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단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서에 인가되는 문턱전압(VTHR)을 생성하는 장치에 있어서,전원전압(VDD)을 인가받아 기준전압(Vref_VB)을 생성하고, 상기 기준전압(Vref_VB)에 의해 바이어스 전압(VB)을 생성하는 바이어스 전압 생성부; 및 상기 바이어스 전압 생성부의 출력단에 연결되는 저항(R) 및 전류원(I)에 의해 문턱전압(VTHR)을 생성하는 문턱전압 생성부;를 포함함을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기
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제1항에 있어서,상기 저항(R)과 상기 전류원(I) 사이에 직렬로 연결되는 트랜지스터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기
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전원전압(VDD)에 의해 바이어스 전압(VB)의 기준전압(Vref_VB)을 생성하는 MOS 다이오드 분배기;상기 MOS 다이오드 분배기의 출력단과 접지 사이에 연결되는 제1 NMOS 트랜지스터;상기 기준전압(Vref_VB)을 입력받아 바이어스 전압(VB)을 생성하는 전압 버퍼;상기 바이어스 전압(VB)을 생성하는 전압 버퍼의 출력단에 연결된 저항; 및상기 저항과 직렬로 연결된 전류원;을 포함하고,상기 저항과 전류원 사이에서 문턱전압(VTHR)이 생성되는 것을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기
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제3항에 있어서,상기 저항과 상기 전류원 사이에 직렬로 연결되는 제2 NMOS 트랜지스터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기
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제4항에 있어서, 상기 제2 NMOS 트랜지스터는 게이트와 드레인이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기
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제3항에 있어서, 상기 MOS 다이오드 분배기는전원전압(VDD)과 직렬로 연결된 제1 PMOS 트랜지스터; 및상기 제1 PMOS 트랜지스터와 직렬로 연결된 제2 PMOS 트랜지스터;를 포함하고, 직렬로 연결된 상기 제1, 제2 PMOS 트랜지스터 사이에서 바이어스 전압(VB)의 기준전압(Vref_VB)이 생성되는 것을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기
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제6항에 있어서, 상기 제1, 제2 PMOS 트랜지스터는각각 게이트와 드레인이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기
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제3항에 있어서, 상기 문턱전압(VTHR)은바이어스 전압(VB)보다 소정의 전압만큼 적은 것을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기
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제8항에 있어서, 상기 소정의 전압은저항에 전류를 흘려서 정하는 것을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기
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