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하기 화학식 1로 표기되는 부분적으로 불소가 도입된 술폰화 폴리아릴렌에테르 공중합체를 함유한 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
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제1항에 있어서, 상기 n/(n+m)이 0
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a) 하기 화학식 2로 표시되는 술폰화된 방향족 단량체, 하기 화학식 3으로 표시되는 불소를 함유한 단량체 및 하기 화학식 4로 표시되는 디하이드록실기 단량체를 직접 중합 반응에 의해, 하기 화학식 5로 표시되는 공중합체를 제조하고,
b) 하기 화학식 5로 표시되는 공중합체를 극성 용매에 용해시킨 후 유리판 또는 테프론 판 상에 캐스팅하고, 용매를 증발시켜 제거 후, 술폰산 형태로 전환하는, 하기 화학식 1로 표시되는 부분적으로 불소가 도입된 술폰화 폴리아릴렌에테르 공중합체로 이루어진 고분자 전해질 막의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 술폰화 폴리아릴렌에테르 공중합체의 술폰화도(degree of sulfonation)가 40 내지 50 몰%인 것을 특징으로 하는 상기 고분자 전해질 막의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 술폰화 폴리아릴렌에테르 공중합체의 술폰화도가 상기 화학식 2로 표시되는 술폰화된 방향족 단량체 40 내지 50 몰% 및 상기 화학식 3으로 표시되는 불소를 함유한 단량체 50 내지 60 몰%로 이루어진 공중합체 100중량부에 대하여, 상기 화학식 4로 표시되는 디하이드록실기 단량체 100중량부로 반응하여 결정된 것을 특징으로 하는 상기 고분자 전해질 막의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 극성 용매가 1-메틸-2-피롤리디논, N,N-디메틸아세트아마이드 및 디메틸포름아마이드로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 상기 고분자 전해질 막의 제조방법
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7
제3항에 있어서, 상기 화학식 5로 표시되는 공중합체가 N-메틸-2-피롤리디논 용매 상에서 고유점도 0
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제3항에 있어서, 상기 고분자 전해질 막의 두께가 1 내지 1000㎛인 것을 특징으로 하는 상기 고분자 전해질 막의 제조방법
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9
제1항의 고분자 전해질 막을 구비한 것을 특징으로 하는 고분자 전해질형 연료전지용 막-전극 어셈블리
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제9항의 막-전극 어셈블리가 채용된 고분자 전해질형 연료전지
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하기 화학식 1로 표시되는 부분적으로 불소를 함유한 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막 제조용 술폰화 폴리아릴렌에테르 공중합체
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