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비전도성 유전체상의 선택적 금속화 공정

  • 기술번호 : KST2014010144
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광화학 반응 및 습식표면처리기술을 이용하여 비전도성 유전체 표면에 직접적으로 금속패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 비전도성 유전체 표면의 개질처리 및 감광성 금속 화합물의 흡착 후 특정 파장을 가진 광원을 선택적으로 표면에 조사하여 선택적 광화학 반응을 하고, 비조사된 부분에 귀금속 촉매를 흡착한 후 무전해 도금을 함으로써 비전도성 유전체 표면에 금속패턴을 직접 형성하는 방법에 관한 것이다. 광화학 반응, 습식표면처리기술, 비전도성 유전체, 금속패턴
Int. CL C23C 18/54 (2006.01) C23C 18/16 (2006.01) C23C 28/00 (2006.01)
CPC C23C 18/1605(2013.01) C23C 18/1605(2013.01) C23C 18/1605(2013.01) C23C 18/1605(2013.01) C23C 18/1605(2013.01)
출원번호/일자 1020070003316 (2007.01.11)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-0877379-0000 (2008.12.29)
공개번호/일자 10-2008-0066178 (2008.07.16) 문서열기
공고번호/일자 (20090109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.11)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이홍기 대한민국 경기도 고양시 일산구
2 구석본 대한민국 경기도 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0029101-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2007-5022520-66
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.09.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0061509-99
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0693485-75
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0130153-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0130150-80
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0328045-73
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0525457-44
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0525458-90
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
13 등록결정서
Decision to grant		 2008.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0632226-38
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 알칼리금속 화합물을 비전도성 유전체 표면에 침지 또는 분사하여 비전도성 유전체 표면을 표면개질하는 단계;(b) 상기 개질된 표면상에 감광성 금속화합물의 금속성분을 흡착시켜 비전도성 유전체 표면에 감광성을 부여하는 단계;(c) 포토마스크를 이용하여 상기 감광성 부여된 표면에 200 내지 450nm 파장을 가진 광원을 선택적으로 조사하는 단계;(d) 상기 포토마스크에 의하여 광원이 비조사된 표면에 흡착되어 있는 감광성 금속화합물에 귀금속 촉매 입자를 치환 흡착하여 활성화시키는 활성화 단계; 및(e) 상기 활성화된 표면에 무전해 도금공정을 이용하여 금속패턴을 수득하는 단계를 포함하는 금속패턴 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (a)단계의 비전도성 유전체는 폴리머, 유리, 세라믹 및 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것인 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 알칼리금속 화합물이 수산화나트륨 또는 수산화칼륨인 방법
5 5
제1항에 있어서, 알칼리금속 화합물에 암모늄염 또는 지방족 아민화합물, 또는 이들 모두가 첨가된 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제5항에 있어서, 암모늄염이 수산화암모늄, 염화암모늄, 황산암모늄, 탄산암모늄, 트리에틸암모늄염, 테트라에틸암모늄염, 트리메틸암모늄염, 테트라메틸암모늄염, 트리플루오르암모늄염 및 테트라플루오르암모늄염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법
7 7
제5항에 있어서, 지방족 아민화합물이 메틸아민, 에틸아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 트리메틸아민, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 우레아 및 히드라진 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 (a)단계가 20 내지 60℃에서 30초 내지 10분 동안 표면개질하는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 (b)단계의 감광성 금속화합물은 타이타늄(Ti)염, 몰리브덴(Mo)염, 텅스텐(W)염 및 주석(Sn)염으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 (b)단계가 20 내지 50℃에서 30초 내지 5분 동안 행해지는 것을 특징으로 하는 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 (c)단계의 광원 조사 단계가 주파장이 365nm 또는 405nm인 자외선 광원을 이용하는 것인 방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 (c)단계의 광원 조사 단계가 0
13 13
삭제
14 14
제1항에 있어서, 상기 (d)단계의 귀금속 촉매가 Pd, Ag, Pt 및 Au로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법
15 15
제1항에 있어서, 상기 (d)단계의 활성화 단계가 20 내지 50℃에서 30초 내지 5분 동안 행해지는 것을 특징으로 하는 방법
16 16
제1항의 방법에 따라 수득된 금속패턴
17 17
제1항의 방법에 따라 수득된 금속패턴을 포함하는 경성(Rigid) 및 연성(Flexible)타입의 인쇄회로기판(PCB)
18 18
제1항의 방법에 따라 수득된 금속패턴을 포함하는 전자테크(RFID)
19 19
제1항의 방법에 따라 수득된 금속패턴을 포함하는 전자파 차폐용 필터
20 20
제1항의 방법에 따라 수득된 금속패턴을 포함하는 디스플레이 패널의 전극회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.