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흑연 도가니 내부의 하부에 다공성 흑연판 및 탄소 규소 분말 원료를 교번으로 위치하도록 위치시키는 단계;상기 다공성 흑연판 및 상기 탄소 규소 분말 원료와 이격되어 대향하도록 지지부에 접착된 탄화규소 종자정을 위치시키는 단계;상기 탄화 규소 종자정을 포함하여 상기 흑연 도가니의 상부까지 실리콘 분말 원료를 주입하여 실리콘 융액을 형성하는 단계; 및상기 흑연 도가니를 진공 상태의 반응실에서 상기 탄화규소 분말 원료, 상기 다공성 흑연판, 및 상기 실리콘 융액을 가열함으로써, 상기 탄화규소 분말 원료, 상기 다공성 흑연판, 및 상기 실리콘 융액으로부터 탄소 및 실리콘 원료가 상기 종자정으로 이동하여 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계를 포함하는 탄화규소 단결정 성장 방법
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제1 항에 있어서, 상기 탄화규소 분말원료는 직경이 50 내지 200um 범위인 탄화규소 단결정 성장 방법
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제1 항에 있어서, 상기 다공성 흑연판은 두께가 0
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제1 항에 있어서, 상기 다공성 흑연판 및 상기 탄소 규소 분말 원료가 위치하는 상기 흑연 도가니의 하부 온도가 상기 탄화규소 종자정이 위치하는 상기 흑연도가니의 상부 온도보다 고온이고, 온도 구배가 1℃/cm 내지 20℃/cm의 범위로 가열되는 탄화규소 단결정 성장 방법
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내부의 하부에 교번으로 배열되는 다공성 흑연판 및 탄소 규소 분말 원료, 그리고 내부의 상부까지 주입된 실리콘 분말 원료에 의해 형성된 실리콘 융액을 수용하는 흑연 도가니;탄화규소 종자정을 상기 탄소 규소 분말 원료, 및 상기 다공성 흑연판과 대향하도록 접착 및 지지하는 지지부;상기 흑연 도가니를 수용하고 내부가 진공 상태로 유지되는 반응실; 및상기 다공성 흑연판, 탄소 규소 분말 원료, 및 및 상기 실리콘 융액을 가열함으로써, 상기 다공성 흑연판, 상기 탄소 규소 분말 원료, 및 상기 실리콘 융액으로부터 탄소 및 실리콘 원료가 상기 탄화규소 종자정으로 이동하여 탄화규소 단결정을 성장시키는 가열부를 포함하는 단결정 성장 장치
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제5 항에 있어서, 상기 흑연 도가니의 내벽은 내열 금속 탄화물 피막층으로 구성되는 단결정 성장 장치
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제6 항에 있어서, 상기 내열 금속 탄화물 피막층은 TaC, TiC, 및 WC 중의 하나인 단결정 성장 장치
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제6 항에 있어서, 상기 지지부는 회전축에 연결되어 상기 회전축의 회전에 따라 회전하는 단결정 성장 장치
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제6 항에 있어서, 상기 가열부는 상기 반응실 내 상기 흑연 도가니의 하부에 위치하는 발열체를 포함하는 단결정 성장 장치
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