혼합분말을 타겟재에 플라즈마 용사하는 단계와,

상기 용사된 타겟재를 냉각하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 용사에 의한 고열전도도와 저열팽창계수를 가지는 전자패키징용 알루미늄기지 복합재료의 제조방법

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제3항에 있어서,

상기 건조된 혼합분말을 타겟재에 플라즈마 용사하는 단계에서 타겟재는 Graphite 및 BN 재질의 몰드, 또는 패키징 기지소재인 것을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 용사에 의한 고열전도도와 저열팽창계수를 가지는 전자패키징용 알루미늄기지 복합재료의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.