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기판;상기 기판 상에 구비된 제1전극;상기 제1전극 상에 구비된 정공주입층;상기 정공주입층 상에 구비된 정공수송층;상기 정공수송층 상에 구비되며 상부면으로부터 일정 두께로 게스트 도펀트가 도핑된 발광층;상기 발광층 상에 구비되며 상기 발광층과의 계면으로부터 일정 두께로 상기 발광층에 도핑된 게스트 도펀트와 동일한 게스트 도펀트가 도핑된 전하수송층; 및상기 전하수송층 상에 구비된 제2전극;을 포함하는데,상기 발광층에 도핑된 게스트 도펀트의 도핑 두께는 1 내지 7nm인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 발광층은 DPVBi로 이루어져 있고, 상기 전하수송층은 Alq3로 이루어져 있으며, 상기 게스트 도펀트는 DCM인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
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제 2 항에 있어서,상기 DPVBi로 이루어진 발광층은 청색을 발광하고, 상기 Alq3로 이루어진 전하수송층은 녹색을 발광하고, 상기 게스트 도펀트인 DCM이 도핑된 영역은 적색을 발광하는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
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제 1 항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광층에 도핑된 게스트 도펀트의 도핑 두께는 3nm인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
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기판;상기 기판 상에 구비된 제1전극;상기 제1전극 상에 구비된 정공주입층;상기 정공주입층 상에 구비된 정공수송층;상기 정공수송층 상에 구비되며 상부면으로부터 일정 두께로 게스트 도펀트가 도핑된 발광층;상기 발광층 상에 구비되며 상기 발광층과의 계면으로부터 일정 두께로 상기 발광층에 도핑된 게스트 도펀트와 동일한 게스트 도펀트가 도핑된 전하수송층; 및상기 전하수송층 상에 구비된 제2전극;을 포함하는데,상기 전하수송층에 도핑된 게스트 도펀트의 도핑 두께는 1 내지 7nm인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
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제 6 항에 있어서,상기 전하수송층에 도핑된 게스트 도펀트의 도핑 두께는 3nm인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
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8
기판;상기 기판 상에 구비된 제1전극;상기 제1전극 상에 구비된 정공주입층;상기 정공주입층 상에 구비된 정공수송층;상기 정공수송층 상에 구비되며 상부면으로부터 일정 두께로 게스트 도펀트가 도핑된 발광층;상기 발광층 상에 구비되며 상기 발광층과의 계면으로부터 일정 두께로 상기 발광층에 도핑된 게스트 도펀트와 동일한 게스트 도펀트가 도핑된 전하수송층; 및상기 전하수송층 상에 구비된 제2전극;을 포함하는데,상기 발광층 및 전하수송층에 도핑된 게스트 도펀트의 농도는 각각 0
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제 8 항에 있어서,상기 발광층에 도핑된 게스트 도펀트의 농도는 1wt%이고, 상기 전하수송층에 도핑된 게스트 도펀트의 농도는 2wt%인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
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제 1 항 내지 제 3 항, 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전하수송층과 제2전극 사이에 전하주입층을 구비하는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
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제 1 항 내지 제 3 항, 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1전극 및 제2전극은 각각 투명 전도체 및 금속 도전체로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
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제 11 항에 있어서,상기 투명 전도체는 ITO, IZO 및 ZnO 중 어느 하나 이상으로 이루어져 있고, 상기 정공주입층은 CuPc로 이루어져 있고, 상기 정공수송층은 α-NPD로 이루어져 있고, 상기 금속 도전체는 Al 및 MgAg 중 어느 하나 이상으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
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제 12 항에 있어서,상기 금속 도전체의 하부면에 LiF층을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
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제 1 항 내지 제 3 항, 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 정공주입층의 두께는 10 내지 30nm이고, 상기 정공수송층의 두께는 40 내지 60nm이고, 상기 발광층의 두께는 10 내지 20nm이고, 상기 전하수송층의 두께는 20 내지 60nm인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자
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