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백색 유기 발광 소자

  • 기술번호 : KST2014010028
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 듀얼 부분 염료 도핑에 기초한 새로운 형광 백색 유기 발광 소자에 관한 것으로 게스트 도펀트가 부분적으로 두 개의 다른 호스트 물질에 도핑되어 CIE 좌표를 등가에너지 백색 포인트로 조정할 뿐만 아니라 효율도 증가시킨 백색 유기 발광 소자에 관한 것이다.백색, 유기 발광 소자, 듀얼 부분 염료 도핑, 게스트 도펀트, 호스트 물질
Int. CL H05B 33/14 (2006.01)
CPC H01L 51/52(2013.01) H01L 51/52(2013.01) H01L 51/52(2013.01) H01L 51/52(2013.01) H01L 51/52(2013.01) H01L 51/52(2013.01) H01L 51/52(2013.01)
출원번호/일자 1020070072321 (2007.07.19)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-0866359-0000 (2008.10.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081031) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.19)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종운 대한민국 경기 광주시
2 이종호 대한민국 광주 광산구
3 최범호 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0524160-87
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.03.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2008-0024303-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0232394-18
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0471598-73
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0471531-25
7 등록결정서
Decision to grant
2008.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0450223-88
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 구비된 제1전극;상기 제1전극 상에 구비된 정공주입층;상기 정공주입층 상에 구비된 정공수송층;상기 정공수송층 상에 구비되며 상부면으로부터 일정 두께로 게스트 도펀트가 도핑된 발광층;상기 발광층 상에 구비되며 상기 발광층과의 계면으로부터 일정 두께로 상기 발광층에 도핑된 게스트 도펀트와 동일한 게스트 도펀트가 도핑된 전하수송층; 및상기 전하수송층 상에 구비된 제2전극;을 포함하는데,상기 발광층에 도핑된 게스트 도펀트의 도핑 두께는 1 내지 7nm인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 발광층은 DPVBi로 이루어져 있고, 상기 전하수송층은 Alq3로 이루어져 있으며, 상기 게스트 도펀트는 DCM인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
3 3
제 2 항에 있어서,상기 DPVBi로 이루어진 발광층은 청색을 발광하고, 상기 Alq3로 이루어진 전하수송층은 녹색을 발광하고, 상기 게스트 도펀트인 DCM이 도핑된 영역은 적색을 발광하는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
4 4
삭제
5 5
제 1 항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광층에 도핑된 게스트 도펀트의 도핑 두께는 3nm인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
6 6
기판;상기 기판 상에 구비된 제1전극;상기 제1전극 상에 구비된 정공주입층;상기 정공주입층 상에 구비된 정공수송층;상기 정공수송층 상에 구비되며 상부면으로부터 일정 두께로 게스트 도펀트가 도핑된 발광층;상기 발광층 상에 구비되며 상기 발광층과의 계면으로부터 일정 두께로 상기 발광층에 도핑된 게스트 도펀트와 동일한 게스트 도펀트가 도핑된 전하수송층; 및상기 전하수송층 상에 구비된 제2전극;을 포함하는데,상기 전하수송층에 도핑된 게스트 도펀트의 도핑 두께는 1 내지 7nm인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
7 7
제 6 항에 있어서,상기 전하수송층에 도핑된 게스트 도펀트의 도핑 두께는 3nm인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
8 8
기판;상기 기판 상에 구비된 제1전극;상기 제1전극 상에 구비된 정공주입층;상기 정공주입층 상에 구비된 정공수송층;상기 정공수송층 상에 구비되며 상부면으로부터 일정 두께로 게스트 도펀트가 도핑된 발광층;상기 발광층 상에 구비되며 상기 발광층과의 계면으로부터 일정 두께로 상기 발광층에 도핑된 게스트 도펀트와 동일한 게스트 도펀트가 도핑된 전하수송층; 및상기 전하수송층 상에 구비된 제2전극;을 포함하는데,상기 발광층 및 전하수송층에 도핑된 게스트 도펀트의 농도는 각각 0
9 9
제 8 항에 있어서,상기 발광층에 도핑된 게스트 도펀트의 농도는 1wt%이고, 상기 전하수송층에 도핑된 게스트 도펀트의 농도는 2wt%인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
10 10
제 1 항 내지 제 3 항, 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전하수송층과 제2전극 사이에 전하주입층을 구비하는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
11 11
제 1 항 내지 제 3 항, 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1전극 및 제2전극은 각각 투명 전도체 및 금속 도전체로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
12 12
제 11 항에 있어서,상기 투명 전도체는 ITO, IZO 및 ZnO 중 어느 하나 이상으로 이루어져 있고, 상기 정공주입층은 CuPc로 이루어져 있고, 상기 정공수송층은 α-NPD로 이루어져 있고, 상기 금속 도전체는 Al 및 MgAg 중 어느 하나 이상으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
13 13
제 12 항에 있어서,상기 금속 도전체의 하부면에 LiF층을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
14 14
제 1 항 내지 제 3 항, 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 정공주입층의 두께는 10 내지 30nm이고, 상기 정공수송층의 두께는 40 내지 60nm이고, 상기 발광층의 두께는 10 내지 20nm이고, 상기 전하수송층의 두께는 20 내지 60nm인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.