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기판상에 탄소 나노튜브가 형성될 위치에 탄소 나노튜브 성장을 촉진시키는 촉매를 도입하는 단계;상기 촉매 처리된 상기 기판의 상기 위치에 상기 탄소 나노튜브를 형성하는 단계; 및상기 탄소 나노튜브에 2,4,6-트리페닐피릴리움 테트라플루오로보레이트(2,4,6-triphenylpyrylium tetrafluoroborate) 또는 1,3-벤조디티올이리움 테트라플루오로보레이트(1,3-benzoditiolylium tetrafluoroborate)를 포함하는 표면 개질제를 처리하여 상기 탄소 나노튜브에서 금속성을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 표면 개질제는 상기 2,4,6-트리페닐피릴리움 테트라플루오로보레이트(2,4,6-triphenylpyrylium tetrafluoroborate) 또는 1,3-벤조디티올이리움 테트라플루오로보레이트(1,3-benzoditiolylium tetrafluoroborate)를 물, 에탄올, 및 테트라메틸렌 술폰(tetramethyl sulfone)/클로로포름(chloroform) 혼합 용매로 이루어진 군에서 선택되는 용매에 1 내지 20 μmol의 농도로 용해시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 상기 탄소 나노튜브 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판상에서 상기 탄소 나노튜브가 형성될 위치를 준비하는 방법은 상기 기판을 감광물질로 도포하여 감광물질층을 형성하는 단계;상기 도포된 감광물질층 상부에 상기 탄소 나노튜브가 형성될 위치를 노출시키는 마스크를 위치시키는 단계; 및상기 마스크를 통해 빛을 조사시키고, 상기 빛에 의해 변성된 상기 감광 물질층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 탄소 나노튜브 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 촉매는 Co, Fe, Ni, Mo, Cu, 페리틴, FeCl3, FeSO4, 철이온 함유 덴드리머, 및 금 나노 입자로 구성된 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 상기 탄소 나노튜브 반도체 소자 제조 방법
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전극; 및 상기 전극에 전기적으로 연결되도록 형성된 후, 2,4,6-트리페닐피릴리움 테트라플루오로보레이트(2,4,6-triphenylpyrylium tetrafluoroborate) 또는 1,3-벤조디티올이리움 테트라플루오로보레이트(1,3-benzoditiolylium tetrafluoroborate)를 포함하는 표면 개질제로 표면 개질 처리되어 있는 탄소 나노튜브;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 반도체 소자
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제10항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브가 반도체특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 상기 탄소 나노튜브 반도체 소자
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