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수계 반응에 의한 산화아연 나노졸의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014009051
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수계 반응에 의한 산화아연 나노졸의 제조방법에 관한 것으로서, 고분자전해질 수용액에 아연 금속염을 첨가하여 아연염-고분자 착체를 형성시키고, 환원하여 아연이온화합물 씨드(SEED) 입자 제조한 후, 숙성하는 일련의 제조공정으로 입자 크기가 2 ∼ 300 ㎚ 범위이고, 균일한 입자범위를 나타내어 디스플레이 분야의 투명전극으로 사용 가능한 산화아연 나노졸을 제조하는 방법에 관한 것이다. 산화아연 나노졸, 고분자전해질, 투명전극
Int. CL C01G 9/02 (2011.01) B01J 13/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B01J 13/0047(2013.01) B01J 13/0047(2013.01) B01J 13/0047(2013.01) B01J 13/0047(2013.01)
출원번호/일자 1020070045251 (2007.05.09)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0838347-0000 (2008.06.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.09)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류병환 대한민국 대전 서구
2 최영민 대한민국 대전 서구
3 이원우 대한민국 부산 사상구
4 김종웅 대한민국 충북 영동군
5 황성미 대한민국 전남 광양시
6 송해천 대한민국 대전 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0345846-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.12.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0001596-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0115729-54
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0180587-23
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0180586-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
9 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0289356-18
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아연(Zn)염과, 고분자 사슬 중에 해리기(解離基)가 존재하여 물에 녹아 해리되는 특성을 갖는 고분자전해질 수용액을 혼합하여 아연염-고분자 착체를 형성하는 1단계,상기 아연염-고분자 착체를 우레아, 과산화수소, 수산화나트륨, 수산화리튬, 수산화암모늄 및 수산화칼륨 중에서 선택된 침전제로 처리하여 아연이온화합물 씨드(SEED) 입자를 제조하는 2단계, 및 상기 제조된 ZnO 씨드 입자(SEED)를 20 ～ 100 ℃에서 숙성하여 ZnO 나노졸을 제조하는 3단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연 나노졸의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 아연(Zn)염은 아연 금속의 질산염, 황산염, 탄산염 및 염화물 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 고분자전해질은 폴리아크릴산, 폴리메타아크릴산 폴리스타이렌술폰산, 리그닌술폰산 및 이들의 염 중에서 선택된 해리기가 결합된 고분자 물질이거나, 또는 상기한 해리기가 결합된 고분자 물질과 해리기를 가지고 있지 않은 다른 수용성 고분자의 공중합체인 것을 특징으로 하는 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 고분자전해질은 분자량이 1,000 ∼ 30,000 범위인 것을 특징으로 하는 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 고분자전해질은 아연염 1 중량에 대하여 0
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 침전제는 아연염 1 당량에 대하여 0
9 9
제 1 항에 있어서, 입자크기가 2 ∼ 300 ㎚ 범위인 산화아연 나노졸을 제조하는 것을 특징으로 하는 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.