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패턴화된 실리콘 나노팁 제작방법

  • 기술번호 : KST2014010067
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노팁(nanotips)의 형성과 형상조절은 전계효과 디스플레이(field emission display, FED)의 전계방출 소자로 최근 큰 관심을 받고 있으며, 원자력 현미경(atomic force microscope, AFM)을 포함한 주사탐침현미경(Scanning Probe MicroScope, SPM)과 같은 측정분야의 핵심원천기술로 많은 연구가 진행되었다. 본 발명은 패턴화된 실리콘 나노팁의 제작방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 본 발명은 심도 반응성 이온 식각(deep reactive ion etching, DRIE) 공정을 2회 연속 실시하여 패턴화된 실리콘 나노팁 제작 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 패턴화된 실리콘 나노팁 제작방법은 감광성막 도포단계와, 감광성막 성형단계와, 제1차심도반응성 이온 식각단계를 포함한다. 상기 감광성막 도포단계는 실리콘기판의 일면에 감광성막을 형성하기 위하여 감광성막을 도포하는 단계이다. 상기 감광성막 성형단계는 자외선을 상기 감광성막에 선택적으로 노광시켜서 상기 감광성막을 일정한 형상으로 성형하는 단계이다. 그리고 상기 제1차심도반응성 이온 식각단계는 증착가스와 식각가스를 사용하여 상기 실리콘기판의 일면에 나노팁을 형성하는 단계이다. 나노팁, 스캘럽, 식각, 증착, 실리콘
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC H01L 33/346(2013.01) H01L 33/346(2013.01) H01L 33/346(2013.01) H01L 33/346(2013.01)
출원번호/일자 1020070084351 (2007.08.22)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0933560-0000 (2009.12.15)
공개번호/일자 10-2009-0019997 (2009.02.26) 문서열기
공고번호/일자 (20091228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강창근 대한민국 부산 북구
2 정순녕 대한민국 부산 북구
3 최재원 대한민국 경기 용인시 기흥구
4 고종수 대한민국 부산광역시 해운대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다인 대한민국 경기도 화성시 동탄기흥로*** 더퍼스트타워쓰리제**층 제****호, 제****-*호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0606752-07
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0781586-28
3 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2007.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0158465-59
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0048285-30
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0139470-10
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2009-0328201-98
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0396871-85
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0396869-93
10 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0496034-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
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번호 청구항
1 1
실리콘기판의 일면에 감광성막을 형성하기 위하여 감광성막을 도포하는 단계와, 자외선을 상기 감광성막에 선택적으로 노광시켜서 상기 감광성막을 일정한 형상으로 성형하는 단계와, 증착가스와 식각가스를 사용하여 상기 실리콘기판의 일면에 나노팁을 형성하기 위한 제1차심도반응성 이온 식각단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 실리콘 나노팁 제작방법
2 2
제1항에 있어서, 잔여 감광성막을 제거하기 위한 감광성막 제거단계와, 증착가스와 식각가스를 사용하여 상기 실리콘기판의 일면에 나노팁을 형성하기 위한 제2차심도반응성 이온 식각단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 실리콘 나노팁 제작방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 제2차심도반응성 이온 식각단계 후 상기 나노팁을 산화실리콘 나노팁으로 형성하기 위하여 열산화시키기 위한 열산화단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 실리콘 나노팁 제작방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 제2차심도반응성 이온 식각단계 이전에 상기 실리콘기판의 일면을 열산화시키기 위한 열산화단계와, 상기 실리콘기판의 일면에 형성된 열산화막을 제거하기 위한 열산화막제거단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 실리콘 나노팁 제작방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 감광성막 도포단계 이전에 상기 실리콘의 일면에 유전체 박막층을 형성하기 위한 유전체 박막층 형성단계와, 상기 감광성막 성형단계 이후에 반응성 이온으로 상기 유전체 박막을 상기 감광성막의 일정한 형상으로 성형하기 위한 건식식각단계와, 잔여 감광성막을 제거하기 위한 감광성막 제거단계와, 제1차심도반응성 이온 식각단계 이후 잔여 유전체 박막층 제거단계와, 증착가스와 식각가스를 사용하여 상기 실리콘기판의 일면에 나노팁을 형성하기 위한 제2차심도반응성 이온 식각단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 실리콘 나노팁 제작방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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