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강유전 삼중벽 공명 턴널링 다이오드를 이용한 스핀 상태 선택구조 및 그 방법

기술번호 : KST2014011285
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 기술은 반도체 소자에 공급되는 전하의 스핀 방향을 조절하는 스핀 조절 장치에 관한 것으로서, 전기장의 방향에 따라 전기쌍극자 모멘트의 방향이 바뀌는 복수의 강유전성 물질층; 및 상기 복수의 강유전성 물질층 사이에 형성된 희박자성 물질층를 포함하고, 상기 강유전성 물질층에 인가되는 전기장의 방향을 제어하여 전하의 스핀 분극 상태를 조절하는 것을 특징으로 한다. 본 기술에 따르면, 스핀 조절 장치의 강유전성 물질층에 인가되는 전기장 방향을 제어함으로써, 스핀 조절 장치를 통과하는 전하의 스핀 분극도를 제어할 수 있다. 또한, 스핀 조절 장치에 인가되는 바이어스 전압 및 강유전성 물질층에 인가되는 전기장 방향을 제어함으로써, 스핀 조절 장치를 통과하는 전하의 스핀 분극도를 제어할 수 있다. 특히, 삼중벽의 강유전성 물질층을 포함하는 강유전 삼중벽 공명 터널링 다이오드(ferroelectric triple barrier-resonant tunneling diode)를 이용함으로써, 스핀 조절 장치를 통과하는 전하의 스핀 분극도를 더욱 용이하게 제어할 수 있다. RTD, 스핀 조절 장치
Int. CL	H01L 27/105 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01)
CPC	G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01)
출원번호/일자	1020090037757 (2009.04.29)
출원인	숭실대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1042225-0000 (2011.06.10)
공개번호/일자	10-2010-0118846 (2010.11.08) 문서열기
공고번호/일자	(20110620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2009.04.29)
심사청구항수	14

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	숭실대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 동작구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김남미	대한민국	서울특별시 영등포구
2	리밍카이	중국	중국 호배성 무한시

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	신성특허법인(유한)	대한민국	서울특별시 송파구 중대로 *, ID타워 *호 (가락동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	숭실대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 동작구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.04.29	수리 (Accepted)	1-1-2009-0261619-64
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2010.10.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2010.11.12	수리 (Accepted)	9-1-2010-0068393-80
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2010.11.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0549889-11
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2011.01.18	수리 (Accepted)	1-1-2011-0040205-52
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2011.01.18	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0040204-17
7	등록결정서 Decision to grant	2011.05.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0294017-56
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2016-5110636-51

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 전기장의 방향에 따라 전기쌍극자 모멘트의 방향이 바뀌는 복수의 강유전성 물질층; 및 상기 복수의 강유전성 물질층 사이에 형성된 희박자성 물질층 를 포함하고, 상기 강유전성 물질층에 인가되는 전기장의 방향을 제어하여 전하의 스핀 분극 상태를 조절하는 스핀 조절 장치
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 스핀 조절 장치는, 상기 스핀 조절 장치에 고정된 바이어스 전압이 인가되는 상태에서, 상기 강유전성 물질층에 인가되는 전기장의 방향을 제어하여 전기쌍극자 모멘트의 방향을 전환시킴으로써, 상기 스핀 조절 장치를 통과하는 전하의 스핀 방향을 선택하는 스핀 조절 장치
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 스핀 조절 장치는, 삼중벽의 강유전성 물질층을 포함하는 강유전 삼중벽-공명 터널링 다이오드(ferroelectric triple barrier-resonant tunneling diode)인 스핀 조절 장치
4	4 제 1 항에 있어서, 강유전성 물질층 및 희박자성 물질층은, II족 원소 및 VI족 원소의 화합물 또는 III족 원소 및 V족 원소의 화합물을 이용하여 형성된 스핀 조절 장치
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 강유전성 물질층 및 희박자성 물질층은, P타입 또는 N타입인 스핀 조절 장치
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 강유전성 물질층은, ZnO막에 Li을 도핑하여 형성되고, 상기 희박자성 물질층은, ZnO막에 Mn을 도핑하여 형성된 스핀 조절 장치
7	7 전기장 변화에 따라 전기쌍극자 모멘트의 방향이 바뀌는 복수의 강유전성 물질층; 및 상기 복수의 강유전성 물질층 사이에 형성된 희박자성 물질층 을 포함하고, 스핀 조절 장치에 인가되는 바이어스 전압의 레벨 및 상기 강유전성 물질층에 인가되는 전기장 방향을 제어하여 전하의 스핀 분극 상태를 조절하는 스핀 조절 장치
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 스핀 조절 장치는, 상기 스핀 조절 장치에 인가되는 바이어스 전압의 레벨을 증감시키거나 상기 강유전성 물질층에 인가되는 전기장의 방향을 전환시킴으로써, 상기 스핀 조절 장치를 통과하는 전하의 스핀 방향을 선택하는 스핀 조절 장치
9	9 제 7 항에 있어서, 상기 스핀 조절 장치는, 상기 강유전성 물질층에 고정된 방향의 전기장이 인가되는 상태에서, 상기 스핀 조절 장치에 인가되는 바이어스 전압의 레벨을 제어하여 상기 스핀 조절 장치를 통과하는 전하의 스핀 방향을 선택하는 스핀 조절 장치
10	10 제 7 항에 있어서, 상기 스핀 조절 장치는, 상기 강유전성 물질층에 고정된 방향의 전기장이 인가되는 상태에서, 상기 스핀 조절 장치에 인가되는 바이어스 전압의 레벨을 증감시킴으로써, 상기 스핀 조절 장치를 통과하는 전하의 스핀 방향을 진동(oscillating)시키는 스핀 조절 장치
11	11 제 7 항에 있어서, 상기 스핀 조절 장치는, 삼중벽의 강유전성 물질층을 포함하는 강유전 삼중벽 공명 터널링 다이오드(ferroelectric triple barrier-resonant tunneling diode)인 스핀 조절 장치
12	12 제 7 항에 있어서, 상기 강유전성 물질층 및 희박자성 물질층은, II족 원소 및 VI족 원소의 화합물 또는 III족 원소 및 V족 원소의 화합물을 이용하여 형성된 스핀 조절 장치
13	13 제 7 항에 있어서, 상기 강유전성 물질층 및 희박자성 물질층은, P타입 또는 N타입인 스핀 조절 장치
14	14 제 7 항에 있어서, 상기 강유전성 물질층은, ZnO막에 Li을 도핑하여 형성되고, 상기 희박자성 물질층은, ZnO막에 Mn을 도핑하여 형성된 스핀 조절 장치

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	한국과학재단	숭실대학교 산학협력단	특정기초연구사업 R01-2008-000-10774-0	다강체 물질 연구 및 복합기능을 갖는 양자구조연구

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1042225-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20090429 출원 번호 : 1020090037757 공고 연월일 : 20110620 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110531 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 27/105 발명의 명칭 : 스핀 조절 장치 존속기간(예정)만료일 : 20170611

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 숭실대학교산학협력단 서울특별시 동작구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	295,500 원	2011년 06월 13일	납입
제 4 년분	금 액	348,000 원	2014년 03월 18일	납입
제 5 년분	금 액	243,600 원	2015년 04월 01일	납입
제 6 년분	금 액	243,600 원	2016년 03월 30일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.04.29	수리 (Accepted)	1-1-2009-0261619-64
2	선행기술조사의뢰서	2010.10.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2010.11.12	수리 (Accepted)	9-1-2010-0068393-80
4	의견제출통지서	2010.11.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0549889-11
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2011.01.18	수리 (Accepted)	1-1-2011-0040205-52
6	[명세서등 보정]보정서	2011.01.18	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0040204-17
7	등록결정서	2011.05.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0294017-56
8	출원인정보변경(경정)신고서	2016.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2016-5110636-51


기술번호	KST2014011285
자료제공기관	NTB
기술공급기관	숭실대학교
기술명	강유전 삼중벽 공명 턴널링 다이오드를 이용한 스핀 상태 선택구조 및 그 방법
기술개요	본 기술은 반도체 소자에 공급되는 전하의 스핀 방향을 조절하는 스핀 조절 장치에 관한 것으로서, 전기장의 방향에 따라 전기쌍극자 모멘트의 방향이 바뀌는 복수의 강유전성 물질층; 및 상기 복수의 강유전성 물질층 사이에 형성된 희박자성 물질층를 포함하고, 상기 강유전성 물질층에 인가되는 전기장의 방향을 제어하여 전하의 스핀 분극 상태를 조절하는 것을 특징으로 한다. 본 기술에 따르면, 스핀 조절 장치의 강유전성 물질층에 인가되는 전기장 방향을 제어함으로써, 스핀 조절 장치를 통과하는 전하의 스핀 분극도를 제어할 수 있다. 또한, 스핀 조절 장치에 인가되는 바이어스 전압 및 강유전성 물질층에 인가되는 전기장 방향을 제어함으로써, 스핀 조절 장치를 통과하는 전하의 스핀 분극도를 제어할 수 있다. 특히, 삼중벽의 강유전성 물질층을 포함하는 강유전 삼중벽 공명 터널링 다이오드(ferroelectric triple barrier-resonant tunneling diode)를 이용함으로써, 스핀 조절 장치를 통과하는 전하의 스핀 분극도를 더욱 용이하게 제어할 수 있다. RTD, 스핀 조절 장치
개발상태	특허만신청(등록)
기술의 우수성
응용분야	전기전자
시장규모 및 동향
희망거래유형	라이센스,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1345103526
세부과제번호	2008-0059463
연구과제명	다강체물질연구및복합기능을갖는양자구조연구
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	숭실대학교
성과제출연도	2009
연구기간	200805~201102
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1345103526
세부과제번호	2008-0059463
연구과제명	다강체물질연구및복합기능을갖는양자구조연구
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	숭실대학교
성과제출연도	2009
연구기간	200805~201102
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020090037757]	강유전 삼중벽 공명 턴널링 다이오드를 이용한 스핀 상태 선택구조 및 그 방법	새창보기

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