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전계발광소자용 백플레인의 구조와 그 제조 방법 및 이를포함하는 전계발광소자

  • 기술번호 : KST2014011729
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계발광소자용 백플레인의 구조와 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전계발광소자에 관한 것으로서, 기판, 양극전극, 무기뱅크 및 유기뱅크로 구성되는 전계발광소자용 백플레인(backplane)에 있어서, 상기 양극전극의 에지부 상에서, 상기 유기뱅크 및 무기뱅크가 상기 양극전극과 동시에 접촉하도록 상기 유기뱅크 및 무기뱅크가 형성되는 전계발광소자용 백플레인과,이러한 전계발광소자용 백플레인를 제조하기 위하여, 양극전극 패턴을 형성하는 제1공정과, 유기뱅크를 형성하는 제2공정과, 무기박막을 형성하는 제3공정과, 무기박막을 에칭하여 무기뱅크를 형성하는 제4공정을 공정 중에 포함하는 것을 특징으로 함으로서, 종래 구조의 백플레인에서 빈번하게 발생하는 전계발광소자의 동작 중, 전계집중에 의한 양극 끝단의 열화 및 음극과 양극간의 전기적인 쇼트(short) 문제를 해결함으로서 수율의 대폭적인 증대와 사용에 따른 열화를 근원적으로 방지할 수 있는 유용성을 가진다.전계발광소자, 백플레인, 유기뱅크, 무기뱅크
Int. CL H05B 33/22 (2006.01) H05B 33/10 (2006.01)
CPC H01L 27/3246(2013.01) H01L 27/3246(2013.01) H01L 27/3246(2013.01) H01L 27/3246(2013.01) H01L 27/3246(2013.01)
출원번호/일자 1020050135744 (2005.12.30)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-0746369-0000 (2007.07.30)
공개번호/일자 10-2007-0071902 (2007.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20070803) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한윤수 대한민국 대구 동구
2 김대환 대한민국 대구 수성구
3 최병대 대한민국 대구 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최경수 대한민국 대구광역시 중구 달구벌대로 **** 세기헬스마트 *층(대경국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)대구경북과학기술연구원 대한민국 대구광역시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-0785539-17
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0075306-93
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.04.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0272323-33
4 의견서
Written Opinion
2007.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0272318-15
5 등록결정서
Decision to grant
2007.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0404156-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.09.04 수리 (Accepted) 4-1-2008-5142779-99
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5053668-09
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2009-5066444-83
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 양극전극, 무기뱅크 및 유기뱅크로 구성되는 전계발광소자용 백플레인(backplane)에 있어서,상기 양극전극의 에지부 상에서, 상기 유기뱅크 및 무기뱅크가 상기 양극전극과 동시에 접촉하도록 상기 유기뱅크 및 무기뱅크가 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자용 백플레인
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판은 박막트랜지스터(TFT)를 더 구비하는 기판일 수 있는 것을 특징으로 하는 전계발광소자용 백플레인
3 3
제 1 항에 있어서,상기 유기뱅크를 형성하는 재료는 불소를 함유하는 재료일 수 있는 것을 특징으로 하는 전계발광소자용 백플레인
4 4
제 1 항 내지 3 항 기재의 어느 한 항에 있어서,상기 무기뱅크는 유기뱅크의 에칭된 측벽과 양극전극 사이에 잔존하여 상기 양극과 유기뱅크와 동시에 접촉하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전계발광소자용 백플레인
5 5
기판, 양극전극, 무기뱅크 및 유기뱅크로 구성되는 전계발광소자용 백플레인(backplane)의 상기 양극전극의 에지부 상에서, 상기 유기뱅크 및 무기뱅크가 상기 양극전극과 동시에 접촉하도록 상기 유기뱅크 및 무기뱅크가 형성되는 구성의 전계발광소자용 백플레인를 제조하기 위한 전계발광소자용 백플레인(backplane) 제조방법에 있어서;양극전극 패턴을 형성하는 제1공정과,유기뱅크를 형성하는 제2공정과,무기박막을 형성하는 제3공정과,상기 유기뱅크 및 무기뱅크가 상기 양극전극과 동시에 접촉하도록 상기 무기뱅크가 유기뱅크의 양극전극에 인접한 측벽 상에 잔존하도록 에칭하여 무기뱅크를 형성하는 제4공정;을 공정 중에 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자용 백플레인(backplane) 제조방법
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기판, 양극전극, 무기뱅크 및 유기뱅크로 구성되고, 상기 양극전극의 에지부 상에서, 상기 유기뱅크 및 무기뱅크가 상기 양극전극과 동시에 접촉하도록 상기 유기뱅크 및 무기뱅크가 형성되는 전계발광소자용 백플레인 상에,최소 1 개 이상의 유기층과 금속층을 성막한 후, 대기와의 차단을 위해 인캡슐레이션공정을 더 구비하여 제조된 것을 특징으로 하는 전계발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.