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하기 화학식 1로 표시되는 발광 고분자:
[화학식 1]
여기서, R1, R2, R3 및 R4는 각각 C1-20의 선형 또는 가지형 알킬 그룹,
, R6-HTL(정공수송층) 또는 R7-ETL(전자수송층)이고,
여기서, R5, R6 및 R7는 각각 C1-20의 선형 또는 가지형 알킬 그룹이고,
또한 Ar1은
또는 이고,
여기서, R8 및 R9는 각각 H, R10, 또는 OR11이며, R10 및 R11은 각각 C1-20의 선형 또는 가지형 알킬 그룹이고,
또한 상기 HTL(정공수송층)은
이고,
상기 ETL(전자 수송층)은
이고,
여기서, R12는 OR13 또는 R14이며, R13 및 R14은 각각 C1-20의 선형 또는 가지형 알킬 그룹이다
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제1항에 있어서, 상기 R1, R2, R3 및 R4는 각각 C1-20의 선형 또는 가지형 알킬 그룹이고, Ar1은
또는 이고,
여기서, R8 및 R9는 각각 H, R10, 또는 OR11이며, R10 및 R11은 각각 C1-20의 선형 또는 가지형 알킬 그룹인 것을 특징으로 하는 발광 고분자
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제1항에 있어서, 질량평균분자량이 10,000 내지 100,000인 것을 특징으로 하는 발광 고분자
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제1항에 있어서, 상기 고분자는 폴리((5,5,10,10-테트라키스(2-에틸헥실)-5,10-다이하이드로인데노[2,1-a]인덴)-2,7-다이닐-alt-(벤조싸이아다이아졸)-4,7-다이닐)(PININE-BT);
폴리(5,5,10,10-테트라키스(2-에틸헥실)-5,10-다이하이드로인데노[2,1-a]인덴)-2,7-다이닐-alt-(4,7-비스(2-싸이닐)-2,1,3-벤조싸이아다이아졸)-5,5'-다이닐)(PININE-DTBT);
폴리(5,5,10,10-테트라키스(2-에틸헥실)-5,10-다이하이드로인데노[2,1-a]인덴)-2,7-다이닐-alt-(4,7-비스(4-헥실-2-싸이닐)-2,1,3-벤조싸이아다이아졸)-5,5'-다이닐)(PININE-DHTBT); 및
폴리(5,5,10,10-테트라키스(2-에틸헥실)-5,10-다이하이드로인데노[2,1-a]인덴)-2,7-다이닐-alt-(4,7-비스(4-헥실옥시-2-싸이닐)-2,1,3-벤조싸이아다이아졸)-5,5'-다이닐)(PININE-DHOTBT); 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 발광 고분자
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기판 상부에 반투명 전극, 정공 수송층, 고분자 발광층 및 금속 전극을 순차적으로 형성하되, 상기 고분자 발광층은 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 발광 고분자로 형성되는 것임을 특징으로 한 전기 발광 소자
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6
제5항에 있어서, 상기 기판은 유리 또는 플라스틱인 것을 특징으로 하는 전기 발광 소자
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7
제1항에 의한 발광 고분자를 사용한 광에너지 변환소자
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