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단순 분극 공정이 가능한 압전 복합 자기 조성물 및 그제조방법

  • 기술번호 : KST2014011798
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 센서, 레조네이터, 액츄에이터에 사용될 수 있는 높은 전기기계결합계수(kp)와 압전상수(d33)를 갖는 단순 분극 공정이 가능한 압전 복합 자기 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 분극 공정을 단순화할 수 있는 복합형 압전 자기 조성물을 제공하기 위하여 Pb[(ZrTi)(MgNb)]O3 + avol % ZrO2의 조성에서 분산형 입자로 지르코니아(ZrO2)을 0 < a ≤ 10 첨가하여 이루어지며, ZrO2를 첨가함에 따라 장시간의 분극공정 없이 단시간내에 펄스형 전압을 수초 이내 가하면 높은 압전 특성이 발생되도록 한 것이다.분극공정, 지르코니아, 압전소자, 액츄에이터, 복합자기 조성물
Int. CL H01L 41/187 (2006.01) H01L 41/16 (2006.01)
CPC H01L 41/183(2013.01) H01L 41/183(2013.01) H01L 41/183(2013.01) H01L 41/183(2013.01)
출원번호/일자 1020060096850 (2006.10.02)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0804680-0000 (2008.02.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.02)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정순종 대한민국 서울 종로구
2 송재성 대한민국 경남 창원시
3 김민수 대한민국 경남 창원시 가음정동 *
4 이대수 대한민국 경남 창원시 가음정동 *
5 박언철 대한민국 경남 창원시 가음정동 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남정 대한민국 대전광역시 서구 월평북로 **, ****호 케이맥스특허법률사무소 (월평동, 만년오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0719399-64
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0571142-03
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0930585-34
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0930566-77
5 등록결정서
Decision to grant		 2008.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0055658-14
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
1 1
Pb[(Mg1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3 를 각각 안정한 ABO3 구조를 갖는 페로브스카이트 분말과 안정화된 ZrO2 산화물 입자를 혼합한 복합물을 제조하여 합성한 Pb[(Mg1/3Nb2/3)(ZrTi)]O3 + a vol % ZrO2 로 이루어진 단순 분극 공정이 가능한 압전 복합 자기 조성물 상기 조성식에서 a는 0 < a ≤ 10 임
2 2
제 1항에 있어서,상기 Pb[(Mg1/3Nb2/3)(ZrTi)]O3 + a vol % ZrO2 로 이루어진 조성물을 상온 (25 oC), 전계 2 kV/mm ~ 4 kV/mm, 시간 10초 이내로 분극조건을 가하여 이루어진 단순 분극 공정이 가능한 압전 복합 자기 조성물
3 3
Pb[(ZrTi)(MgNb)]O3 + avol % ZrO2위 조성식에서의 a의 조성범위는 0 < a ≤ 10 임상기 화학조성식에서 a의 양을 변화시키면서 소결온도를 1200 ℃ 내지 1350℃ 로 변화시키면서 시료를 제작하는 시료제작 공정과,상기 시료제작 공정의 조성비와 소결온도로 제조된 PMN-PZT 압전소자 조성물에 ZrO2 산화물 입자들을 첨가하여 습식 분쇄하고, 금형을 사용하여 약 100MPa의 압력으로 가압 성형한 후 900℃~1200℃의 온도범위에서 2시간 동안 소성하여 처리하는 조립화 공정과,다음에 시료 두께를 1mm로 가공한 다음 인쇄 도포법으로 시료 양면에 은(Ag)전극을 도포 한 후 700℃에서 10분 동안 열처리하는 열처리 공정과,상기 열처리 공정후 제조된 시편을 상온에서 10초 이내로 2kV/mm 이내 전계를 인가하여 짧은 분극 처리하는 분극처리 공정으로 이루어진 단순 분극 공정이 가능한 압전 복합 자기 조성물의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.