맞춤기술찾기

이전대상기술

전도성이 향상된 고분자-탄소나노튜브 복합체 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014011594
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브와 고분자의 변성을 방지하면서 고분자에 탄소나노튜브를 균일하게 분산시킴으로써, 탄소나노튜브의 우수한 기계적, 전기적 특성을 효과적으로 발현시키면서 탄소나노튜브의 분산성을 극대화시킬 수 있는 고분자-탄소나노튜브 복합체 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고분자-탄소나노튜브 복합체 제조방법은 탄소나노튜브(carbon nanotube, CNT), 그래핀(graphene) 또는 탄소나노튜브와 그래핀 혼합물로 포함하여 이루어진 탄소나노체를 액상 매질과 혼합하여, 탄소나노체가 분산된 마스터 배치 현탁액을 제조한다. 그리고 고분자 물질을 용융시킨 후, 용융된 고분자 물질과 마스터 배치 현탁액을 혼합하여 고분자-탄소나노체 복합체를 제조한다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020100006880 (2010.01.26)
출원인 숭실대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1157451-0000 (2012.06.12)
공개번호/일자 10-2011-0087456 (2011.08.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120622) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.26)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍정숙 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 홍인국 대한민국 인천광역시 연수구
3 안경현 대한민국 서울특별시 강남구
4 이승종 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 서울특별시 동작구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0052630-34
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0604098-72
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-1012181-77
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1012197-07
5 등록결정서
Decision to grant
2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0317564-27
6 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)
2012.06.12 수리 (Accepted) 2-1-2012-0290608-14
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2016-5110636-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소나노튜브(carbon nanotube, CNT), 그래핀(graphene) 또는 탄소나노튜브와 그래핀 혼합물로 포함하여 이루어진 탄소나노체를 액상 매질과 혼합하여, 탄소나노체가 분산된 마스터 배치 현탁액을 제조하는 단계;고분자 물질을 용융시키는 단계; 및상기 용융된 고분자 물질과 상기 마스터 배치 현탁액을 혼합하여 고분자-탄소나노체 복합체를 제조하는 단계;를 포함하고,상기 액상 매질은 가소제(plasticizer), 열 안정제(heat stabilizer), 자외선 안정제(UV stabilizer), 난연제(flame retardant), 발포제 및 충격보강제 중에서 선택된 1종 이상을 포함하여 이루어진 고분자 가공 첨가제인 것을 특징으로 하는 고분자-탄소나노체 복합체 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 액상 매질은 소수성(hydrophobic)인 것을 특징으로 하는 고분자-탄소나노체 복합체 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 액상 매질은 점도가 1000P(poise) 이하의 점성을 갖는 것을 특징으로 하는 고분자-탄소나노체 복합체 제조방법
4 4
청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
5 5
청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,상기 가소제는 PDMS(polydimethylsiloxane), PE wax(polyethylene wax), Amid wax, stearic acid, fatty acid ester, fatty acid 및 fatty acid amide로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로서, 상기 fatty acid ester, fatty acid 및 fatty acid amide는 fatty alcohols, dicarboxylic ester, glycerol 및 short chain alcohol로부터 유도된 것이고,상기 자외선 안정제는 phenyl salicylate, benzophenone, benzotriazole, hydroxy benzophenone 및 substitutes acrylate로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이며,상기 난연제는 인(P)계 난연제, 할로겐(halogen)계 난연제 및 브롬(bromine)계 난연제로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로서, 상기 인계 난연제는 BDP(bisphenol di-phosphate)를 포함하여 이루어지고, 상기 브롬계 난연제는 tribromophenoxyethane 및 tetrabromobisphenol A 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지며,상기 발포제는 ADCA(azodicarbonamide), OBSH(oxybis (benzene sulfonyl) hydrazide) 및 TSH(toluene sulfonyl hydrazide)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고분자-탄소나노체 복합체 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 고분자 물질은 열가소성 고분자인 것을 특징으로 하는 고분자-탄소나노체 복합체 제조방법
10 10
청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.