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마이크로 디바이스용 극저마찰 보호막

  • 기술번호 : KST2014008175
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마찰계수가 낮으면서도 충분한 내마모성을 구비하고 있는 마이크로 디바이스용 극저마찰 탄소보호막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 순수한 탄소를 이용한 카본박막 제조공정에 의해 제조되고 다이아몬드 구조와 흑연 구조가 소정의 비율로 혼재된 비정질상으로 이루어지고; 라만분석에서 D-peak의 위치가 1390±10㎝-1, G-peak의 위치가 1580±20㎝-1, ID/IG가 1.2~2를 만족하며; 경도 2~30㎬, 잔류응력 10㎫~2㎬, 표면조도 0.4~6.0㎚, 탄성계수 10~270㎬, 전기저항 1~100mΩ-㎝의 범주에 속하는 것이며, 전압밀도 4.4~13.2W/㎠, 기판온도 상온~400℃, 아르곤(Ar) 압력 1~10mTorr의 조건에서 탄소를 스퍼터링 타겟으로 하여, 상기 기판의 온도와 바이어스 전압을 변화시키면서 기판에 펄스 RF 바이어스를 인가하여 DLC(Diamond Like Carbon)박막과 흑연박막이 혼합된 다층박막을 형성한다.따라서, 마찰계수가 낮아 마이크로 디바이스 제품의 작동성능을 저해하지 않고 높은 내마모성에 의해 제품의 수명이 길어지며 물에 대한 높은 접촉각으로 인해 습식공정 후에도 물이 거의 남지 않게 되므로 부품간 응착이 일어나지 않게 된다.마이크로 디바이스, 보호막, 내마모성, 라만분석, 비정질, 스퍼터링, DLC박막, 흑연박막, 마찰계수, 접촉각
Int. CL C23C 16/26 (2006.01)
CPC C23C 14/0605(2013.01) C23C 14/0605(2013.01) C23C 14/0605(2013.01) C23C 14/0605(2013.01) C23C 14/0605(2013.01) C23C 14/0605(2013.01) C23C 14/0605(2013.01) C23C 14/0605(2013.01) C23C 14/0605(2013.01)
출원번호/일자 1020050067878 (2005.07.26)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0711619-0000 (2007.04.19)
공개번호/일자 10-2007-0013511 (2007.01.31) 문서열기
공고번호/일자 (20070430) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.07.26)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나종주 대한민국 경남 창원시
2 이구현 대한민국 경남 창원시
3 남기석 대한민국 경남 창원시
4 권식철 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인원전 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 풍림빌딩 *층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0407878-14
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2005.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-5093589-20
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2006-0051669-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0495748-54
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0766126-19
7 의견서
Written Opinion
2006.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0766127-54
8 등록결정서
Decision to grant
2007.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0033286-94
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
순수한 탄소를 이용한 카본박막 제조공정에 의해 제조되고 다이아몬드 구조와 흑연 구조가 소정의 비율로 혼재된 비정질상으로 이루어지고,라만분석에서 D-peak의 위치가 1390±10㎝-1, G-peak의 위치가 1580±20㎝-1, ID/IG가 1
2 2
제1항에 있어서,상기 탄소보호막은, 다층구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 디바이스용 극저마찰 탄소보호막
3 3
제1항에 있어서,상기 탄소보호막은 기판에 증착되고, 상기 기판은 금속, 세라믹, 폴리머, 플라스틱, 반도체 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 디바이스용 극저마찰 탄소보호막
4 4
제1항에 있어서,상기 탄소보호막은, 상기 기판에 1~1000㎚의 두께로 코팅되는 것을 특징으로 하는 마이크로 디바이스용 극저마찰 탄소보호막
5 5
제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 탄소보호막은, 상기 기판에 이온 빔 증착(ion-beam deposition) 공정, DC 스퍼터링(sputtering) 공정, RF 스퍼터링 공정, CVD 공정, 아크 플라즈마 증착(arc-plasma deposition) 공정, 플라즈마 강화 화학증기증착(plasma enhanced chemical vapor deposition) 공정, 레이저 에블레이션(laser ablation) 공정 중 어느 하나에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 마이크로 디바이스용 극저마찰 탄소보호막
6 6
전압밀도 4
7 7
제6항에 있어서,상기 펄스 RF 바이어스는, 펄스주기 0
8 8
전압밀도 4
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.