| 요약 |
본 발명은 전자석을 이용한 이온빔 균일조사 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 빔라인의 진행방향을 따라 사극전자석과 이극전자석을 순차적으로 설치한 후, 사극전자석에 공급되는 교류전류의 주파수를 이극전자석에 공급되는 교류전류의 주파수의 2배를 유지하여, 상대적으로 이온빔이 밀집되는 경계영역에서는 빔을 발산시키고, 중심영역에서는 빔을 집속시킴으로써 별도의 제어장치 없이도 이온빔이 균일하게 조사될 수 있도록 구성한 이온빔 조사 장치에 관한 것이다. 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 조사되는 이온빔의 집속/발산 정도를 조절하기 위한 사극전자석과; 수직방향으로 서로 대항하는 한 쌍의 자극으로 이루어져 수직방향 자기장을 형성하는 한 쌍의 수평방향 이극전자석과; 수평방향으로 서로 대항하는 한 쌍의 자극으로 이루어져 수평방향 자기장을 형성하는 한 쌍의 수직방향 이극전자석과; 상기 사극전자석, 수평방향 이극전자석 및 수직방향 이극전자석에 연결되는 전원부;를 포함하여 구성되며, 상기 전원부는 상기 사극전자석과 상기 수평방향 이극전자석에 교류전류를 공급하되, 상기 사극전자석에 공급되는 교류전류의 주파수를 상기 수평방향 이극전자석에 공급되는 교류전류의 주파수의 2배로 유지시켜 공급하는 것을 특징으로 한다.이온빔, 균일조사, 교류전류, 이극전자석, 사극전자석, 래스터 스캐닝, 주파수조절
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