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마찰계수 저감을 위한 바이어스 포스트 플라즈마 질화방법

  • 기술번호 : KST2014010029
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화시 첨가되는 가스 제어를 통해 화합물층의 구조를 극미세화하고 이를 통해 마모 특성을 향상시킬 수 있도록 한 마찰계수 저감을 위한 바이어스 포스트 플라즈마 질화방법에 관한 것이다.이를 위해, 노 내부를 400~600℃의 공정온도로 승온 유지시키고, 스크린망에 플라즈마를 생성한 후, Ar과 H2을 투입하고 가열 유지하여 시편을 연질화시키며, 플라즈마를 관통해 질소와 수소 및 H2S를 투입하여 상기 시편을 2시간 동안 플라즈마 질화시키고, 노 내부에 질소를 투입하여 상기 시편을 냉각시켜 플라즈마 질화처리하는 방법을 특징으로 한다.상기한 구성에 따라, 플라즈마 질화를 통한 결정립 초미립화에 의해 시편의 마찰계수를 0.2 정도로 최소화시켜 무윤활유 베어링, 부싱 등의 제품 제조에 효율적으로 적용될 수 있는 효과가 있고, 특정부위에 과도한 소착 또는 용손에 의해 손상되는 용손 및 소착현상을 방지하여, 우수한 물성의 제품을 확보할 수 있는 효과도 있다.질화, 마찰계수, 플라즈마, 결정립 미세화, 화합물층.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/318 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01)
출원번호/일자 1020070075883 (2007.07.27)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-0854102-0000 (2008.08.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성완 대한민국 서울 양천구
2 문경일 대한민국 인천 남구
3 이원범 대한민국 인천 연수구
4 고영기 대한민국 경기 남양주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유종정 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 *, ***호(역삼동, 강남역센트럴푸르지오시티)(오주특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0550856-00
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2008-0018447-93
4 등록결정서
Decision to grant
2008.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0350085-50
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0494561-78
6 보정요구서
Request for Amendment
2008.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0085830-66
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0511770-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
노 내부에 시편을 장입 및 가열하는 경우 시편 외부에서 발생된 플라즈마에 기체를 통과시켜 상기 시편을 질화시키는 방법에 있어서,상기 노(10) 내부를 1×10-3torr의 진공 압력에서 400~600℃의 공정온도로 승온시킨 후, 30분 동안 가열 유지시키는 시편 예열공정(S10)과;상기 시편(P)과 시편(P) 외부에 구비된 스크린망(20)에 전력을 가해 플라즈마(PS)를 각각 생성한 후, 상기 노(10) 내부를 1
2 2
제 1항에 있어서, 상기 질화공정(S30)에서는 질소와 수소 및 H2S와 함께 탄화성 가스를 더 투입하는 것을 특징으로 하는 마찰계수 저감을 위한 바이어스 포스트 플라즈마 질화방법
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 질화공정(S30)에서 질소와 수소는 1:3~3:1의 비율로 투입하는 것을 특징으로 하는 마찰계수 저감을 위한 바이어스 포스트 플라즈마 질화방법
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 질화공정(S30)에서 H2S는 1000~10000ppm을 투입하는 것을 특징으로 하는 마찰계수 저감을 위한 바이어스 포스트 플라즈마 질화방법
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제 2항에 있어서, 상기 탄화성 가스는 프로판(C3H8), 아세틸렌(C2H2), 메탄(CH4) 중 어느 하나가 사용될 수 있음을 특징으로 하는 마찰계수 저감을 위한 바이어스 포스트 플라즈마 질화방법
6 6
제 2항 또는 제 5항에 있어서, 상기 탄화성 가스는 50~500sccm을 투입하는 것을 특징으로 하는 마찰계수 저감을 위한 바이어스 포스트 플라즈마 질화방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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