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유리 기판, 플라스틱 기판, 웨이퍼 중 어느 하나로 된 기판에 있어서, 그 표면에 기상중합으로 폴리에틸렌디옥시티오펜 막을 형성하고, 이러한 폴리에틸렌디옥시티오펜 막 위에 감광성 수지를 스핀코팅하고, 이를 소프트 베이킹 하며, 폴리에틸렌디옥시티오펜 막 위의 감광성 수지층 위에 유리 마스크를 얼라인하여 적용한 후, 감광성 수지 막을 자외선 램프에 노출시키며, 상기 기판을 현상액에 담그고 상기 감광성 수지 막이 현상이 된 후 H2O로 수세하고, 이와 같이 하여 얻은 기판을 포스트 베이킹 하며, 상기 기판이 식으면 마이크로 웨이브 소스를 제공하는 장비의 챔버에 넣고 상기 챔버의 압력이 4Pa 내지 6Pa 가 될 때 까지 내부 공기를 뽑고 상기 챔버에 Ar과 O2를 각각 50sccm 내지 120sccm의 양으로 주입한 다음 상기 챔버의 압력이 40Pa 내지 60Pa 가 로 유지 되게 한 상태에서 챔버에 300∼500와트의 마이크로 웨이브 소스를 통하여 플라즈마를 생성시켜 노출된 폴리에틸렌디옥시티오펜 막을 제거하고 챔버에 질소를 넣어 상압으로 만들고 상기 감광성 수지 막을 아세톤과 메탄올로 씻어 냄으로써, 기판위에 패터닝이 된 폴리에틸렌디옥시티오펜 막이 형성되도록 함을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 소스를 이용한 전도성 고분자 막의 건식 식각 방법
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청구항 1에 있어서, 전술한 기판은 공정 개시 전 산소 플라즈마로 표면처리하여, 소수성( 疏水性 )을 띄게 함을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 소스를 이용한 전도성 고분자 막의 건식 식각 방법
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청구항 1항에 있어서, 상기 산화제를 코팅한 후, 알코올을 용매로 하는 에틸렌디옥시티오펜(EPOT)혼합 용액을 기화시켜 기화된 에틸렌디옥시티오펜이 기판 표면의 중합 개시제인 페릭이온(Fe＋＋＋)에 의해 중합되어 전술한 기판위에 기상 중합으로 폴리에틸렌디옥시티오펜 막이 형성되도록 함을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 소스를 이용한 전도성 고분자 막의 건식 식각 방법
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청구항 1에 있어서, 전술한 감광성 수지의 스핀 코팅은 2500rpm 내지 3500rpm에서 15초 내지 25초 동안 실시 함을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 소스를 이용한 전도성 고분자 막의 건식 식각 방법
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청구항 1에 있어서, 전술한 스핀 코팅 완료 후 실시하는 소프트 베이킹은 85℃ 내지 95℃에서 1분 내지 3분 동안 실시함을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 소스를 이용한 전도성 고분자 막의 건식 식각 방법
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청구항 1에 있어서, 전술한 자외선램프의 파장은 365nm 내지 400nm, 출력은 90mJ/m2 내지 110 mJ/m2범위에 있도록 함을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 소스를 이용한 전도성 고분자 막의 건식 식각 방법
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청구항 1에 있어서, 전술한 포스트 베이킹은 110 ℃내지 130℃에서 4분 내지 6분동안 실시함을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 소스를 이용한 전도성 고분자 막의 건식 식각 방법
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