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도가니로부터 결정성장 후 남은 실리콘을 분리하는 방법

  • 기술번호 : KST2014010108
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 단결정 제조공정에서 사용되는 도가니 내부에 잔류된 실리콘 결정을 분리시키기 위한 방법에 관한 것으로서, 특히 초크랄스키방법에 의해 실리콘 단결정 성장을 완료시킨 후, 내부에 실리콘이 잔류되어 있는 도가니로부터 실리콘을 분리하기 위한 방법에 있어서, 상기 실리콘이 잔류되어 있는 도가니 및 도가니에 잔류된 실리콘에 액체질소를 접촉시켜, 도가니 및 실리콘에 열적 스트레스를 인가시키는 단계와; 상기 도가니 및 실리콘의 접촉계면에 물리적 스트레스를 인가시키는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 도가니로부터 결정성장 후 남은 실리콘을 분리하는 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 실리콘 단결정 성장이 완료되어 내부에 실리콘이 잔류되어 있는 도가니에서 액체질소를 통한 실리콘과 도가니의 열팽창계수의 차이를 이용하여 도가니 내부에 잔류된 실리콘을 신속하고 용이하게 분리시킴으로써, 불순물이 거의 없는 고순도의 실리콘을 얻어 자원을 효율적으로 재활용할 수 있을 뿐만 아니라 실리콘 단결정 성장 과정에서 비효율적인 업무를 개선시켜 인건비 등의 비용을 절감시키고, 공정 시간을 획기적으로 단축시키는 이점이 있다. 도가니 실리콘 분리 액체질소 열팽창계수 스트레스
Int. CL H01L 21/302 (2006.01)
CPC C30B 15/10(2013.01)
출원번호/일자 1020070065148 (2007.06.29)
출원인 부산대학교 산학협력단, 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-0901449-0000 (2009.06.01)
공개번호/일자 10-2009-0001065 (2009.01.08) 문서열기
공고번호/일자 (20090608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
2 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정세영 대한민국 부산광역시 금정구
2 박성균 대한민국 부산광역시 해운대구
3 조채용 대한민국 경상남도 밀양시
4 박상언 대한민국 부산 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0477043-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0028532-55
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0339708-93
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0474264-54
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0601529-05
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.08.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0601519-48
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0641615-07
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.02.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0094977-10
10 보정요구서
Request for Amendment		 2009.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0011009-75
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0132569-87
12 등록결정서
Decision to grant		 2009.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0227619-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.21 수리 (Accepted) 4-1-2011-5212108-42
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184293-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184331-50
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058545-81
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058386-17
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
초크랄스키방법에 의해 실리콘(200) 단결정 성장을 완료시킨 후, 내부에 실리콘(200)이 잔류되어 있는 도가니(100)로부터 실리콘(200)을 분리하기 위한 방법에 있어서, 상기 실리콘(200)이 잔류되어 있는 도가니(100)를 거꾸로 뒤집은 다음 도가니를 가열하여 실리콘을 흘러내리게 하고, 상기 실리콘(200)이 잔류되어 있는 도가니(100) 및 도가니(100)에 잔류된 실리콘(200)에 액체질소(400)를 접촉시켜, 도가니(100) 및 실리콘(200)에 열적 스트레스를 인가시키는 단계와; 상기 도가니(100) 및 실리콘(200)의 접촉계면에 물리적 스트레스를 인가시키는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 도가니로부터 결정성장 후 남은 실리콘을 분리하는 방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 물리적 스트레스를 인가시키는 단계 다음에, 상기 실리콘의 표면에 잔존하는 부착물을 그라인딩시켜 제거시키는 단계가 더 이루어지는 것을 특징으로 하는 도가니로부터 결정성장 후 남은 실리콘을 분리하는 방법
4 4
제 1항에 있어서, 초크랄스키방법에 의해 실리콘(200) 단결정 성장을 완료시킨 후, 실리콘(200)이 잔류되어 있는 도가니(100)가 조각난 경우에는, 상기 열적 스트레스를 인가시키는 단계는, 액체질소(400)가 담겨진 액체질소 용기(500)에 실리콘(200)이 잔류되어 있는 도가니 조각(110)을 침지시키는 것을 특징으로 하는 도가니로부터 결정성장 후 남은 실리콘을 분리하는 방법
5 5
제 1항에 있어서, 초크랄스키방법에 의해 실리콘(200) 단결정 성장을 완료시킨 후, 실리콘(200)이 잔류되어 있는 도가니(100)의 형태가 보존된 경우에는, 상기 열적 스트레스를 인가시키는 단계는, 상기 도가니(100) 내부에 액체질소(400)를 투입시키는 것을 특징으로 하는 도가니로부터 결정성장 후 남은 실리콘을 분리하는 방법
6 6
제 1항 또는 제 3항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 물리적 스트레스를 인가시키는 단계는, 망치를 이용하여 접촉계면에 평행한 방향으로 물리적 타격을 가하는 것을 특징으로 하는 도가니로부터 결정성장 후 남은 실리콘을 분리하는 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 열적 스트레스를 인가시키는 단계는 액체질소(400)가 담겨진 액체질소 용기(500)에 실리콘이 잔류되어 있는 도가니(100) 또는 도가니 조각(110)을 침지시키는 것이고, 상기 물리적 스트레스를 인가시키는 단계는 상기 액체질소(400)에 침지된 실리콘이 잔류되어 있는 도가니(100) 또는 도가니 조각(110)을 꺼내어 세척용액(600)에 재침지시키는 것을 특징으로 하는 도가니로부터 결정성장 후 남은 실리콘을 분리하는 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 물리적 스트레스를 인가시키는 단계에서의 세척용액(400)은 증류수, 알코올, 아세톤 및 불산(HF) 중에 어느 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 도가니로부터 결정성장 후 남은 실리콘을 분리하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.