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적어도 하나의 모드 제어 신호를 디코딩하여 내부 제어 신호를 발생하는 디코더; 상기 디코더로부터의 상기 내부 제어 신호에 따라 출력하는 비교 전압을 가변하는 비교 전압 발생기; 및 입력 피드백 신호와 상기 비교 전압 발생기로부터의 상기 비교 전압을 비교하여 상기 적어도 하나의 모드 제어 신호의 크기에 따라 상이한 폭을 갖는 스킵 구간 제어 신호를 발생하는 비교기를 포함하는 다중 스킵 모드 제어 신호 발생 장치
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제1 항에 있어서, 상기 디코더는 상기 적어도 하나의 모드 제어 신호를 반전하는 인버터; 및 상기 인버터의 출력과 입력 신호를 NAND 연산하여 상기 내부 제어 신호를 발생하는 NAND 게이트를 포함하는 다중 스킵 모드 제어 신호 발생 장치
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제1 항에 있어서, 상기 비교 전압 발생기는 게이트가 상기 디코더의 출력에 연결되는 제1 MOS FET 및 소스가 상기 제1 MOS FET의 소스에 연결되는 제2 MOS FET로 이루어진 스위칭 소자; 상기 제1 MOS FET의 소스와 드레인 사이에 연결되는 제1 저항; 상기 제1 MOS FET의 게이트와 상기 제2 MOS FET의 게이트 사이에 상기 제1 저항과 병렬 연결되는 제2 저항; 및 상기 제2 MOS FET의 소스와 드레인 사이에 연결된 제3 저항을 포함하고, 상기 디코더로 인가되는 상기 적어도 하나의 모드 제어 신호에 따라 상기 스위칭 소자가 턴-온 상태가 되면, 상기 제1 저항 쪽으로 흐르던 전류가 상기 스위칭 소자 쪽으로 흐르게 되어 상기 비교 전압이 가변되는 다중 스킵 모드 제어 신호 발생 장치
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제1 항에 있어서, 상기 디코더로 인가되는 2개의 모드 제어 신호에 의해 스킵 구간 없이 듀티비에 의해서만 제어 또는 일반적인 대기 모드로 제어, 특정 구간 설정에 의한 스킵 구간 제어, 최대 크기 설정에 의한 스킵 구간 제어방식의 4가지 제어방법 중 하나를 선택하여 스킵 구간을 제어하는 다중 스킵 모드 제어 신호 발생 장치
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