맞춤기술찾기

이전대상기술

일차원 탄화규소 증착물의 선택적 성장 방법

  • 기술번호 : KST2014010539
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 일차원 탄화규소 증착물의 선택적 성장 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 규소 기판 위에 패턴이 만들어진 산화규소 층에서 노출된 규소 면에 촉매를 사용하지 않고 기상-고상 반응을 통하여 일차원 구조를 지닌 탄화규소 증착물을 선택적으로 성장시키는 방법에 대한 것으로서, 종래 촉매를 이용함으로써 불순물이 유입되는 문제점을 해결할 뿐만 아니라 공정 단계를 효율적으로 단축할 수 있어 성능이 우수한 전계방출소자나 기타 전자소자에 유용하게 적용할 수 있는 유용한 효과를 제공할 수 있다.전계방출소자, 탄화규소, 휘스커, 나노와이어, 나노로드, 나노화이버, 화학기상증착법
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) C30B 29/36 (2000.01)
CPC C30B 25/04(2013.01) C30B 25/04(2013.01) C30B 25/04(2013.01)
출원번호/일자 1020050099951 (2005.10.22)
출원인 한국원자력연구원, 한국수력원자력 주식회사
등록번호/일자 10-0807081-0000 (2008.02.18)
공개번호/일자 10-2007-0043913 (2007.04.26) 문서열기
공고번호/일자 (20080225) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.10.22)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국수력원자력 주식회사 대한민국 경상북도 경주시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박지연 대한민국 대전 유성구
2 김원주 대한민국 대전 서구
3 류우석 대한민국 대전광역시 서구
4 박종훈 대한민국 충남 연기군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 에너진(주) 경기도 화성시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2005-0599404-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.08.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2006-0061991-37
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0631439-19
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0948861-62
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0063165-79
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0155793-12
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0230489-29
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0304953-72
10 의견서
Written Opinion
2007.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0304954-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0454587-39
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0756691-38
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0756689-46
18 등록결정서
Decision to grant
2008.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0075502-70
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2008-5145739-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2010-5177354-66
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2016-5034922-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
규소 기판 상에 패터닝된 산화규소층을 에칭하여 규소면을 노출시키는 단계; 및 메틸렌트리클로로실레인, 디메틸트리클로로실레인 및 에틸렌트리클로로실레인으로부터 선택되는 유기금속화합물 또는 사염화규소를 원료물질로 사용하여 상기 노출된 규소 면에만 일차원 구조를 갖는 탄화규소를, 촉매 없이 화학기상증착법을 이용하여 선택적으로 성장시키는 단계를 포함하는 일차원 탄화규소 증착물의 선택적 성장 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 탄화규소는 휘스커, 나노와이어, 나노로드 또는 나노화이버를 포함하는 일차원 구조 형태임을 특징으로 하는 일차원 탄화규소 증착물의 선택적 성장 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 화학기상증착법은 촉매 없이 기상-고상 반응공정에 의한 것임을 특징으로 하는 일차원 탄화규소 증착물의 선택적 성장 방법
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 상기 화학기상증착법으로 일차원 구조의 탄화규소를 선택적으로 선택시키되, 수소, 질소, 아르곤 또는 이들의 혼합 기체를 운반 및 희석 기체로 사용함을 특징으로 하는 일차원 탄화규소 증착물의 선택적 성장 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 화학기상증착법에서의 증착반응 온도는 1000 내지 1250 ℃; 증착반응 압력은 1 내지 760 torr; 및 a) 상기 운반 및 희석기체와 b) 상기 원료물질의 입력비는 부피비로 2 내지 150의 범위로 조절됨을 특징으로 하는 일차원 탄화규소 증착물의 선택적 성장 방법
7 7
제1항, 제2항, 제3항, 제5항 또는 제6항에 의한 일차원 탄화규소 증착물의 선택적 성장방법을 전계방출소자의 제조에 사용하는 것을 특징으로 하는 일차원탄화규소 증착물의 선택적 성장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.